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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>集成650V E-GaN開關(guān)電源芯片U8722X介紹

集成650V E-GaN開關(guān)電源芯片U8722X介紹

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2019-11-22 15:16:322459

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2021-05-20 08:03:17

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開關(guān)電源芯片FSQ100電子資料

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2021-04-09 06:34:00

開關(guān)電源厚膜集成塊A5Q1265RF電子資料

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AH8669開關(guān)電源IC產(chǎn)品描述

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低成本5V開關(guān)電源芯片U6215應(yīng)用方案

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小家電開關(guān)電源芯片U3211的特性

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機(jī)頂盒和監(jiān)控常用開關(guān)電源芯片有哪些?

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求助,芯片耐壓650V做的buck電路夠不夠用?

650V耐壓的buck電路夠不夠用
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超高性能低成本電源芯片U321

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2018-12-07 10:16:11

銀聯(lián)寶開關(guān)電源芯片U3210征服小家電

,應(yīng)急燈、傳感器電源,燈帶等照明燈飾。U3210的功能介紹:① 集成650V高壓?jiǎn)?dòng)電器② 多模式控制、無(wú)異音工作③ 支持降壓和升降壓拓補(bǔ)④ 待機(jī)功耗低于50MV⑤ 良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率⑥ 集成
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友恩半導(dǎo)體U321電源開關(guān)芯片的風(fēng)情

我們來(lái)看看風(fēng)扇的紅人——友恩半導(dǎo)體U321電源開關(guān)芯片的風(fēng)情:電路簡(jiǎn)單,內(nèi)部集成高壓650V高壓?jiǎn)?dòng)MOSFET;在工作時(shí),無(wú)異音。集成 650V 高壓?jiǎn)?dòng)電路,多模式控制、無(wú)異音工作,支持降壓和升降壓拓?fù)洌J(rèn) 12V 輸出(FB 腳懸空)
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一款led開關(guān)電源芯片U6111.

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2020-08-16 10:19:374090

如何選擇安全穩(wěn)定的開關(guān)電源芯片?

的穩(wěn)定性以及使用壽命,選擇一款好的開關(guān)電源芯片可以很好的確保電子元器件的安全和穩(wěn)定。下面介紹一款安全性和穩(wěn)定性都極佳的一款常用8腳的開關(guān)電源芯片U6117SA。 12V輸出開關(guān)電源芯片常用8腳開關(guān)電源芯片U6117SA集成有多種保護(hù)功
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友恩U6113非隔離開關(guān)電源芯片有什么特點(diǎn)?

一下我們友恩U6113非隔離開關(guān)電源芯片有什么特點(diǎn)。 ? ? 友恩U6113開關(guān)電源芯片芯片特點(diǎn): 內(nèi)部集成550V高壓MOSFET ±4% 恒流精度 超低 VDD 工作電流 無(wú)需輔助繞組 集成式高壓電流源提高啟動(dòng)速度 集成式線電壓補(bǔ)償優(yōu)化調(diào)整率 集成式過熱功率補(bǔ)償 內(nèi)部保護(hù)功能: LED 開路和
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設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔的12v1A開關(guān)電源芯片U25136智能家居的功率器件、電容、可控硅以及繼電器等器件更多是根據(jù)控制器的方案而定,但質(zhì)量可靠、安全穩(wěn)定等性能必不可少。對(duì)于適配器應(yīng)用來(lái)說,開關(guān)電源芯片的功能升級(jí)
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開關(guān)電源芯片U6113介紹

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使用頻率的大幅度提升給智能手機(jī)的技術(shù)發(fā)展帶來(lái)了更高的要求,智能快充市場(chǎng)也隨之爆火。GaN給智能快充領(lǐng)域帶來(lái)了不少新機(jī)會(huì),同時(shí)也進(jìn)入了多個(gè)新的應(yīng)用場(chǎng)景。深圳銀聯(lián)寶科技新推出集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式PD 30W快速充電器芯片U8722,可以更好的提高充電效率!
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DIP7芯朋微PN8036非隔離AC-DC電源開關(guān)芯片12V500MA

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2024-03-21 10:19:400

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:40:130

650V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:41:300

650V 50m? 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:40:050

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 09:50:390

650V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 11:31:110

用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成650V GaN 半橋LMG2610數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 14:46:400

具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 10:40:570

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表

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2024-03-29 09:18:530

淺析半橋柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源芯片U5402的主要特點(diǎn)

開關(guān)電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有0.3A拉電流和1A灌電流能力,專用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFETs或IGBTs。
2024-04-18 17:13:002195

氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率

氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路
2024-05-08 14:22:501947

外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同,接下來(lái)會(huì)為小伙們?cè)敿?xì)講解下。
2024-05-21 15:50:342080

24W原邊GAN電源芯片方案U8607簡(jiǎn)化電源BOM

24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
2024-05-22 15:54:412026

德州儀器發(fā)布高性能650V GaN IPM,革新電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

德州儀器(TI)近日推出了一款具有劃時(shí)代意義的650V三相氮化鎵(GaN集成電源模塊(IPM)——DRV7308,專為250W電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能,為大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)的工程師們帶來(lái)了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457

開關(guān)電源芯片U7576的工作原理

開關(guān)電源芯片U7576是在原U7575的基礎(chǔ)上新增了X放電功能,以及輸入欠壓保護(hù)(BOP)功能,是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能電流模式PWM控制器。芯片集成有高壓?jiǎn)?dòng)電路,可以獲得快速啟動(dòng)和超低
2024-08-14 18:08:392061

簡(jiǎn)述開關(guān)電源芯片U8608的工作原理

開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.25V)。EMI
2024-08-21 18:14:402114

基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益

芯片U8722BAS,是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān),可以讓電源方案擁有更低的成本!電源芯片U8722BAS集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快
2024-08-30 12:14:231219

650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了Boost供電技術(shù),僅在SW管腳添加一顆貼片
2024-09-06 10:58:331696

汽車650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能

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2024-09-24 11:27:100

PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗

紋波更低,這樣就可以減小無(wú)源器件的尺寸,從而實(shí)現(xiàn)更平滑的電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN設(shè)計(jì)。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)
2024-11-01 08:05:31899

開關(guān)電源芯片U8607的主要特性

通。此模式是集DCM的優(yōu)點(diǎn)及大部分缺點(diǎn)于一起,只是把其中的一項(xiàng)缺點(diǎn)做了優(yōu)化從而變成了優(yōu)點(diǎn)。就是加了谷底檢測(cè)功能,改善MOS的開通損耗,從而改善效率。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是集成E-GaN的QR模式PSR反激功率開關(guān)電源芯片U8607!
2024-11-20 10:41:091158

45W氮化鎵電源IC U8722EE的簡(jiǎn)單介紹

推出氮化鎵電源IC U8722X系列以來(lái),用量急速上升,市場(chǎng)需求旺盛。今天特地給小伙伴們介紹U8722X系列中功率最大,推薦輸出功率45W的氮化鎵電源IC U8722EE!
2025-01-02 09:27:321119

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

快充電源芯片U876X的主要特性

快充電源芯片U876X產(chǎn)品型號(hào)有U8765/U8766,推薦最大輸出功率分別為65W/100W,集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。
2025-02-10 15:56:581280

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531194

TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36831

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57883

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05806

LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23728

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦

E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦
2025-04-03 16:20:08932

氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W

氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族,喜提“芯”成員——U8722FE,推薦最大輸出功率65W,集成MOS
2025-04-10 16:30:58667

5V2.1A開關(guān)電源芯片方案

5V2.1A電源方案推薦深圳銀聯(lián)寶科技的開關(guān)電源芯片U92143+同步整流芯片U7710,有興趣的小伙伴可以來(lái)電詢問詳細(xì)資料。今天簡(jiǎn)單介紹下!
2025-04-15 11:39:41985

45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269

應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn),為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案,今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269!快充電源芯片
2025-05-15 16:20:17587

全電壓!PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B

電源方案全電壓認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯!主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片
2025-05-22 15:41:26734

E-GaN電源芯片U8722FE產(chǎn)品概述

E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào),ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐壓700V,推薦功率60W,采用的是ESOP-7封裝。
2025-05-26 11:43:50647

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯(lián)/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進(jìn)行連接的橋梁。通過引腳,芯片可以與電路板上的其他組件進(jìn)行連接,構(gòu)成完整的電路。引腳用于為芯片
2025-05-29 16:19:11675

PD快充芯片U8722SP的工作原理

要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān),集成MOS耐壓700V,值得一試!
2025-06-03 17:44:46755

E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能

E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能Yinlianbao開關(guān)電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化,一旦溫度超過預(yù)設(shè)的安全閾值,便會(huì)觸發(fā)保護(hù)機(jī)制,如降低電流或切斷電源,以防
2025-06-19 16:31:37692

36W E-GaN快充電源IC U8609的作用

誤觸發(fā)過流保護(hù)機(jī)制?,F(xiàn)代電源芯片普遍將LEB功能與逐周期限流、退飽和保護(hù)等模塊集成,形成復(fù)合保護(hù)體系。一起來(lái)看看36W E-GaN快充電源ic U8609的前沿消隱是如何發(fā)揮作用的!
2025-06-26 16:14:26770

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器,從而減少了元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)??删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658

小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W

小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W小功率開關(guān)電源的效率是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)指標(biāo),它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率,可以選擇低損耗的開關(guān)管和電感,減小輸出端紋波
2025-07-10 16:15:36574

E-GaN電源芯片U8722BAS的特點(diǎn)

適用范圍。今天推薦的E-GaN電源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B,就是一款高效低耗的全電壓電源應(yīng)用方案,體驗(yàn)好,成本低!?
2025-07-22 13:05:32794

PD快充芯片U8722BH高效安全實(shí)現(xiàn)快速充電

理結(jié)構(gòu),以識(shí)別并匹配各種快充協(xié)議。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān),特別適應(yīng)于快速充電器及適配器上!
2025-07-24 16:14:03544

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成
2025-07-25 14:56:463992

氮化鎵電源芯片U8723AH產(chǎn)品介紹

氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U
2025-07-28 11:38:063811

德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47820

德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)深度解析

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38770

LMG3616 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù),適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器集成
2025-08-13 14:56:51759

LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻,以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動(dòng)器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-08-13 15:13:49777

5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案

電源適配器能將家庭用電的高電壓轉(zhuǎn)換成設(shè)備能工作的穩(wěn)定低電壓,確保設(shè)備正常運(yùn)行。除了電腦、手機(jī)、游戲機(jī),還廣泛配套于安防攝像頭、機(jī)頂盒、路由器、燈條、按摩儀等設(shè)備中。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是5-24V適配器E-GaN電源應(yīng)用方案:U8722DE+U7110W。
2025-08-18 16:29:43930

英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)產(chǎn)品介紹

CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片雙向開關(guān),憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì),正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434

東芝推出三款最新650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492082

開關(guān)電源芯片U872XAHG的主要特點(diǎn)

集成E-GaN技術(shù)的準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)U872XAHG,專為高功率密度應(yīng)用而生。采用先進(jìn)準(zhǔn)諧振控制方式,實(shí)現(xiàn)超低開關(guān)損耗與卓越能效;支持高達(dá)220kHz的開關(guān)頻率,大幅提升系統(tǒng)響應(yīng)速度與功率密度。
2025-11-07 16:26:341083

TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關(guān)的理想之選

TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計(jì)水平的關(guān)鍵。今天,我們就來(lái)深入
2025-12-29 14:45:1077

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