采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
威兆半導(dǎo)體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開關(guān)、小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-29 10:24:08
104 
幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中，可靠地驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性：
高壓與小封裝集成：支持最高200V的母線電壓，采用超緊湊的DFN3x3-8封裝，顯著節(jié)省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
威兆半導(dǎo)體推出的VS4N65CD是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓小功率電源管理、開關(guān)電路等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-24 13:04:05102 
，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù)，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06517 KEMET高壓U2J介質(zhì)SMD MLCCs：高效能電容解決方案 引言 在當(dāng)今電子設(shè)備不斷向高性能、小型化發(fā)展的背景下，對(duì)于電子元件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在高AC電流諧振應(yīng)用，如
2025-12-15 14:10:06222 威兆半導(dǎo)體推出的VSD950N70HS是一款面向700V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型
2025-12-12 15:59:34330 
威兆半導(dǎo)體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-12 15:36:26245 威兆半導(dǎo)體推出的VST009N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 14:34:23226 
威兆半導(dǎo)體推出的VST012N20HS-G是一款面向200V中高壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中高壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-09 10:49:57228 
。
易用性與可靠性?：內(nèi)置軟啟動(dòng)功能，有效防止電流過沖；采用SOP7封裝，布局便捷；高壓啟動(dòng)和自供電設(shè)計(jì)降低了待機(jī)功耗，提升了啟動(dòng)速度。
典型應(yīng)用?
該芯片廣泛應(yīng)用于備用電源、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車
2025-12-05 15:32:36
高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢(shì)，已成為工業(yè)電源、新能源儲(chǔ)能、汽車電動(dòng)化等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-12-03 09:57:022196 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-25 15:23:16209 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47190 mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計(jì)，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源負(fù)載開關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18262 
仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-24 14:45:26185 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及650V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-24 14:33:13243 仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-20 15:31:06159 仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-19 11:15:03276 仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-19 10:24:32239 ，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測(cè)量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進(jìn)行測(cè)量，實(shí)際應(yīng)用中，源
2025-11-19 06:35:56
選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器
2025-11-17 14:37:39200 仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241 Vishay 高壓SMD電阻器樣品套件專為高壓測(cè)量電路而設(shè)計(jì)，具有高達(dá)3kV的高工作電壓。該Vishay套件包括含有多段吸塑膠帶的文件，每條可容納20個(gè)電阻器。這些零件以電阻值升序排列，并進(jìn)行適當(dāng)
2025-11-14 11:37:21458 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面貼裝器件（SMD）功率電感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封裝。這些SMD功率電感器采用屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)，0A時(shí)電感范圍為3.3μH至
2025-11-13 10:19:04391 
Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用SMD封裝，外形尺寸為8mm x 8mm x 4.2mm。 這些電感器在0A時(shí)的電感為0.9
2025-11-13 09:49:18381 仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-12 14:19:35308 仁懋電子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-12 14:15:44277 仁懋電子（MOT）推出的MOT4511AF是一款面向450V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-12 14:10:52214 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及700V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS
2025-11-12 09:34:45197 樹脂封裝，用于磁屏蔽。該電感器設(shè)計(jì)無鉛、無鹵，符合RoHS指令。Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器非常適用于噪聲抑制和濾波、直流/直流電源、工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品以及便攜式和手持式設(shè)備等應(yīng)用。
2025-11-11 15:54:40538 
IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率電感器無鉛、無鹵，符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括便攜式和手持式設(shè)備、HDD和SSD存儲(chǔ)、噪聲抑制和濾波以及直流/直流電源。
2025-11-11 15:42:54585 
Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用薄型設(shè)計(jì)，采用繞線鐵氧體磁芯，采用鐵嵌入環(huán)氧樹脂封裝，用于磁屏蔽。該電感器的電感范圍為0.33μH至330μH，采用
2025-11-11 15:36:24416 
Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率電感器采用薄型封裝，最大尺寸為2.5mmx2mmx1mm。這些表面貼裝電感器采用半屏蔽、金屬基結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的飽和。該系列還具有低磁芯損耗
2025-11-11 15:25:04328 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54216 仁懋電子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-07 10:40:08220 仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-07 10:31:03211 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-07 10:23:59239 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-06 16:15:37292 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:12:24294 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:05:07286 仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 TE Connectivity (TE) 3627型微型SMD功率電感器采用特種鐵氧體磁芯設(shè)計(jì)，以提高性能和可靠性。這些TE電感器設(shè)計(jì)用于高頻通信產(chǎn)品。3627型微型SMD功率電感器包括兩種
2025-11-05 09:39:17310 
TE Connectivity (TE) CGS SMQ SMD模壓功率電阻器是符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝電阻器，采用UL 94V-0阻燃涂層。該電阻器采用卷帶封裝，提供三種額定功率，最高
2025-11-04 16:33:18577 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域
2025-11-04 15:59:03238 仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-04 15:22:12226 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-03 15:26:33298 在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景中，MOSFET的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵（SGT）技術(shù)的N溝道MOSFET，以
2025-10-31 11:03:47204 
仁懋電子（MOT）推出的MOT8N65MD是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-10-30 15:44:09275 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 15:37:22324 仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AC是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-10-30 15:30:12327 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 14:53:11280 STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET，具有非常低的單位面積R ~DS(on)~ 。該器件采用創(chuàng)新的超級(jí)結(jié)MDmesh M9技術(shù)，具有多漏極制造工藝，可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件結(jié)構(gòu)。
2025-10-30 10:47:09365 
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET，具有單位區(qū)域極低的R~DS(on)~ 和快速恢復(fù)二極管。該器件采用創(chuàng)新的超結(jié)MDmesh DM9技術(shù)，提供多漏極制造工藝，從而實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)。
2025-10-30 10:12:05347 
仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-29 16:43:51591 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 17:48:45783 仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 16:01:06430 STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術(shù)設(shè)計(jì)的極高壓N溝道功率MOSFET。該技術(shù)
2025-10-28 11:44:44421 
仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00190 STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護(hù)功能和100%雪崩。該MOSFET還具
2025-10-27 14:24:41381 
接合銅 (DBC) 基板，有助于封裝提供 低熱阻以及隔離式頂部散熱焊盤。SH63N65DM6AG MOSFET采用具有高設(shè)計(jì)靈活性的封裝，可通過不同組合的內(nèi)部電源開關(guān)實(shí)現(xiàn)多種配置，包括相臂、升壓和單開關(guān)。該功率MOSFET非常適合用于開關(guān)應(yīng)用。
2025-10-24 09:17:32684 
深圳市三佛科技有限公司 介紹KP32512SGA 輸出12V非隔離PWM控制功率開關(guān)芯片
KP3251X系列KP32512SGA是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)
2025-10-22 15:20:45
文章對(duì)比了無源探頭與高壓探頭在設(shè)計(jì)原理、性能參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景上的差異，指出無源探頭適用于低電壓測(cè)量，高壓探頭適合高電壓環(huán)境，兩者各有優(yōu)劣。
2025-10-09 16:18:37245 功率半導(dǎo)體器件一直以來都在朝著高頻化、低功耗的方向演進(jìn)，MOSFET 已經(jīng)形成了高壓與中低壓兩大技術(shù)的分支。錯(cuò)誤選型對(duì)電路拓?fù)涞南到y(tǒng)影響，很可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備發(fā)熱嚴(yán)重、待機(jī)功耗超標(biāo)，嚴(yán)重的話甚至?xí)s短
2025-09-15 16:02:551003 高效驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備、機(jī)器人控制等領(lǐng)域。
產(chǎn)品特性
寬電壓支持：母線電壓最高200V，VCC工作電壓范圍10V~20V，適應(yīng)多種工況。
高兼容性輸入：輸入
2025-09-15 09:12:42
各位在做高壓電源或電機(jī)驅(qū)動(dòng)的朋友，這款高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片 SLM2184SCA-13GTR 值得了解一下，采用緊湊的 SOP8 封裝，集成了獨(dú)立的高邊和低邊驅(qū)動(dòng)通道，能直接驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT
2025-08-26 09:15:40
噪聲能力，有效抑制高壓環(huán)境下的電磁干擾，避免誤觸發(fā)，保障系統(tǒng)在工業(yè)電機(jī)啟動(dòng)、逆變并網(wǎng)等瞬態(tài)工況下的穩(wěn)定運(yùn)行。
高效驅(qū)動(dòng)性能： 提供強(qiáng)大的4A拉電流/灌電流輸出，可驅(qū)動(dòng)多MOSFET并聯(lián)。結(jié)合9ns超快上
2025-08-08 08:46:25
及機(jī)器人電流控制等應(yīng)用中，對(duì)小尺寸、高精度阻值及電阻公差的需求。 此外，Bourns 也推出 2512 封裝尺寸的 CRF2512 型號(hào)大功率
2025-07-17 11:25:4816914 高壓無源探頭是用于測(cè)量高電壓電路中信號(hào)的一種工具，它不需要外部電源供電。然而，對(duì)于測(cè)量整流橋電壓，需要考慮幾個(gè)因素以確定是否可以使用高壓無源探頭。
首先，讓我們了解一下整流橋的基本原理。整流橋是一種
2025-07-11 09:21:49
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
OB2365x結(jié)合了專用電流模式PWM控制器和高壓功率MOSFET。它針對(duì)高性能、低待機(jī)功率和低成本的離線反激變換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。OB2365x提供全面的自動(dòng)恢復(fù)保護(hù)，包括逐周期限流（OCP
2025-07-09 11:36:51
1 在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192435 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開關(guān)電源應(yīng)用。
他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？
當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時(shí)候，它顯露出一些惱人的局限性。確實(shí)，你仍然可以在洗衣機(jī)、空調(diào)機(jī)
2025-06-03 15:39:43
）。這款緊湊的全集成式系統(tǒng)功率控制器可在85 - 305 VAC通用輸入電壓范圍內(nèi)提供最高60 W高效功率輸出。系統(tǒng)中的高壓 MOSFET采用小型SMD封裝，擁有低RDS(ON)且無需外部散熱器，從而縮小
2025-05-30 16:55:05489 
-200V/50mΩ 高壓MOSFET。這款采用TO-247封裝的P溝道功率器件，以55A連續(xù)電流承載能力和超低導(dǎo)通電阻，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高壓MOSFET在工業(yè)電源、新能源及汽車電子領(lǐng)域的空白，標(biāo)志著中國(guó)功率
2025-05-29 17:44:06806 
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2025-05-28 06:51:33
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中， 高壓功率放大器 扮演著至關(guān)重要的角色，用于放大和控制高壓電信號(hào)，例如用于醫(yī)療成像設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人、通信系統(tǒng)和能源轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。以下是一些使用高壓功率放大器時(shí)的技巧和注意事項(xiàng)
2025-05-12 14:08:42514 
NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 Q g 和 Q GD 低 R DS（開） 低熱阻 雪崩評(píng)級(jí) 無鉛 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無鹵素 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數(shù)
2025-04-16 11:25:34775 
mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
2025-04-16 10:54:00755 
? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表 .pdf 特性 低 R DS（開啟） 低熱阻 雪崩評(píng)級(jí) 邏輯電平 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 規(guī)范 無鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1.
2025-04-16 10:20:33782 
CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），適用于次級(jí)側(cè)同步整流和電機(jī)控
2025-04-15 16:23:11772 
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
高壓MOSFET管通過柵極與源極之間的電場(chǎng)控制漏極與源極之間的電流，實(shí)現(xiàn)高效功率開關(guān)功能。
2025-03-24 14:12:44920 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出兩款先進(jìn)的表面貼片封裝選項(xiàng)，擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的高功率MOSFET產(chǎn)品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
WD5208，500V高壓MOSFET集成與低功耗PWM控制
2025-02-21 15:42:24861 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOD1002-1用于SMD的卷軸包.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-17 16:46:580 。
功能描述
SL3160H 是一款用于開關(guān)電源的內(nèi)置 150V 高壓 MOSFET 的 DC-DC 控制器。內(nèi)置高壓啟動(dòng)和自供 電功能，可滿足快
速啟動(dòng)和低待機(jī)功耗要求。具有自適應(yīng)降頻功能，可進(jìn)一步優(yōu)化輕
2025-02-13 17:00:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOD962H無引線超小型封裝,用于SMD的卷盤包裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:42:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMCM440XXXX用于SMD的卷盤包裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 08:30:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 15:15:332 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOD972-S1用于SMD的卷軸干燥包裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 14:49:060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020M-6;用于SMD的卷盤包.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 15:45:490 活動(dòng)或系統(tǒng)掛起而失去響應(yīng)的系統(tǒng)。一種有效且廣泛使用的
功率循環(huán)方法是利用監(jiān)控電路的低電平有效輸出來驅(qū)動(dòng)
高壓側(cè)
MOSFET 輸入開關(guān)。 電壓監(jiān)視器或監(jiān)控電路可為其邏輯電平輸出提供兩種選擇：低電平有效和高電平有效輸出信號(hào)。這適
用于推挽輸出拓?fù)浠驇в猩?/div>
2025-01-25 17:26:001120 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991 SMD貼片元件的封裝尺寸
2025-01-08 13:43:197 已全部加載完成
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