威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。

相比前代器件，Vishay Siliconix的n溝道SiHR080N60E在性能上有了顯著提升。其導(dǎo)通電阻降低了27%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的能效。同時(shí)，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積的改進(jìn)，進(jìn)一步提升了600 V MOSFET的性能表現(xiàn)。

這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，無(wú)疑將推動(dòng)通信、工業(yè)和計(jì)算領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，為這些領(lǐng)域帶來(lái)更高效、更可靠的解決方案。威世科技將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新，為全球客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。