在半導(dǎo)體清洗過程中，作為取代 現(xiàn)有濕化學(xué)清洗液的新型濕式溶液，將臭氧溶解到純中，被稱為僅次于氟的強(qiáng)氧化劑，是PR去除工藝和雜質(zhì)清洗。這種臭氧水方式的濕洗完全不使用對環(huán)境有害的物質(zhì)，大大減少了純水
2022-03-16 11:53:15
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半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:571563 
多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:044575 
摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸?？紤]
2022-04-27 16:55:061992 
引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或
2022-07-07 17:16:445266 
本人5年工作經(jīng)驗，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對拋光、切割比較精通，使用過NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機(jī)會請與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
半導(dǎo)體晶片怎么定位？有傳感器可以定位嗎？
2013-06-08 21:18:01
(carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以電阻率 (resistivity) 來定義好壞，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；為此需動用多重離子交換樹脂、RO逆
2011-08-28 11:55:49
特性進(jìn)行更精確的分析氬離子拋光機(jī)可以實現(xiàn)平面拋光和截面研磨拋光這兩種形式：半導(dǎo)體芯片氬離子截面切割拋光后效果圖： 聚焦離子束FIB切割+SEM分析聚焦離子束FIB測試原理：聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)
2024-01-02 17:08:51
摘要：介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機(jī)理，論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細(xì)結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物半導(dǎo)體
2018-10-24 14:21:10
我在做一個臭氧發(fā)生器和負(fù)離子發(fā)生器，電路圖如左，上面大部分電阻沒標(biāo)功率，請問是1/4W嗎？急急急，313185070@qq.com
2012-08-27 08:22:59
的EBSD試樣首選電解拋光。電解拋光可以非常有效的去除表面的氧化層和應(yīng)力層。不同材質(zhì)電解拋光工藝不同，需要摸索合適的拋光劑，原始的拋光劑可以在文獻(xiàn)和一些工具書中找到，然后需要進(jìn)行大量的試驗，才能找到
2014-04-17 15:50:10
一臺松下TK7715電子離子水機(jī)，交流工作電壓110V，誤接220V上，初步檢查保險絲斷，交流變壓器可能也有問題了。請問二次變壓電壓是多少？誰有相關(guān)資料提供一下。謝謝。[此貼子已經(jīng)被作者于2009-12-11 11:47:06編輯過]
2009-12-11 11:45:53
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
下的光電流與三等效反應(yīng)下的半導(dǎo)體氧化有關(guān)，導(dǎo)致表面的溶解和粗糙化。在1.2M的鹽酸溶液中，由于氯氣離子的競爭氧化，n-GaN被穩(wěn)定為陽極分解。在草酸和檸檬酸的存在下，觀察到陽極光電流的增殖。在黑暗
2021-10-13 14:43:35
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
BOE 浴清洗 1 分鐘，然后用去離子水沖洗。將 100 nm 厚的聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) 膜（正性電子束抗蝕劑）以 1500 rpm 的速度旋涂 45 秒，然后在熱板上在 180 ℃下烘烤
2021-07-06 09:33:58
同一硅襯底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶體管。 制造方法概述 制作工藝順序硅制造（詳細(xì)內(nèi)容略）晶圓加工（詳細(xì)內(nèi)容略）光刻（詳細(xì)內(nèi)容略）氧化物生長和去除（詳細(xì)內(nèi)容略）擴(kuò)散和離子注入（詳細(xì)內(nèi)容略
2021-07-09 10:26:01
。
光刻則是在晶圓上“印刷”電路圖案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，類似于在晶圓表面繪制半導(dǎo)體制造所需的詳細(xì)平面圖。光刻的精細(xì)度直接影響到成品芯片的集成度，因此需要借助先進(jìn)的光刻技術(shù)來實現(xiàn)。
刻蝕目的是去除多余氧化膜，僅
2024-12-30 18:15:45
技術(shù)和表面拋光技術(shù)
這個示意圖可以看到，拋光時時晶圓朝下的，不是以為的晶圓朝上。
這章，基本上介紹了所有常用的工藝，每一個工藝都有詳細(xì)形象的示意圖介紹解釋，這是本書的一大特色有別于其他書籍的地方。通過這章對半導(dǎo)體加工工藝有了全面的了解。
2024-12-16 23:35:46
1.大學(xué)本科以上學(xué)歷，機(jī)械或電氣專業(yè)2.有5年以上在半導(dǎo)體芯片工廠基礎(chǔ)設(shè)施配置及維修經(jīng)驗3.有真空、壓縮空氣、氮氣及去離子水容量計算及設(shè)備選型方面的知識和經(jīng)驗4.氣體管線配置及設(shè)計的知識和經(jīng)驗，有
2012-12-19 22:44:42
眾所周知，半導(dǎo)體（IC）芯片是在一顆晶片上，歷經(jīng)數(shù)道及其細(xì)微的加工程序制造出來的，而這個過程就叫做工藝流程（Process Flow）。下列我們就來簡單介紹芯片生產(chǎn)工藝流程：芯片工藝流程目錄：一
2016-07-13 11:53:44
問個菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
water)。一則防止水中粉粒污染晶圓，二則防止水中重金屬離子，如鉀、鈉離子污染金氧半 (MOS) 晶體管結(jié)構(gòu)之帶電載子信道 (carrier channel)，影響半導(dǎo)體組件的工作特性。去離子水以
2020-09-23 14:55:06
工藝流程 半導(dǎo)體純水的工藝大致分成以下幾種： 1、采用離子交換方式，其流程如下：自來水→電動閥→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟化水器→中間水箱→低壓泵→精密過濾器→陽樹脂床→陰樹脂床→陰陽樹脂混合床
2013-08-12 16:52:42
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一個問題，自己沒辦法解決，所以想請教下。一個剛從氮氣包裝袋拿出來的晶圓片經(jīng)過去離子水洗過后，在強(qiáng)光照射下或者顯微鏡下觀察，片子表面出現(xiàn)一些顆粒殘留，無論怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
波紋1% -2%強(qiáng)迫風(fēng)冷或者水冷冷卻水質(zhì)：普通自來水即可，推薦去離子水；PH值：7-8，水壓0.1-0.25MP水溫3-33攝氏度負(fù)荷運(yùn)行：滿負(fù)荷24小時運(yùn)行，海拔1000米以上，降容使用。工作環(huán)境：環(huán)境溫度-10~40攝氏度，空氣相對溫度不大于90%`
2013-08-10 10:10:13
效果對比：拋光前：由于是用剪刀剪出來的鋰電池材料極片，所以截面上損傷層太大，根本無法看清鋰電池材料真實的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。拋光后：鋰電池材料極片經(jīng)過氬離子拋光后，截面上損傷層被去除，鋰電池材料真實的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2020-12-16 15:39:08
產(chǎn)品簡介：PMT-2液體激光粒子計數(shù)器去離子水粒子計數(shù)器，采用英國普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對清洗劑、半導(dǎo)體
2023-06-08 15:44:25
雙面拋光已成為硅晶片的主要后續(xù)加工方法，但由于需要嚴(yán)格的加工條件，很難獲得理想的超光滑表面。設(shè)計了硅片雙面拋光加工工藝新路線，并在新研制的雙面拋光機(jī)上對硅晶
2010-09-16 15:48:23
0 PCBA水清洗工藝是以水作為清洗介質(zhì)，可在水中添加少量（一般為2%～10%）表面活性劑、緩蝕劑等化學(xué)物質(zhì)，通過洗滌，經(jīng)多次純水或去離子水的源洗和干燥完成PCBA清洗的過程。
2019-12-26 11:35:3011037 1、將2.0±0.2L電導(dǎo)為（或低于）0.2us/m的去離子水或蒸餾水盛于箱體底部。
2020-03-16 16:39:40946 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:073584 
是借助于從單晶硅綻切割出薄的晶片而得到的。在切割之后，對晶片執(zhí)行研磨工序，以便使之具有均勻的厚度。然后對晶片進(jìn)行腐蝕以清除損傷并得到光滑的表面。常規(guī)半導(dǎo)體晶片成形工藝中的最終步驟是拋光步驟，以便在至少晶片的一個
2020-12-29 14:45:212674 通過對 Si ， CaAs ， Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 ， 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3950 。每個晶圓處理步驟都是潛在的污染源，每個步驟都有其特定類型的污染物。這意味著一個有效的清洗過程包括幾個清洗步驟，以去除晶體上的所有污染物。同時“絕對清潔”的行業(yè)要求擴(kuò)展到設(shè)備（臭氧發(fā)生器，接觸到的設(shè)備），這意味著不會產(chǎn)生顆粒，沒有金屬，離子或有機(jī)污染物。
2021-09-27 17:40:402225 近年來，在半導(dǎo)體工業(yè)中，逐漸確立了將臭氧運(yùn)用于晶圓清洗工藝中，這主要是利用了臭氧在水相中氧化有機(jī)污染物和金屬污染物的性能。
2021-09-27 17:39:033574 在半導(dǎo)體工業(yè)中， “絕對清潔”的要求擴(kuò)展到設(shè)備（臭氧發(fā)生器，接觸到的設(shè)備），這意味著不會產(chǎn)生顆粒，沒有金屬，離子或有機(jī)污染物。目前德國ANSEROS安索羅斯的臭氧發(fā)生器以及其他的臭氧處理系統(tǒng)已經(jīng)可以“絕對清潔”的要求。
2021-09-27 17:37:091147 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3646 和對水的高溶解度，它適合于IPA蒸汽工藝以完美地消除晶片表面的污染。該干燥系統(tǒng)還具有消除靜電的能力，基本上可以達(dá)到高質(zhì)量的表面清潔度。因此，我們采用直接測量靜電荷的定量方法，研究了靜電荷的去除機(jī)理。 從聚合物中去除靜電的機(jī)理
2022-01-14 15:53:222645 
它們已經(jīng)成為當(dāng)今晶片清潔應(yīng)用的主要工具之一。 本文重點研究了納米顆粒刷洗滌器清洗過程中的顆粒去除機(jī)理并研究了從氮化物基質(zhì)中去除平均尺寸為34nm的透明二氧化硅顆粒的方法。在洗滌器清洗后，檢查晶片上顆粒徑向表面濃度
2022-01-18 15:55:30984 
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng)，代替脫蠟器
2022-01-26 16:02:02905 
化學(xué)機(jī)械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學(xué)機(jī)械拋光被引入到平面化層間電介質(zhì)(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級互連的鑲嵌金屬布線中。該工藝適用于半導(dǎo)體加工中的銅、鎢和低
2022-01-27 11:39:131582 
能抵抗臭氧水和其他濕化學(xué)物質(zhì)的去除。電子自旋共振實驗也在不受嚴(yán)重金屬污染影響的情況下進(jìn)行了，表明存在羥基自由基，這被認(rèn)為是由臭氧與微氣泡坍塌時吸附在氣-水界面的氫氧化物離子相互作用形成的。
2022-01-27 15:55:141243 能抵抗臭氧水和其他濕化學(xué)物質(zhì)的去除。電子自旋共振實驗也在不受嚴(yán)重金屬污染影響的情況下進(jìn)行了，表明存在羥基自由基，這被認(rèn)為是由臭氧與微氣泡坍塌時吸附在氣-水界面的氫氧化物離子相互作用形成的。
2022-02-11 15:24:331216 
半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆粒或缺陷。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-02-22 13:47:512798 
半導(dǎo)體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個重要問題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產(chǎn)品損失的主要原因。我們開發(fā)了一種用于檢測半導(dǎo)體晶片上顆粒沉積的靈敏方法。該方法
2022-02-22 15:17:091630 
工藝使臭氧成為可能溶于去離子水或純水，無需使用硫酸或二氫氯酸，并顯著減少 RCA 清潔的步驟數(shù)。 實現(xiàn)單晶片濕法清潔的漸進(jìn)步驟 ? 如果要求是高濃度和高流動性，該技術(shù)可以應(yīng)對未來的挑戰(zhàn) 然而，當(dāng)考慮單晶片應(yīng)用時，可能不需要這樣的靈活性
2022-02-28 14:55:30859 
)和第二槽(138)中；晶片在第二槽(138)中處理后，將晶片從第二槽(138)中取出，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤狀態(tài)。在將晶片之一轉(zhuǎn)移到單個晶片清潔模塊150中的夾盤上的同時旋轉(zhuǎn)夾盤，同時將化學(xué)溶液施加到晶片上；將去離子水涂
2022-02-28 14:56:031771 
摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:461212 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:503354 
采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，在半導(dǎo)體工業(yè)中已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過程中，晶圓是當(dāng)被載體
2022-03-23 14:17:513072 
本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開發(fā)了擁有成本低的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒，僅經(jīng)過商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍超過200A。
2022-03-24 14:54:45871 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:561555 
面損傷有負(fù)面影響。近年來，它已被修改為加入更稀的溶液，以減少由氫氧化銨引起的表面微觀粗糙度。在本文中，提出了一種新思路，即使用去離子水快速傾倒沖洗 (QDR) 模式從對話設(shè)置轉(zhuǎn)變?yōu)楦倪M(jìn)模式。使用 DIW 進(jìn)行修改的修改配方可以在加工過程中完全去除顆粒。
2022-03-30 14:29:42816 
溶液中含有大量稀釋的鹽酸去離子水。清洗槽其下部的megaSonic發(fā)生器，用于選擇性 應(yīng)用megaSonic能量。油箱里有快速卸油閥底部使解決方案能夠被快速跟蹤轉(zhuǎn)儲通過一個或多個沖洗步驟，包括快速補(bǔ)充噴灑，然后傾倒漂洗水。
2022-03-31 14:58:561198 
在許多半導(dǎo)體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導(dǎo)體材料。 在半導(dǎo)體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發(fā)半導(dǎo)體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學(xué)物質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。
2022-04-01 14:25:334122 
在硅片上，并通過自旋沖洗和巨型清洗去除，顆粒滾動是硅晶片中變形亞微米顆粒的主要去除機(jī)理，超電子學(xué)提供了更大的流流速度，因為超薄的邊界層會產(chǎn)生更大的去除力，能夠完全去除受污染的粒子，為了去除顆粒，有必要了解接觸顆粒與接觸基底之間的附著力和變形。
2022-04-06 16:53:501787 
過程的內(nèi)在能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程，甚至來自圖案晶片，具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制，最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過計算施加給細(xì)顆粒的
2022-04-08 17:22:531958 
能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程，甚至來自圖案晶片，具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制，最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:421429 
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:431567 
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法，通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26856 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461416 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421659 
本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開發(fā)了擁有低成本的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒，僅經(jīng)過商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍超過200A。 DIO3代替脫蠟劑在8000a
2022-05-05 16:38:331440 
化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸。考慮了直徑
2022-05-07 15:48:382539 
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng)，代替脫蠟器
2022-05-07 15:49:261611 
本文提出了一種拋光硅片表面顆粒和有機(jī)污染物的清洗方法，非離子型表面活性劑可以有效地去除表面上的顆粒，因為它可以顯著降低液體的表面張力和界面張力，非離子型表面活性劑分子具有親水和疏水兩部分，實驗選擇了脂肪醇-聚氧乙烯醚作為一種非離子型表面活性劑，這種非離子表面活性劑不能被電離，因此不會帶來離子污染物。
2022-05-18 16:01:221978 
評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
引言 我們?nèi)A林科納描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關(guān)的新的成品率損失機(jī)制。在預(yù)金屬化濕法清洗過程中，含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化后殘留的Cu中產(chǎn)生空隙，導(dǎo)致受影響的陣列電路中
2022-06-16 16:51:103478 
溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來，與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機(jī)制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展，并為闡明顆粒粘附機(jī)制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:442382 
市場主流的可長脈沖寬度工作的半導(dǎo)體激光器脫毛產(chǎn)品主要有微通道和宏通道兩種。微通道模塊因散熱熱沉本身帶有微小的水通道，散熱效果較好，但同時對冷卻水質(zhì)要求較高，必須用去離子水、PP棉過濾并需要定期更換去離子水，否則容易造成散熱通道受阻
2022-11-29 15:02:562141 在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造
工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光硅等，并將其加工成晶片形狀的工藝（晶片制造
2023-02-20 16:13:411 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會去關(guān)注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:505227 
本文涉及一種用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝；晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室，安裝在艙內(nèi)側(cè)，包括通過加熱晶片激活晶片上殘存雜質(zhì)的加熱手段、通過將晶片上激活的雜質(zhì)吸入真空以使晶片上激活的雜質(zhì)排出外部的真空吸入部、以及通過向通過加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部
2023-04-23 10:22:021567 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:065889 
在半導(dǎo)體和太陽能電池制造過程中，清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù)，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液，會產(chǎn)生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問題。
2023-06-02 13:33:212934 
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:502009 
臭氧-去離子水 (O3 -DI) 工藝可以集成到臭氧 (O3) 具有工藝優(yōu)勢的各種水性應(yīng)用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 過氧化物混合物中過氧化氫的替代品，從而降低所用化學(xué)品的成本，同時將
2023-07-07 17:25:07798 超純水是經(jīng)過深度純化的水，除去水中所有礦物質(zhì)、顆粒、細(xì)菌、微生物和溶解的氣體。在芯片制造中也被稱為去離子水（DI Water），但實際上超純水和去離子水的標(biāo)準(zhǔn)并不完全相同，超純水是具有更高純度標(biāo)準(zhǔn)的去離子水。
2023-08-02 15:01:462590 [半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:342642 
寫在前面 本文將聚焦于半導(dǎo)體工藝這一關(guān)鍵領(lǐng)域。半導(dǎo)體工藝是半導(dǎo)體行業(yè)中的核心技術(shù)，它涵蓋了從原材料處理到最終產(chǎn)品制造的整個流程。 半導(dǎo)體制造流程包含幾個核心環(huán)節(jié)。首先，起始于晶圓準(zhǔn)備，選用硅晶片作為
2024-12-07 09:17:412210 
工藝都有其特定的目的和方法，以確保芯片的清潔度和質(zhì)量： 預(yù)處理工藝 去離子水預(yù)沖洗：芯片首先經(jīng)過去離子水的預(yù)沖洗，以去除表面的大顆粒雜質(zhì)和灰塵。這一步通常是初步的清潔，為后續(xù)的清洗工藝做準(zhǔn)備。 表面活性劑處理：有
2025-03-10 15:08:43857 工作臺工藝流程介紹 一、預(yù)清洗階段 初步?jīng)_洗 將晶圓放置在工作臺的支架上，使用去離子水（DI Water）進(jìn)行初步?jīng)_洗。這一步驟的目的是去除晶圓表面的一些較大顆粒雜質(zhì)和可溶性污染物。去離子水以一定的流量和壓力噴淋在晶圓表
2025-04-01 11:16:271009 法） RCA清洗是晶圓清洗的經(jīng)典工藝，分為兩個核心步驟（SC-1和SC-2），通過化學(xué)溶液去除有機(jī)物、金屬污染物和顆粒124： SC-1（APM溶液） 化學(xué)配比：氫氧化銨（NH?OH，28%）、過氧化氫（H?O?，30%）與去離子水（H?O）的比例為1:1:5。 溫度與時
2025-04-22 09:01:401289 半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水（H?O）的化學(xué)清洗工藝，主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點
2025-04-28 17:22:334240 污染物。 方法：濕法化學(xué)清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。 硅片拋光后清洗 目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續(xù)光刻精度。 方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序 光刻膠涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 去離子水清洗的核心目的在于有效去除物體表面的雜質(zhì)、離子及污染物，同時避免普通水中的電解質(zhì)對被清洗物的腐蝕與氧化，確保高精度工藝環(huán)境的純凈。這一過程不僅提升了產(chǎn)品質(zhì)量，還為后續(xù)加工步驟奠定了良好基礎(chǔ)
2025-07-14 13:11:301047 
浸泡的方式，用去離子水（DIWater）或其他溶劑清除晶圓表面的殘留物（如光刻膠碎片、蝕刻劑副產(chǎn)物、顆粒污染物等）。主要作用：確保前一道工序后的有害物質(zhì)被徹底去除
2025-08-04 14:53:231081 
去離子水沖洗是半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝步驟，其正確操作直接影響產(chǎn)品的潔凈度和性能。以下是標(biāo)準(zhǔn)化流程及注意事項：一、前期準(zhǔn)備設(shè)備檢查與校準(zhǔn)確保去離子水系統(tǒng)的電阻率≥18MΩ·cm（符合
2025-08-20 13:35:48803 
半導(dǎo)體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種，每種均針對特定類型的污染物設(shè)計，并通過化學(xué)反應(yīng)實現(xiàn)高效清潔：SC-1（堿性清洗液）成分組成：由氫氧化銨（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水
2025-09-11 11:19:131330 
清洗策略半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的污染物可分為四類：顆粒物（灰塵/碎屑）、有機(jī)殘留（光刻膠/油污）、金屬離子污染、氧化層。針對不同類型需采用差異化的解決方案：顆粒物清除
2025-10-09 13:40:46709 
于去除金屬離子污染物（如銅、鎳等）。它能與金屬形成可溶性配合物，并通過化學(xué)反應(yīng)剝離表面附著物。此外，在半導(dǎo)體清洗工藝中，氨水還參與氧化層的刻蝕反應(yīng)。 去離子水僅通過物理沖刷作用清除顆粒物或水溶性殘留物，缺乏化學(xué)反應(yīng)活
2025-10-20 11:15:41367 SPM（硫酸-過氧化氫混合液）清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝，主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技術(shù)要點：一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26393 
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