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IGBT管的選用與檢測(cè)
- IGBT(242700)
- 選用(8599)
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IGBT模塊的檢測(cè)方法
本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法，以?xún)蓡卧獮槔?用模擬萬(wàn)用表測(cè)量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505
85053.3kV的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)分析
位置見(jiàn)圖13），通道2是IC，通道3是VCE，通道4是VGE。可以看到，在正常開(kāi)通時(shí)VCE電壓會(huì)降到一個(gè)比較低的值（由IGBT導(dǎo)通飽和壓降和VCE檢測(cè)二極管的導(dǎo)通壓降決定）。而當(dāng)IGBT的IC電流不斷
2018-12-06 10:06:18
IGBT管的好壞的判別
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
IGBT中頻電源并聯(lián)諧振式電流型逆變器原理 字號(hào)：+ -
，該串聯(lián)快速二極管仍不能取消，否則便會(huì)因其反向電壓造成的環(huán)流使器件過(guò)電流損壞。然而，快速晶閘管和GTO本身就具有承受高反電壓的能力，當(dāng)選用它們時(shí)，就沒(méi)有必要象選用IGBT那樣需要串接快速二極管。同樣
2013-02-21 21:02:50
IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必知問(wèn)題
個(gè)電流互感器。過(guò)電流檢測(cè)出來(lái)的電流信號(hào)，經(jīng)光耦管向控制電路輸出封鎖信號(hào)，從而關(guān)斷IGBT的觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)?！ D1 IGBT的過(guò)流檢測(cè)（2）驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能。如日本英達(dá)公司的HR065
2011-08-17 09:46:21
IGBT單管IGBT模塊PIM模塊IPM模塊的區(qū)別以及各自的用途是什么
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見(jiàn)有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
IGBT單管IGBT模塊PIM模塊IPM模塊的區(qū)別以及各自的用途是什么
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見(jiàn)有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
IGBT單管是什么
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
IGBT單管是什么
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
IGBT單管測(cè)量好壞
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請(qǐng)哪位高手指點(diǎn)一下，如何測(cè)量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
IGBT單管簡(jiǎn)述
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說(shuō)，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒(méi)有問(wèn)題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
IGBT和MOS管以及可控硅的區(qū)別在哪
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
IGBT和MOS管區(qū)別
常見(jiàn)，所以部分設(shè)計(jì)者可能會(huì)存在沒(méi)有合適的 Mosfet 模塊使用，而考慮使用功率 IGBT模塊。本文簡(jiǎn)單的探討兩種模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)必須注意的問(wèn)題供設(shè)計(jì)者參考。**常見(jiàn)應(yīng)用條件劃分： **選用 IGBT 或
2022-09-16 10:21:27
IGBT和場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管IRF250能否替換IGBT的H20R1203？
？ IGBT屬于絕緣柵雙極型晶體管，是將場(chǎng)效應(yīng)管和三極管復(fù)合在一起，充分利用場(chǎng)效應(yīng)管和三極管的有點(diǎn)。IGBT具有高電壓、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型、大電流等優(yōu)點(diǎn)，一般用于高壓、大電流、大功率場(chǎng)合，功率
2021-03-15 15:33:54
IGBT在固態(tài)電源中是如何保護(hù)電路的？且看IGBT損壞機(jī)理分析
)中 UT2.D 的陰影部分所示的管壓降波形，以此類(lèi)推。分析表明，為了能夠檢測(cè)到 IGBT 導(dǎo)通時(shí)的管壓降的值，應(yīng)該將在 t1～t2 時(shí)刻 IGBT 導(dǎo)通時(shí)的管壓降保留，而將在 t2～t3 時(shí)刻檢測(cè)
2019-12-25 17:41:38
IGBT失效的原因與IGBT保護(hù)方法分析
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT并聯(lián)技術(shù)分析
等級(jí)，從而提升變流器的功率等級(jí)。考慮到前者功率密度相對(duì)較低，從性?xún)r(jià)比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運(yùn)行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
IGBT或MOS管的CE有的會(huì)加續(xù)流二極管，這時(shí)在CE端加RCD緩沖電路有作用嗎？
像IGBT或MOS管，他的CE有的會(huì)加續(xù)流二極管，這時(shí)在CE端加RCD緩沖電路還有作用嗎??！
2019-04-23 04:30:30
IGBT損壞機(jī)理分析及保護(hù)電路設(shè)計(jì)原理分析
)中 UT2.D 的陰影部分所示的管壓降波形，以此類(lèi)推。分析表明，為了能夠檢測(cè)到 IGBT 導(dǎo)通時(shí)的管壓降的值，應(yīng)該將在 t1～t2 時(shí)刻 IGBT 導(dǎo)通時(shí)的管壓降保留，而將在 t2～t3 時(shí)刻檢測(cè)
2019-12-27 08:30:00
IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問(wèn)題-IGBT模塊散熱
個(gè)電流互感器檢測(cè)流過(guò)IGBT的總電流，經(jīng)濟(jì)簡(jiǎn)單，但檢測(cè)精度較差;后者直接反映每個(gè)IGBT散熱器的電流，測(cè)量精度高，但需6個(gè)電流互感器。過(guò)電流檢 測(cè)出來(lái)的電流信號(hào)，經(jīng)光耦管向控制電路輸出封鎖信號(hào)，從而
2012-06-19 11:26:00
IGBT模塊采購(gòu)渠道和單管IGBT采購(gòu)渠道
本人在IGBT代理和原廠做了7年，跑了全國(guó)上百家igbt用戶(hù)， 對(duì)IGBT市場(chǎng)比較了解，非常清楚哪家的價(jià)格和貨源情況， 并了解哪些型號(hào)，哪家價(jià)格有優(yōu)勢(shì)，哪家供貨好， 如希望了解IGBT優(yōu)質(zhì)采購(gòu)渠道，請(qǐng)QQ:1874501009
2012-06-30 17:26:05
IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)/主要參數(shù)/驅(qū)動(dòng)電路
選用 1 W/5.1 V 的穩(wěn)壓管。此電路的特點(diǎn)是只用 1 組供電就能輸出正負(fù)驅(qū)動(dòng)脈沖，使電路比較簡(jiǎn)潔。 IGBT模塊驅(qū)動(dòng)典型電路 說(shuō)明：應(yīng)用成品驅(qū)動(dòng)模塊電路來(lái)驅(qū)動(dòng) IGBT ，具備過(guò)流軟關(guān)斷
2021-01-20 16:16:27
IGBT的工作原理
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT
2018-10-18 10:53:03
IGBT的短路過(guò)程分析
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線(xiàn)電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT絕緣柵雙極晶體管
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-05-06 05:00:17
IGBT絕緣柵雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類(lèi)為功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT設(shè)計(jì)使用指南（芯片資料+電路實(shí)例+multisim仿真）
電路分為兩大部分，短路（過(guò)電流）保護(hù)和過(guò)電壓保護(hù)，通過(guò)詳細(xì)的電路圖分析其發(fā)生原因，總結(jié)檢測(cè)方法，讓每個(gè)學(xué)者都能從中獲得啟發(fā)，對(duì)于掌握IGBT這一晶體管的使用也有很大的幫助。
2019-03-05 14:30:07
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦HCPL-316J的特性
極兩端的電壓必定是超過(guò)7V的，但此時(shí)，過(guò)流檢測(cè)電路失效，HCPL-316J芯片不會(huì)報(bào)故障信號(hào)。實(shí)際上，由于二極管的管壓降，在IGBT的C～E極間電壓不到7V時(shí)芯片就采取保護(hù)動(dòng)作。潮光光耦網(wǎng)（www.tosharp.cn）專(zhuān)注高端品牌光電耦合器！
2012-07-06 16:28:56
IGBT驅(qū)動(dòng)板，IGBT驅(qū)動(dòng)核，IGBT驅(qū)動(dòng)芯，IGBT適配板，IPM之間的區(qū)別
`我需要通過(guò)LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
IGBT驅(qū)動(dòng)電路
給輸入側(cè)，以便于采取相應(yīng)的解決措施。在IGBT關(guān)斷時(shí)，其C～E極兩端的電壓必定是超過(guò)7V的，但此時(shí)，過(guò)流檢測(cè)電路失效，HCPL-316J芯片不會(huì)報(bào)故障信號(hào)。實(shí)際上，由于二極管的管壓降，在IGBT的C～E
2009-09-04 11:37:02
IGBT驅(qū)動(dòng)電路
耦反饋給輸入側(cè)，以便于采取相應(yīng)的解決措施。在IGBT關(guān)斷時(shí)，其C～E極兩端的電壓必定是超過(guò)7V的，但此時(shí)，過(guò)流檢測(cè)電路失效，HCPL-316J芯片不會(huì)報(bào)故障信號(hào)。實(shí)際上，由于二極管的管壓降，在IGBT
2012-09-09 12:22:07
IGBT驅(qū)動(dòng)電路請(qǐng)教
請(qǐng)幫忙看下這個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路是否可行；如果可行，柵極電壓將會(huì)是多少，以及三極管Q1，Q2在IGBT導(dǎo)通時(shí)的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
igbt模塊測(cè)量方法
集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。http
2013-06-18 16:13:38
檢測(cè)IGBT模塊的的辦法
R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。
2011-12-14 11:29:51
MOS管和IGBT有什么區(qū)別？別傻傻分不清了
時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。 選擇MOS管還是IGBT？在電路中，選用MOS管作為功率開(kāi)關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問(wèn)題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流
2022-04-01 11:10:45
MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？
，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。 選擇MOS管還是IGBT 在電路中，選用MOS管作為功率開(kāi)關(guān)管還是
2020-07-19 07:33:42
MOSFET 和 IGBT的區(qū)別
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴(lài)于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
MOSFET與晶體管或IGBT相比有何優(yōu)點(diǎn)
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過(guò)電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無(wú)用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-29 08:28:40
【原創(chuàng)分享】深度剖析！MOS和IGBT究竟區(qū)別在哪？（二）
容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。在電路中，選用MOS管作為功率開(kāi)關(guān)管
2021-05-14 09:24:58
不同種類(lèi)二極管如何選用？
1．檢波二極管的選用檢波二極管一般可選用點(diǎn)接觸型鍺二極管，例如2AP系列等。選用時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路的具體要求來(lái)選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。 2．整流二極管的選用
2021-05-31 06:08:58
不同種類(lèi)二極管如何選用？
一、檢波二極管的選用檢波二極管一般可選用點(diǎn)接觸型鍺二極管，例如2AP系列等。選用時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路的具體要求來(lái)選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。二、整流二極管的選用整流二極管一般為
2022-06-07 15:51:38
為什么說(shuō)新能源汽車(chē)的核心器件是IGBT而不是MOSFET?IGBT或MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路有什么區(qū)別呢？詳情見(jiàn)資料
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2021-03-02 13:47:10
什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
關(guān)于IGBT放電阻止型緩沖電路
請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題：最近在做一個(gè)200kVA的變頻電源項(xiàng)目，輸入380V。前級(jí)是不可控整流，后級(jí)用1000A的IGBT組成三相逆變橋，IGBT的緩沖電路選用RCD放電阻止型緩沖電路，但是不知道緩沖電路中的電容和快恢復(fù)二極管的耐壓選擇多大，求指點(diǎn)。
2015-01-21 10:50:55
關(guān)于IGBT的檢測(cè)方法
不超過(guò)4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。檢測(cè)絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）好壞的簡(jiǎn)易方法1、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換
2016-12-15 14:21:12
幾種IGBT短路保護(hù)電路
。含有IGBT過(guò)流信息的Vce不直接送至EXB841的集電極電壓監(jiān)視腳6，而是經(jīng)快速恢復(fù)二極管VD1，通過(guò)比較器IC1輸出接至EXB841的腳6，其目的是為了消除VD1正向壓降隨電流不同而異，采用閾值
2009-01-21 13:06:31
變頻器IGBT模塊常見(jiàn)故障的處理與檢測(cè)方法
過(guò)低，測(cè)試時(shí)IGBT無(wú)法開(kāi)啟，因此無(wú)法判斷IGBT。該方法還可用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的質(zhì)量。六、變頻器IGBT模塊的靜態(tài)測(cè)量變頻器中使用的IGBT模塊是七單元集成模塊
2023-02-02 17:02:08
變頻器頻繁報(bào)IGBT管壓降保護(hù)是什么原因？
大功率的變頻器會(huì)對(duì)igbt的管壓降進(jìn)行保護(hù)，這是對(duì)變頻器控制igbt完全導(dǎo)通的一種控制，但是在運(yùn)行現(xiàn)場(chǎng)頻繁報(bào)這個(gè)故障，請(qǐng)問(wèn)有哪些原因造成的？該如何解決？
2024-01-25 14:45:14
各種二極管的選用
1、檢波二極管的選用 檢波二極管一般可選用點(diǎn)接觸型鍺二極管，例如2AP系列等。選用時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路的具體要求來(lái)選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。雖然檢波和整流的原理是一樣的，而
2012-10-25 07:59:54
場(chǎng)效應(yīng)管的特性參數(shù)，怎么選用？有什么注意事項(xiàng)？
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用？場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
大量回收富士IGBT模塊 收購(gòu)富士IGBT模塊
大量回收富士IGBT模塊 收購(gòu)富士IGBT模塊 全國(guó)各地區(qū)高價(jià)回收IGBT模塊、英飛凌、西門(mén)康、富士、三菱-天津高價(jià)收購(gòu)IGBT模塊系列,BGA,內(nèi)存,單片機(jī),繼電器,二三極管,電容,電感,保險(xiǎn)絲
2021-11-01 18:13:51
如何選用二極管
1.典型back電路（1）二極管的選用：可選用快恢復(fù)二極管、肖特基二極管，不適用硅二極管（如1N4007）的原因：1KHZ以上時(shí)，不能正常進(jìn)行半波整流，會(huì)反相導(dǎo)通。常用為SS14,SS34,SS54
2021-12-28 07:03:10
如何選用直管熒光燈鎮(zhèn)流器
1、不應(yīng)選用普通電感鎮(zhèn)流器 國(guó)標(biāo)GB50034－2004規(guī)定，“直管熒光燈應(yīng)配用電子鎮(zhèn)流器或節(jié)能型電感鎮(zhèn)流器”。這兩種鎮(zhèn)流器的能效優(yōu)于普通電感鎮(zhèn)流器。歐盟也已禁止與此相當(dāng)?shù)腃級(jí)產(chǎn)品，我國(guó)國(guó)標(biāo)也
2020-12-08 16:59:57
如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
如何識(shí)別MOS管和IGBT管？
`推薦課程：張飛軟硬開(kāi)源：基于STM32的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)
IGBT上，如圖1（b）所示。前者只用一個(gè)電流 互感器檢測(cè)流過(guò)IGBT的總電流，經(jīng)濟(jì)簡(jiǎn)單，但檢測(cè)精度較差；后者直接反映每個(gè)IGBT的電流，測(cè)量精度高，但需6個(gè)電流互感器。過(guò)電流檢測(cè)出來(lái)的電流信 號(hào)，經(jīng)光耦管
2011-10-28 15:21:54
新舊三菱IGBT回收，新舊英飛凌IGBT回收
模塊回收電源模塊回收斯達(dá)IGBT回收STARPOWER電源模塊回收功率二極管模塊快恢復(fù)二極管模塊 整流二極管回收晶閘管模塊回收電焊機(jī)配件 高頻加熱感應(yīng)電磁加熱IGBT 電焊機(jī)氬弧焊機(jī)等離子切割機(jī)專(zhuān)用IGBT模塊各種逆變焊機(jī)氣保焊機(jī)氬弧焊機(jī) 、電話(huà)151-5220-9946 QQ 2360670759
2022-01-04 20:52:15
晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類(lèi)型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
晶閘管的選用與代換及檢測(cè)資料分享
延時(shí)器、過(guò)電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG晶閘管。 若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導(dǎo)磁能儲(chǔ)存系統(tǒng)及開(kāi)關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)晶閘管。 若用于光電耦合器、光探測(cè)器、光報(bào)警器、光計(jì)數(shù)器、光電邏輯電路及自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)的運(yùn)行監(jiān)控電路，可選用光控晶閘管。
2021-05-12 06:24:46
模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開(kāi)關(guān)管的尖峰 辦法
`模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開(kāi)關(guān)管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
求IGBT高頻電源ADC采集電壓濾掉開(kāi)關(guān)管的尖峰！
模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開(kāi)關(guān)管的尖峰辦法
2019-07-15 02:57:42
淺析IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)
IGBT是高速器件，所選用的光耦必須是小延時(shí)的高速型光耦，由PWM控制器輸出的方波信號(hào)加在三極管V1的基極，V1驅(qū)動(dòng)光耦將脈沖傳遞至整形放大電路IC1，經(jīng)IC1放大后驅(qū)動(dòng)由V2、V3組成的對(duì)管(V2、V3
2016-10-15 22:47:06
淺析IGBT門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)
電路 光耦隔離驅(qū)動(dòng)電路如圖3所示。由于IGBT是高速器件，所選用的光耦必須是小延時(shí)的高速型光耦，由PWM控制器輸出的方波信號(hào)加在三極管V1的基極，V1驅(qū)動(dòng)光耦將脈沖傳遞至整形放大電路IC1，經(jīng)IC1
2016-11-28 23:45:03
電磁爐IGBT管燒壞了的原因及其解決辦法
一、IGBT介紹 IGBT，絕緣柵雙極晶體管，這是一種有著B(niǎo)JT管大電流、MOSFET管等器件優(yōu)點(diǎn)的大功率器件，它是三端器件，有柵極G、集電極C、發(fā)射極E三電極，具有開(kāi)關(guān)速度快、通流能力強(qiáng)、輸
2023-02-28 13:51:19
電磁爐常用IGBT管型號(hào)及主要參數(shù)
時(shí)一定要用萬(wàn)用表檢測(cè)驗(yàn)證，避免出現(xiàn)不應(yīng)有的損失。一只IGBT管的技術(shù)參數(shù)較多，包括反向擊穿電壓(BVceo)、集電極最大連續(xù)電流(Ic)、輸出功率、工作頻率等參數(shù)。例：G40N150D反向擊穿電壓
2012-03-22 19:09:22
電磁爐怕IGBT燒管的維修經(jīng)驗(yàn)
面板控制 微電腦供電 副電源等電路。要是燒了IGBT?。。。?、你得查大電容，同步電路，LM339【8316】， 還有就是驅(qū)動(dòng)、電流檢測(cè)電路。這幾個(gè)都會(huì)導(dǎo)致IGBT燒的。2、如果不燒功率管IGBT
2009-07-21 19:02:06
穩(wěn)壓二極管的選用方法
，這一點(diǎn)在選用時(shí)應(yīng)加以注意。對(duì)要求較高的電路，選用前應(yīng)對(duì)穩(wěn)壓值進(jìn)行檢測(cè)。3、使用穩(wěn)壓管時(shí)應(yīng)注意，二極管的反向電流不能無(wú)限增大，否則會(huì)導(dǎo)致二極管的過(guò)熱損壞。因此，穩(wěn)壓管在電路中一般需要串聯(lián)限流電阻。在選用
2019-06-12 03:43:43
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的工作原理、特點(diǎn)及參數(shù)介紹
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
（轉(zhuǎn)帖）IGBT終于不炸了！詳解逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)
轉(zhuǎn)自《電力電子網(wǎng)》大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說(shuō)，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒(méi)有問(wèn)題，但是IGBT上去，可能
2017-03-24 11:53:14
利用IGBT過(guò)流集電極電壓檢測(cè)和電流傳感器檢測(cè)的綜合保護(hù)電路
下圖是利用IGBT過(guò)流集電極電壓檢測(cè)和電流傳感器檢測(cè)的綜合保護(hù)電路，電路工作原理是：負(fù)載短路（或IGBT因其它故障
2009-01-21 13:16:101367
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應(yīng)用檢測(cè)IGBT集電極電壓的過(guò)流保護(hù)原理
應(yīng)用檢測(cè)IGBT集電極電壓的過(guò)流保護(hù)原理
圖10是應(yīng)用檢測(cè)IGBT集電極電壓的過(guò)流保
2009-01-21 13:18:311938
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IGBT管的好壞檢測(cè)方法
IGBT管的好壞檢測(cè)方法
IGBT管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè)，或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管
2009-07-02 18:39:438813
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淺談電解電容檢測(cè)及選用
淺談電解電容檢測(cè)及選用
TAG標(biāo)簽： 電解 電容 檢測(cè) 選用 一、電解電容的檢測(cè) 1.脫離線(xiàn)路時(shí)檢測(cè) 采用萬(wàn)用表R×1K檔，
2009-11-10 17:18:39799
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亮度與色度延遲線(xiàn)的選用、檢測(cè)與代換
亮度延遲線(xiàn)的選用、檢測(cè)與代換,色度延遲線(xiàn)的選用、檢測(cè)與代換, 自制延遲線(xiàn)的結(jié)構(gòu)
2012-06-19 11:49:201480
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基于兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT模塊短路策略
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類(lèi)短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:155190
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教你如何檢測(cè)IGBT管好壞的方法
IGBT管好壞的檢測(cè)方法：IGBT 管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè)，或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度
2018-05-18 00:00:0070277
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門(mén)老師教你學(xué)電子:電子元器件的選用與檢測(cè)PDF版電子書(shū)免費(fèi)下載
《電子元器件的選用與檢測(cè)》是 “門(mén)老師教你學(xué)電子”叢書(shū)中的一本，目的是幫助電子技術(shù)愛(ài)好者快速學(xué)會(huì)選用與檢測(cè)電子元器件。全書(shū)共分９章，第１章講解電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)，第２章講解基本元件的選用與檢測(cè)
2019-04-01 08:00:00
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0門(mén)老師教你學(xué)電子：電子元器件的選用與檢測(cè)PDF電子書(shū)免費(fèi)下載
《電子元器件的選用與檢測(cè)》是“門(mén)老師教你學(xué)電子”叢書(shū)中的一本，目的是幫助電子技術(shù)愛(ài)好者快速學(xué)會(huì)選用與檢測(cè)電子元器件。全書(shū)共分9章，第1章講解電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)，第2章講解基本元件的選用與檢測(cè)
2019-04-04 08:00:0016
16如何用萬(wàn)用表對(duì)IGBT進(jìn)行引腳識(shí)別和檢測(cè)
IGBT可以用指針式萬(wàn)用表和數(shù)字式萬(wàn)用表進(jìn)行引腳識(shí)別和檢測(cè)，檢測(cè)前應(yīng)先將IGBT三只引腳短路放電，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度。
2020-11-13 17:13:5622956
22956
X-ray檢測(cè)設(shè)備在IGBT模塊的作用
X-RAY檢測(cè)的最大優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)結(jié)果直觀。圖像顯示IGBT軟件內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷的自動(dòng)識(shí)別和判斷。IGBT在生產(chǎn)過(guò)程中，不僅保證了產(chǎn)品的質(zhì)量，而且在生產(chǎn)規(guī)劃階段為改進(jìn)提供了可靠的依據(jù)。
2022-07-01 16:24:001034
1034igbt功率管怎么檢測(cè)好壞？
igbt功率管怎么檢測(cè)好壞？ 簡(jiǎn)介： 隨著電力電子技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)和高效，IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門(mén)選擇。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種三端半導(dǎo)體器件，支持高電壓和高電流應(yīng)用，同時(shí)提供快速開(kāi)關(guān)
2023-08-25 15:03:352092
2092萬(wàn)用表檢測(cè)IGBT好壞的步驟是什么？IGBT好壞測(cè)試方法還有哪些？
用萬(wàn)用表檢測(cè)IGBT好壞時(shí)一定要將萬(wàn)用表設(shè)置在R×10KΩ，因?yàn)镽×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，在檢測(cè)過(guò)程中無(wú)法使IGBT導(dǎo)通，從而無(wú)法判斷IGBT的好壞。
2023-11-09 15:21:571215
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論