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檢測IGBT模塊的方法有哪些

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浮思特 | 空調(diào)高效穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn):少不了這樣一款IGBT模塊!

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測量回路雜散電感常用方法雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過測量獲取IGBT關(guān)斷時的尖峰電壓Vpeak和電流變化率,利用公式來計(jì)算雜散電感Lstray;短路法通過測量IGBT短路開通時的下降電壓
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疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用(1)

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2025-05-30 16:24:03932

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件,通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài): ? 結(jié)構(gòu)特性 ?:融合
2025-05-26 14:37:052284

部分外資廠商IGBT模塊失效報(bào)告作假對中國功率模塊市場的深遠(yuǎn)影響

部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競爭等多維度分析,并結(jié)合中國功率模塊市場的動態(tài)變化進(jìn)行綜合評估: 一、失效報(bào)告作假的根本原因 技術(shù)
2025-05-23 08:37:56804

大功率IGBT模塊你了解多少?結(jié)構(gòu)特性是什么?主要應(yīng)用在哪里?

一、核心定義與結(jié)構(gòu)特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為核心,集成續(xù)流二極管(FWD)的復(fù)合功率器件,通過多層封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高電壓、大電流承載能力35。其典型結(jié)構(gòu)包含: ? 芯片
2025-05-22 13:49:381273

IGBT模塊吸收回路分析模型

盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
2025-05-21 09:45:301052

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:081323

揭秘推拉力測試機(jī):如何助力于IGBT功率模塊封裝測試?

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、工業(yè)變頻等領(lǐng)域,其封裝可靠性直接影響模塊的性能和壽命。在封裝工藝中,焊接強(qiáng)度、引線鍵合質(zhì)量、端子結(jié)合力等關(guān)鍵參數(shù)需要通過精密測試來
2025-05-14 11:29:59991

新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動汽車架構(gòu)的電驅(qū)動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng),相
2025-05-06 14:08:48714

向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!

中國電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件,是中國技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度,成功揭露了國外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50564

功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

傳統(tǒng)檢測方法VS電子芯片氣密性檢測儀,差距一目了然

在電子芯片生產(chǎn)中,密封性檢測至關(guān)重要,直接關(guān)系到芯片的性能和穩(wěn)定性。傳統(tǒng)的檢測方法與電子芯片氣密性檢測明顯不同。傳統(tǒng)的檢測方法其自身的特征和局限。其中,水檢是一種常見的方法。它通過將芯片放入
2025-04-14 14:07:40493

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC MOSFET模塊通過高效率、高頻化、高溫
2025-04-12 13:23:05799

這款具有IGBT保護(hù)的芯片其原理是什么?

如下是一款具有IGBT保護(hù)的驅(qū)動芯片,其如何檢測并判斷IGBT故障,并且在什么情況下觸發(fā)該故障? 尤其是在一類短路和二類短路時是否應(yīng)該觸發(fā),具體如何檢測?
2025-04-05 20:16:16

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場上
2025-04-02 10:59:415534

plc控制電路檢測技術(shù)與維修方法

PLC(可編程邏輯控制器)控制電路的檢測技術(shù)與維修方法主要涉及對PLC輸入輸出回路、程序邏輯以及外圍電氣元件的檢查與修復(fù)。以下是一些具體的檢測技術(shù)與維修方法: 一、PLC輸入輸出回路的檢測與維修
2025-04-02 07:37:591759

IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

模塊若要在光伏、新能源汽車等領(lǐng)域替代進(jìn)口IGBT模塊產(chǎn)品,必須通過嚴(yán)格的可靠性實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。以下針對產(chǎn)SiC模塊 HTGB、HTRB、H3TRB、HTS、LTS、PCsec 等關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的具體含義、測試方法及行業(yè)意義進(jìn)行深度分析。 一、可靠性實(shí)驗(yàn)的定義與作用 HTGB(High Temperatur
2025-03-31 07:04:501316

焊接質(zhì)量檢測方法

焊接作為一種關(guān)鍵的金屬連接工藝,其質(zhì)量直接決定了產(chǎn)品的整體性能和使用壽命。因此,準(zhǔn)確檢測焊接質(zhì)量對于保障產(chǎn)品安全性和可靠性至關(guān)重要。目視檢查目視檢查是焊接質(zhì)量檢測的第一步,也是最為直觀和簡便的方法
2025-03-28 12:19:141551

中國電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊

中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、市場、政策和信任危機(jī)等多重因素共同作用的結(jié)果
2025-03-28 09:50:49712

MOSFET與IGBT的區(qū)別

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng),IXYS一款MOSFET
2025-03-25 13:43:17

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場掀起了降價超過30%的IGBT模塊價格戰(zhàn),其背后的邏輯不僅是市場份額爭奪的“回光返照
2025-03-21 13:18:121055

中國電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊

國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級的核心路徑。這一趨勢不僅是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,更是政策引導(dǎo)、供應(yīng)鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)升級共同作用下的綜合選擇。以下從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)
2025-03-21 08:19:15789

國產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價格絞殺戰(zhàn)

進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對外資功率模的瘋狂價格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應(yīng)對
2025-03-21 07:00:50933

Decap開蓋檢測方法及案例分析

開蓋檢測(DecapsulationTest),即Decap,是一種在電子元器件檢測領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的破壞性實(shí)驗(yàn)方法。這種檢測方式在芯片的失效分析、真?zhèn)舞b定等多個關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的作用,為保障
2025-03-20 11:18:231096

IGBT模塊失效開封方法介紹

IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module,絕緣柵雙極型晶體管模塊)是一種高性能的電力電子器件,廣泛應(yīng)用于高電壓、大電流的開關(guān)和控制場合。它結(jié)合了
2025-03-19 15:48:34807

IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級!

在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命,還關(guān)系到整個電力電子系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性
2025-03-18 10:14:051542

功耗對IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

在電力電子的廣闊領(lǐng)域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題,始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天,就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
2025-03-14 09:17:5232486

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象

IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時,其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管(FWD)從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
2025-03-13 14:39:283761

IGBT模塊:“我太難了”,老是炸毀?

研究,約34%的光伏電站可靠性問題由IGBT故障引發(fā)。IGBT模塊炸毀的核心原因搜索電氣過載:電壓與電流的“致命沖擊”過壓擊穿:電網(wǎng)電壓波動或線路寄生電感產(chǎn)生的尖
2025-03-09 11:21:044503

IGBT在中頻電源中常見的故障模式及解決方法

在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域,中頻電源應(yīng)用廣泛,而 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為中頻電源的核心器件,起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 IGBT 在中頻電源中的工作原理、關(guān)鍵作用,以及常見的故障模式及解決方法。
2025-03-03 14:16:392567

電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊

國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢,既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。
2025-03-01 10:13:481052

突發(fā)脈沖磁場對IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運(yùn)行,然而,關(guān)于磁場干擾(MFI)對其性能和可靠性的影響的研究較少,尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一種結(jié)合計(jì)算磁學(xué)方法和電路建模技術(shù)的混合方法
2025-02-25 09:54:451677

IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展

在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下,新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件,發(fā)揮著不可替代的作用。它究竟是如何助力新能源發(fā)展的呢?今天就帶大家深入了解。
2025-02-21 15:41:161872

IGBT模塊封裝中環(huán)氧樹脂技術(shù)的現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢探析

一、環(huán)氧樹脂在IGBT模塊封裝中的應(yīng)用現(xiàn)狀 1. **核心應(yīng)用場景與工藝** ? IGBT模塊封裝中,環(huán)氧樹脂主要通過灌封(Potting)和轉(zhuǎn)模成型(Molding)兩種工藝實(shí)現(xiàn)。 ? 灌封工藝
2025-02-17 11:32:1736477

IGBT的溫度監(jiān)控與安全運(yùn)行

總和 或Rthha1,2 = ΔTha ÷ 損耗1,2 模塊規(guī)格書給出: Rthjc per IGBT(每個IGBT開關(guān)) Rthjc per FWD(每個FWD開關(guān)) Rthch per IGBT
2025-02-14 11:30:5933074

BTP1521P解決IGBT模塊升級SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動電壓

SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢,使其成為電力電子應(yīng)用中的首選,推動了IGBT模塊向SiC模塊的升級趨勢。國產(chǎn)SiC模塊(如BASiC
2025-02-13 19:19:52950

高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-10 09:41:151009

高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-09 20:17:291126

SOT8052-1 IGBT模塊;托盤包裝;標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品導(dǎo)向

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8052-1 IGBT模塊;托盤包裝;標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品導(dǎo)向.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 14:29:440

SOT8053-1 IGBT模塊;托盤包裝;標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品導(dǎo)向

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8053-1 IGBT模塊;托盤包裝;標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品導(dǎo)向.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 14:22:320

儲能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

在儲能變流器(PCS)中,碳化硅(SiC)功率模塊全面取代傳統(tǒng)IGBT模塊的趨勢主要源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢、成本效益以及系統(tǒng)級性能提升。SiC模塊在PCS中取代IGBT的核心邏輯在于:高頻高效降低系統(tǒng)
2025-02-05 14:37:121188

車載終端安全檢測哪些內(nèi)容和方法

隨著車聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展,車載終端作為連接車輛與智能交通系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)備,其安全性日益受到關(guān)注。為了確保車載終端在各種環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行,且不會對車輛和乘客造成安全隱患,對其進(jìn)行全面的安全檢測顯得尤為重要。本文將深入探討車載終端安全檢測的內(nèi)容與方法
2025-01-30 15:12:001807

IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理

IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義: 1.對比不同的IGBT的參數(shù); 2.評估IGBT驅(qū)動板的功能和性能; 3.獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù),以評估Rgon
2025-01-28 15:44:008854

IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說明

IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù),如延時、上升、下降時間、開關(guān)損耗等; 2、通過實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002622

回流焊時光學(xué)檢測方法

回流焊時光學(xué)檢測方法主要依賴于自動光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)。以下是對回流焊時光學(xué)檢測方法的介紹: 一、AOI技術(shù)概述 AOI(Automated Optical Inspection)即自動光學(xué)檢測
2025-01-20 09:33:461451

IGBT模塊三電平電路故障時的關(guān)管順序

在1字形二極管鉗位三電平電路中,當(dāng)發(fā)生短路故障或過流故障時,傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是,檢測到故障的驅(qū)動器把故障信息傳遞給控制器,然后控制器先把外管關(guān)斷,再關(guān)斷內(nèi)管。
2025-01-17 11:06:303937

三菱電機(jī)開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品

三菱電機(jī)株式會社近日宣布,將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品,適用于太陽能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片,有助于降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)、儲能電池等電源系統(tǒng)中逆變器的功率損耗,提高逆變器的輸出功率。
2025-01-17 09:36:431116

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081125

IGBT模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效

背景:電力驅(qū)動的能效雖高,但電動汽車、數(shù)據(jù)中心、熱泵等應(yīng)用仍需大量能源運(yùn)行,因此提高能效至關(guān)重要。 技術(shù)原理:IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗、易
2025-01-16 10:47:24927

雙面散熱IGBT功率器件 | DOH 封裝工藝

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2025-01-11 06:32:432272

一文搞懂汽車電控IGBT模塊

想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對外宣布,歐盟27個成員國已經(jīng)初步達(dá)成一致,歐洲將于
2025-01-07 17:08:422542

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