選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。在選擇IGBT時(shí)，以下幾個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題需要考慮：

1. 工作電壓

IGBT的工作電壓應(yīng)不超過(guò)其VCES額定值的80%。這確保了IGBT在工作時(shí)具有足夠的電壓容忍度，防止設(shè)備過(guò)載。

2. 開(kāi)關(guān)方式

要確定是采用硬開(kāi)關(guān)還是軟開(kāi)關(guān)，硬開(kāi)關(guān)通常需要Punch-Through（PT）型IGBT，而軟開(kāi)關(guān)也可以使用Non Punch-Through（NPT）型IGBT。PT型適合軟開(kāi)關(guān)，因?yàn)樗鼈兙哂休^低的尾電流。

3. 電流

了解設(shè)備需要承受的電流是至關(guān)重要的。IGBT型號(hào)通常以其第一和第二個(gè)數(shù)字來(lái)表示其額定電流。對(duì)于硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使用可用電流與頻率圖表有助于確定IGBT是否適合應(yīng)用。

4. 開(kāi)關(guān)速度

如果需要更高的開(kāi)關(guān)速度，那么PT型IGBT是更好的選擇。對(duì)于硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用，可用電流與頻率圖表可幫助您回答此問(wèn)題。

5. 短路耐受能力

某些應(yīng)用需要設(shè)備具有短路耐受能力，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。NPT型IGBT通常具有這種能力，而開(kāi)關(guān)電源通常不需要。

IGBT與MOSFET的比較

IGBT和N通道功率MOSFET之間存在一些相似之處，但也有關(guān)鍵的區(qū)別。IGBT是一種N通道功率MOSFET，它在p型襯底上構(gòu)建，因此其操作與功率MOSFET非常相似。IGBT的優(yōu)勢(shì)在于其較低的導(dǎo)通電壓。與MOSFET相比，IGBT允許電子和空穴同時(shí)流動(dòng)，這降低了電流流動(dòng)的有效電阻，從而降低了導(dǎo)通電壓。

開(kāi)關(guān)速度

然而，降低導(dǎo)通電壓的代價(jià)是較低的開(kāi)關(guān)速度，特別是在關(guān)斷過(guò)程中。IGBT在關(guān)斷時(shí)會(huì)出現(xiàn)尾電流，直到所有空穴被清除或復(fù)合為止。PT型IGBT通過(guò)n+緩沖層來(lái)控制空穴的復(fù)合速率，從而提高了關(guān)斷速度。NPT型IGBT也稱為對(duì)稱型IGBT，PT型IGBT也稱為非對(duì)稱型IGBT。

選擇IGBT時(shí)，必須平衡導(dǎo)通電壓、開(kāi)關(guān)速度和短路耐受能力之間的權(quán)衡。高導(dǎo)通電壓通常會(huì)導(dǎo)致較慢的開(kāi)關(guān)速度，但增加了短路耐受能力。因此，您需要根據(jù)應(yīng)用的需求選擇適當(dāng)?shù)腎GBT類型。

數(shù)據(jù)表解讀

IGBT的數(shù)據(jù)表包含了許多重要參數(shù)，供設(shè)計(jì)師參考。以下是一些重要的參數(shù)：

VCES（集電極-發(fā)射極電壓）：最大允許的集電極-發(fā)射極電壓。

VGE（柵-發(fā)射極電壓）：最大允許的柵-發(fā)射極電壓。

IC1和IC2（連續(xù)集電流）：最大允許的連續(xù)集電流，考慮了溫度和熱阻。

ICM（脈沖集電流）：最大允許的脈沖集電流。

EAS（單脈沖阻止雪崩能量）：IGBT能夠安全吸收的反向阻止雪崩能量。

這些參數(shù)對(duì)于選擇適當(dāng)?shù)腎GBT和設(shè)計(jì)電路非常重要。同時(shí)，IGBT的工作溫度范圍（TJ，TSTG）和PD（總功率耗散）也需要考慮。

選擇合適的IGBT對(duì)于電子設(shè)備的性能至關(guān)重要，需要綜合考慮工作電壓、開(kāi)關(guān)方式、電流、開(kāi)關(guān)速度和短路耐受能力等因素。通過(guò)仔細(xì)研究IGBT的數(shù)據(jù)表和理解其關(guān)鍵特性，才能確保選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并在設(shè)計(jì)中取得成功。

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