場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)
使用氖氣輝光燈泡時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):①使用氖氣輝光燈泡時(shí)必須串接限流電阻。限流電阻的阻值可由下式確定:
2009-08-22 15:59:32
1698 場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)管的種類和系列品種比較多，但它們的電路測(cè)試原理和測(cè)量
2009-12-08 09:03:283891 MOS管開關(guān)電路在DC-DC電源、開關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用，今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-08-03 09:44:253643 
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
大家好，我是新手，想做一個(gè)PWM卸荷裝置，請(qǐng)問一下，這個(gè)IGBT管怎么接線？謝謝
2012-12-17 13:48:41
用萬用表二極管檔位測(cè)igbt的ce沒有電壓，但接觸一下ge導(dǎo)圖igbt后ce再測(cè)就會(huì)有1.6v左右的電壓，如果再次接觸gc就會(huì)放電，ce再測(cè)就會(huì)無電壓，這里對(duì)gc端放電工作原理不太明白
2024-07-26 10:54:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請(qǐng)哪位高手指點(diǎn)一下，如何測(cè)量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
Mosfet 和IGBT 的差異已有簡(jiǎn)單的了解，下文將在此基礎(chǔ)上，整理 Mosfet（IGBT）替換 IGBT（Mosfet）時(shí)設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。Mosfet（IGBT）替換 IGBT（Mosfet
2022-09-16 10:21:27
IGBT模塊使用上的注意事項(xiàng)
2015-06-02 16:35:16
上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。此外，由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于靜電就要十分注意。因此，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：1)在使用模塊
2021-08-31 16:56:48
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的？IGBT的特點(diǎn)有哪些？
2021-10-15 06:01:58
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
MOS管主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)
2018-03-06 17:12:25
泛的應(yīng)用。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非
2022-04-01 11:10:45
中獲得極廣泛的應(yīng)用。 IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來判斷是IGBT還是MOS管。 同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管
2020-07-19 07:33:42
場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)
2012-08-13 14:20:31
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用？場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
`推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)？使用注意事項(xiàng)有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
自制YS13-3熒光管時(shí)鐘有何注意事項(xiàng)呢？?
2022-03-01 07:03:03
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41
219 使用方法和注意事項(xiàng)，對(duì)于保障工程質(zhì)量和提高工作效率具有重要意義。下面我們就介紹傾角儀使用的5大注意事項(xiàng)。 1、安裝位置：保證傾角儀的安裝面與被測(cè)物體的安裝面
2024-03-28 15:24:56
IGBT管的選用與檢測(cè)
IGBT管的說明
2008-03-06 19:14:141561 
IGBT驅(qū)動(dòng)電路布線設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
1.The layout must minimize the parasitic inductance between the driver’s output
2008-11-05 23:17:574490 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:397311 
IGBT管的好壞檢測(cè)方法
IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測(cè)，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管
2009-07-02 18:39:439498 
閃爍式發(fā)光二極管使用注意事項(xiàng)閃爍式發(fā)光二極管在使用時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):①使用時(shí)工作電壓不要太低，否則發(fā)光較
2009-09-19 17:42:011466 使用晶體管時(shí)的注意事項(xiàng) 如果在螺栓上裝上一塊焊片，把電路引線事先焊在焊片上，把晶體管管腳夾在螺栓上兩個(gè)螺帽之間，就能減少
2009-10-13 15:07:072034 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:155131 電子管收音機(jī)的使用說明及注意事項(xiàng)
2010-03-09 15:00:292998 
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu)
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國(guó)
2010-05-27 17:29:3813562 
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250的應(yīng)用及注意事項(xiàng)
2012-07-18 11:01:0759328 
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3414471 
大的優(yōu)點(diǎn)、使用 IGBT 成為 UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì) IGBT 的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮 IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹 UPS 中的 IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)
2017-11-06 10:08:5324 本文開始闡述了晶體管圖示儀的定義、晶體管圖示儀的組成及主要技術(shù)指標(biāo)，其次闡述了晶體管圖示儀使用方法和晶體管特性圖示儀使用方法，最后介紹了晶體管圖示儀使用注意事項(xiàng)。
2018-03-19 15:51:2924207 
本文首先介紹了IGBT的作用及選型四個(gè)基本要求，其次介紹了IGBT選型方法及影響IGBT可靠性因素，最后介紹了IGBT使用注意事項(xiàng)及保管方法。
2018-07-20 15:41:0981488 開關(guān)IGBT T1時(shí)，主電流將從續(xù)流二極管D1換向到IGBT。由于二極管電流衰減產(chǎn)生的電流變化率diC2 /dt在LσE2上產(chǎn)生感應(yīng)電壓，并使T2的發(fā)射極電位變?yōu)樨?fù)值。如果通過高diC /dt產(chǎn)生的感應(yīng)電壓高于IGBT的閾值電壓，那么這將導(dǎo)致T2的寄生導(dǎo)通。
2018-08-06 15:08:399043 
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價(jià)格較高，故代換IGBT管時(shí)，應(yīng)遵循以下原則：首先，盡量用原型號(hào)的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡(jiǎn)便
2018-10-12 08:17:0016177 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
2019-02-24 10:25:0818582 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） 是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性，同時(shí)擁有與MOSFET十分相似的柵極結(jié)構(gòu)，能實(shí)現(xiàn)輕松
2019-03-16 07:39:022361 
本文首先從反向恢復(fù)時(shí)間，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和常規(guī)檢測(cè)方法出發(fā)介紹了快恢復(fù)二極管的性能特點(diǎn)，然后說明了用快恢復(fù)二極管的注意事項(xiàng)。
2019-08-09 15:48:354284 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5616239 
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-09-09 14:40:3813172 
IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 EXB841 l，EXB841 原理分析，使用 IGBT 中的注意事項(xiàng)和 EXB841 典型應(yīng)用電路
2020-09-10 08:00:0019 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為
2020-09-11 09:46:1412538 
來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷
2022-11-29 18:10:255257 先說個(gè)冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。 IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:1515588 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2022-02-09 11:04:537 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:1512101 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2022-07-11 09:09:143678 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:51:248 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，為什么有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-01-30 15:00:353717 IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:2812546 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)
2023-02-17 16:40:232475 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:5014701 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管?下面我們就來了解一下
2023-02-22 13:59:501 關(guān)注、 星標(biāo)公眾 號(hào) ，不錯(cuò)過精彩內(nèi)容 來源：電子電路 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
2023-02-23 09:15:261 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2023-02-23 16:03:254 在電路設(shè)計(jì)中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:456 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來
2023-02-24 10:36:266 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2023-03-03 10:47:522196 
簡(jiǎn)單描述了一些IGBT的主要參數(shù)和注意事項(xiàng)
2023-03-16 14:52:3651 igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn) 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用
2023-05-17 15:11:542484 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下
2022-07-21 17:53:517172 
Transistor）都是半導(dǎo)體器件，用于控制電流和電壓。IGBT和MOSFET在功能和結(jié)構(gòu)上非常相似，但它們有一些不同之處。 1. 結(jié)構(gòu) IGBT是由三極管和場(chǎng)效應(yīng)管兩個(gè)半導(dǎo)體器件組成的復(fù)合型器件
2023-08-25 14:50:017166 igbt單管和雙管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又稱絕緣柵雙極晶體管，是一種特殊的半導(dǎo)體器件。它集成了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入電阻
2023-08-25 15:11:226358 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動(dòng)電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:548511 igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結(jié)構(gòu)，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護(hù)結(jié)構(gòu)等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:596721 ： IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu)，由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）控制Bipolar雙極晶體管的開關(guān)動(dòng)作。IGBT主要由三個(gè)部分組成： - N型溝道區(qū)：
2023-11-10 14:26:284751 Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）是兩種常見的功率管件。它們?cè)趹?yīng)用領(lǐng)域、結(jié)構(gòu)、工作原理、特點(diǎn)以及性能參數(shù)等方面有著一些區(qū)別。以下是對(duì)這兩種管件逐一進(jìn)行詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的比較解釋。 1. 應(yīng)用領(lǐng)域的區(qū)別： 場(chǎng)效應(yīng)管主要應(yīng)用于低功率放大、開關(guān)電路以及射頻和微波領(lǐng)域。由于它具有高輸出阻抗和低輸入電流，適用于高頻電
2023-11-22 16:51:1412122 深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:251728 
英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:352305 
Transistor）是兩種常見的功率開關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:383221 igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，用途廣泛，在各種電子設(shè)備中都會(huì)使用。雖然它們有一些相似之處，但也存在一些顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹這兩種器件的特點(diǎn)和區(qū)別
2023-12-19 09:25:1615286 瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的注意事項(xiàng)與布局布線？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2024-01-03 10:34:362253 
絕緣門極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）是一種絕緣門極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱
2024-01-17 11:37:384398 
IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低導(dǎo)通壓降和高
2024-01-23 13:44:514990 在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。本文將對(duì)IGBT和MOS管進(jìn)行詳細(xì)的分析和比較，以便讀者能夠更深入地理解它們之間的區(qū)別。
2024-05-12 17:11:005914 MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮?、能量轉(zhuǎn)換、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開關(guān)器件，但它們的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及應(yīng)用場(chǎng)景存在顯著差異
2024-06-09 14:24:001737 
溝槽型IGBT（溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管）與平面型IGBT（平面柵絕緣柵雙極型晶體管）是兩種常見的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）結(jié)構(gòu)，它們?cè)陔娏﹄娮悠骷I(lǐng)域中扮演著重要角色。以下將從定義、結(jié)構(gòu)、性能、應(yīng)用及制造工藝等方面詳細(xì)闡述這兩種IGBT的差異。
2024-07-24 10:39:005828 
Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的功率開關(guān)器件，它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)合等方面都存在顯著的差異。以下是對(duì)MOS管和IGBT管的詳細(xì)辨別。
2024-07-26 18:07:198287 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號(hào)參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335022 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的特點(diǎn)，具備高電壓、大電流和高速開關(guān)等優(yōu)良性能。IGBT的基本結(jié)構(gòu)可以分為表面柵極結(jié)構(gòu)和體Si結(jié)構(gòu)兩部分，以下是對(duì)其結(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析。
2024-08-08 09:46:252298 在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件，每一個(gè)組成部分都承載著推動(dòng)電力電子技術(shù)進(jìn)步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應(yīng)用。
2024-10-15 15:23:452471 常用電磁爐用IGBT管代換
2024-11-11 14:09:007 IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施，確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-05-15 14:55:081427 使用萬用表檢測(cè)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力電子維修和調(diào)試中的常見操作，但因其結(jié)構(gòu)特殊且易受靜電損壞，需嚴(yán)格遵守檢測(cè)流程和注意事項(xiàng)。以下是詳細(xì)的操作指南和關(guān)鍵注意事項(xiàng)： 一、檢測(cè)前的準(zhǔn)備工作
2025-12-03 07:35:51997 
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