功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開(kāi)關(guān)速度、更小的器件體積這個(gè)趨勢(shì)發(fā)展，而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板，很難有大幅提升的空間，因此基于氮化鎵（GaN）等第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的新型器件成為研發(fā)的重點(diǎn)，相關(guān)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)活動(dòng)也十分活躍。

EPC新近推出的EPC2218增強(qiáng)模式氮化鎵功率晶體管（eGaN FET）就是在這個(gè)大趨勢(shì)下應(yīng)運(yùn)而生的一款性能優(yōu)異的器件。

EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強(qiáng)型GaN FET，該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95mm，僅以鈍化芯片形式提供，帶有焊錫條。該器件的導(dǎo)通電阻僅有3.2mΩ，與前代eGaN FET相比降低了接近20%，顯著減少了功耗并提高了額定直流功率。

與硅基MOSFET相比，EPC2218的柵極電荷（QG）更小，并且沒(méi)有反向恢復(fù)電荷（QRR），因此可以實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功耗。

EPC2218非常適合于48 VOUT同步整流、D類音頻、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及自動(dòng)駕駛汽車、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的LiDAR的應(yīng)用。

器件特性

更高的開(kāi)關(guān)頻率：更低的開(kāi)關(guān)損耗和更低的驅(qū)動(dòng)功率

效率更高、傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗更低、反向恢復(fù)損耗為零

占板面積更小，功率更高

產(chǎn)品電氣特性

DC/DC轉(zhuǎn)換器

BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

AC/DC和DC/DC的同步整流

激光雷達(dá)/脈沖功率

負(fù)載點(diǎn) （POL） 轉(zhuǎn)換器

D類音頻

LED照明

責(zé)任編輯：haq