氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)計(jì)過程的風(fēng)險(xiǎn)。
2020-10-28 06:59:27
關(guān)于 增強(qiáng)型PMOS管開啟電壓Vgs疑問 有以下三個(gè)問題，請(qǐng)教各位大神：1、如下圖：增強(qiáng)型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點(diǎn)幾伏）的時(shí)候才能導(dǎo)通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
文中，將回顧這三種方法，并分享直列式電機(jī)電流感應(yīng)使用增強(qiáng)型脈沖寬度調(diào)制（PWM）抑制的五大優(yōu)勢?！ ∪鐖D1所示，基本上有三種不同的方法來測量三相電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的電流：低側(cè)、直流鏈路和直列測量。圖1所示
2016-12-09 17:22:03
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管應(yīng)用電路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
理解，調(diào)整了松下X-GaN晶體管中晶格緩沖層的厚度，以限制p漏極與襯底的泄漏，旨在實(shí)現(xiàn)10年運(yùn)行時(shí)失效率小于0.1％（Vds = 480V和Tj = 100℃）?！ ∫虼?，HTRB測試是評(píng)估XGaN
2023-02-27 15:53:50
的熱量，需要更大的散熱器。不幸的是，這增加了系統(tǒng)成本、重量和解決方案總尺寸，這在空間受限的應(yīng)用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有優(yōu)于硅MOSFET的多種優(yōu)勢
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高，這種外部電感會(huì)導(dǎo)致接地反彈增加［4］?！ ?b class="flag-6" style="color: red">增強(qiáng)型氮化鎵晶體管采用晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 （WLCSP），端子采用焊盤柵格陣列 （LGA） 或球柵陣列 （BGA） 格式。其中一些器件不提供單獨(dú)
2023-02-24 15:15:04
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點(diǎn)；納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對(duì)于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
轉(zhuǎn)換器，將性能與兩種可比場景進(jìn)行了比較：第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作，第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級(jí)
2023-02-27 09:37:29
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟(jì)高效的替代品，并成為實(shí)現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關(guān)鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設(shè)計(jì)人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
增強(qiáng)型 GaN 晶體管的唯一已知方法（在撰寫本文時(shí)）是使用松下專利方法使用附加的 AlGaN 層。 這意味著涉及這種晶體管類型的任何創(chuàng)新都將依賴于松下，直到研究出其他方法為止。
GaN 器件的研究工作自
2023-08-21 17:06:18
閱讀更多的直列式電機(jī)電流感應(yīng)的信息。優(yōu)勢3：可能消除電隔離增強(qiáng)型PWM抑制的另一個(gè)優(yōu)勢很微妙，但又很重要。通過增強(qiáng)型PWM抑制，當(dāng)電流隔離并非系統(tǒng)所要求時(shí)，設(shè)計(jì)人員無需使用隔離的電流感應(yīng)設(shè)備?？蛻艚?jīng)常
2018-10-15 09:52:41
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
分為增強(qiáng)型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強(qiáng)型管在柵極（G）加上正向電壓時(shí)漏極（D）和源極（S）才能導(dǎo)通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44
場景1▲圖3：測試場景2測試結(jié)果1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號(hào)光滑無任何畸變；2.上管關(guān)斷瞬間負(fù)沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍；3.下管關(guān)斷瞬間引起的負(fù)沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全
2023-01-12 09:54:23
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
概述：SI4800雖然有8個(gè)腳，但卻不屬于集成電路，而屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)三極管，主要應(yīng)用在DC—DC變換器、直流電機(jī)控制、鋰離子電池應(yīng)用、筆記本個(gè)人電腦等場合。
2021-04-12 07:47:36
一般說明PW2202是硅N溝增強(qiáng)型vdmosfet，采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了傳導(dǎo)損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于系統(tǒng)的各種功率開關(guān)電路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（開）
2020-12-11 16:37:57
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
HEMT運(yùn)行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝，非常適合于。產(chǎn)品型號(hào): QPD1018產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率范圍：2.7
2019-07-17 13:58:50
HEMT運(yùn)行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝，非常適合于軍用雷達(dá)。?產(chǎn)品型號(hào): QPD1018產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率范圍
2018-07-27 09:06:34
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
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2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
SW1106 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。芯片集成有 700V 高壓啟動(dòng)電路、線電壓掉電檢測和 X 電容放電功能。SW1106 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)電壓
2023-03-28 10:31:57
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級(jí)別。產(chǎn)品型號(hào)：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
體積小、成本低的優(yōu)點(diǎn)，但是外圍元件較多，精度稍差些。模塊式變換器一般做成不可逆的專用變換器，通常將U/F和F/U設(shè)計(jì)成兩種獨(dú)立的模塊。其優(yōu)點(diǎn)是外圍元仵少，一般只有調(diào)零和調(diào)滿刻度的元件在集成塊的外面。本節(jié)以VFC100同步型U/F、F/U變換器和LMx31為例介紹U/F，F(xiàn)/U變換器。
2011-11-10 11:28:24
ZCS-PWM Buck變換器的工作原理是什么？與功率場效應(yīng)管(MOSFET)相比，絕緣柵雙極晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)？通過Saber仿真軟件對(duì)新型ZCS PWM Buck變換器進(jìn)行的仿真分析如何？
2021-04-07 07:02:40
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。 點(diǎn)擊鏈接進(jìn)入舊版 ：晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
2020-08-19 18:24:17
管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型
2021-01-05 22:38:36
本電路如下圖所示，它是由-1.5V電壓變換為120V電壓最好采用單端阻塞變壓器，因?yàn)榇藭r(shí)電壓的變化要較變壓器的變化高。其工作過程是，在晶體管流通電流期間內(nèi)變換器儲(chǔ)存能量，而在其截止期間內(nèi)通過二極管
2021-05-14 07:48:59
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
，該晶圓有望實(shí)現(xiàn)縱型FET。與碳化硅基的縱型MOS FET相比，在性能方面，縱型FET具有更高的潛力（下圖5）。與利用傳統(tǒng)的體塊式氮化鎵晶圓制成的芯片相比，實(shí)驗(yàn)制作的二極管的ON電阻值降低了50%，縱
2023-02-23 15:46:22
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型?！?雙極結(jié)型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時(shí)都在運(yùn)動(dòng)。雙極結(jié)型晶體管，又稱半導(dǎo)體三極管，是通過一定工藝將兩個(gè)PN結(jié)組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
電源和信號(hào)，一直是業(yè)界無法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_關(guān)速度太慢，而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器，導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
法，使用氨而不是更常見的氮來減少氮化鎵晶體管在高溫退火過程中的表面損傷（見圖4）。我們通過優(yōu)化離子能量、劑量、活化退火熱預(yù)算和金屬退火后熱預(yù)算，實(shí)現(xiàn)了注入?yún)^(qū)在良好歐姆接觸和方阻方面都有優(yōu)良的結(jié)果（見表2
2020-11-27 16:30:52
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
PWM信號(hào)流經(jīng)感應(yīng)電阻器時(shí)產(chǎn)生的噪聲進(jìn)行去耦。有了增強(qiáng)型PWM抑制后，不再需要這種去耦?！ ?優(yōu)化算法 利用增強(qiáng)型PWM抑制，復(fù)制或計(jì)算相電流的需求不再是問題，因?yàn)橐呀?jīng)直接提供了解決方案。只需最少
2020-12-24 17:34:32
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
摘要：為了適應(yīng)車載用電設(shè)備的需求，本文給出了一種高頻推挽DC-DC變換器設(shè)計(jì)方案。該方案采用推挽逆變-高頻變壓-全橋整流設(shè)計(jì)了24VDC輸入-220VDC輸出、額定逆變輸出功率600W
2018-09-29 16:43:21
導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管?！ 螛O型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管為例說明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成。 圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
本人在做雙半橋雙向變換器，當(dāng)變換器工作與BOOST狀態(tài)時(shí)，輸出電壓值總是打不到穩(wěn)態(tài)值。低壓側(cè)輸入電壓為24V，高壓側(cè)輸出電壓為100V，現(xiàn)在高壓側(cè)輸出電壓只有96V。不知道什么原因。跪求大俠解答，不勝感激。
2016-04-14 21:18:38
型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型
2019-05-08 09:26:37
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
。場效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
了一個(gè)采用降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的100V半橋評(píng)估板，如圖5所示，以協(xié)助電力電子設(shè)計(jì)人員?！ 〗Y(jié)論 要實(shí)現(xiàn)GaN功率級(jí)的真正優(yōu)勢，需要實(shí)施專門設(shè)計(jì)用于GaN晶體管的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器。因此，GaN可以被推到
2023-02-24 15:09:34
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
研究，不僅針對(duì)GaN器件LLC諧振變換器的基本拓?fù)浜驮矸治?，還詳細(xì)介紹了GaN器件對(duì)諧振變換器性能的提升。通過變換器模型根據(jù)諧振頻率對(duì)諧振電感和主變壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)，通過泰克示波器進(jìn)行磁性分析。方案配置
2020-11-18 06:30:50
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
低壓大電流直直變換器的設(shè)計(jì)推挽正激電路應(yīng)用于變換器有什么優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-21 06:21:35
求助：我想要一個(gè)輸入DC60~160V，輸出DC24V 或者15V的寬電壓變換器設(shè)計(jì)方案，謝謝
2015-08-14 19:55:32
第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇 驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅(qū)動(dòng)硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異?！ ◎?qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會(huì)消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600
V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決
方案。
通過導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場效應(yīng)
晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
。在這次活動(dòng)中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強(qiáng)氮化鎵(ICeGaN)技術(shù)，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術(shù)基于增強(qiáng)型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導(dǎo)通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-08-05 11:48:56
?！ os管在芯片中放大可以看到像一個(gè)“講臺(tái)”的三維結(jié)構(gòu)，晶體管是沒有電感、電阻這些容易產(chǎn)生熱量的器件的。最上面的一層是一個(gè)低電阻的電極，通過絕緣體與下面的平臺(tái)隔開，它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作
2020-07-07 11:36:10
ADI公司有沒有專門做LLC 諧振變換器的設(shè)計(jì)方案,如圖看一下，不知ADI公司有沒有這樣的方案，這方面的資料可以參考~~謝謝~~~附件13.jpg42.4 KB
2019-03-11 10:03:20
輸入信號(hào)4MHz,我想得到輸出幅度100V，4M的信號(hào)，想用運(yùn)放+晶體管搭建或者M(jìn)OS管，不知道可行不，急。 拜謝?。?之前本打算用PA98，它有100M的GBW,結(jié)果仿真的時(shí)候發(fā)現(xiàn)上了2M以上的信號(hào)，出來后就失真了……）
2015-11-05 19:56:46
輸入信號(hào)4MHz,我想得到輸出幅度100V，4M的信號(hào)，想用運(yùn)放+晶體管搭建或者M(jìn)OS管，不知道可行不，急。 拜謝?。?之前本打算用PA98，它有100M的GBW,結(jié)果仿真的時(shí)候發(fā)現(xiàn)上了2M以上的信號(hào)，出來后就失真了……）
2019-07-09 04:36:16
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機(jī)和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電，而是通過在兩個(gè)帶隙不同的半導(dǎo)體
2023-02-27 15:46:36
概述SW1106 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。芯片集成有 700V 高壓啟動(dòng)電路、線電壓掉電檢測和 X 電容放電功能。SW1106 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)
2023-03-28 10:24:46
晶體管開關(guān)變換器(buck)電路
如圖是晶體管開關(guān)變換器(BUCK)電路，其中晶體管Q為
2009-09-23 18:37:51
1904 
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432338 氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。 增強(qiáng)型氮化鎵(e
2012-06-06 13:56:31
0 互補(bǔ)增強(qiáng)型MOS晶體管-PHC2300
2023-02-27 18:27:170 已全部加載完成
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