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通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;和RCA清洗步驟。
圖1是示出澆口蝕刻過程中過量生成的聚合物的圖。圖2a內(nèi)地圖2b為澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖。圖3是從設(shè)備方面說明感光膜去除方法的概要的圖，該方法將在Asher的工藝室內(nèi)進(jìn)行 。
更詳細(xì)地說，涉及一種在澆口蝕刻后能夠順利地去除聚合物和感光膜的方法，在半導(dǎo)體制造過程中，每一步都必須寫照相工藝。該照相工藝將感光劑均勻涂布在晶片上， 使用步進(jìn)器等曝光設(shè)備， 是指將蒙版或復(fù)制品上的圖案縮小投影曝光后，經(jīng)過顯影過程，形成所需二維圖案的感光膜的所有工序。在照相過程中形成圖案后， 使用感光膜作為掩膜，實(shí)施蝕刻或離子注入工程等，之后實(shí)施去除不必要的感光膜的工程，稱為感光膜去除。為了解決上述問題， 目的在于針對澆口蝕刻后生成的聚合物的特性，首先順暢地去除聚墨，從而提供一種能夠簡化感光膜去除工藝的感光膜去除方法。
為達(dá)到上述目的，在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;提供一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法，其特征是包括和RCA清洗步驟。由此，圍繞感光膜的聚合物被順利去除，從而使隨后的感光膜去除工藝得以簡化。在形成了小晶的下部結(jié)構(gòu)的硅基板的上部沉積了澆口氧化膜和澆口多晶硅后，利用照相工藝和蝕刻工藝形成澆口。
圖1
當(dāng)形成如上所述的澆口蝕刻后，如圖1所都市化的那樣，Si/Carbon系列聚合物將在澆口多晶硅)和感光膜周圍過多形成。后來，為了去除感光膜和澆口蝕刻過程中形成的聚合物，進(jìn)行了感光膜去除工藝。
圖2a
2b
圖2a至圖2b為澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖;首先，在門式蝕刻工藝結(jié)束后，晶片將被移送到亞舍的工藝室內(nèi)。此時，晶片被四個升降引腳在抬起的狀態(tài)下移送。然后， 在晶片安放在板上之前，即在被斜頂引腳抬起的情況下，進(jìn)行CF4+O2等離子體處理。這是因?yàn)樵谌コ泄饽r，放置晶片板的溫度為250℃， 因?yàn)槿绻麑⒕苯影卜旁诎迳?，聚合物就會發(fā)生硬化，從而給以后去除聚合物帶來困難。
根據(jù)澆口蝕刻后的感光膜去除方法，可以在RCA清洗前順利去除澆口蝕刻過程中大量產(chǎn)生的聚合物。只需1次RCA清潔就可以完全去除殘余聚合物。不僅可以簡化感光膜去除的工藝序列，而且可以縮短全工藝處理時間，此外， 可以防止清潔設(shè)備污染，因?yàn)榫酆衔餁埩粑餆o法完全去除感光膜而可能造成的污染，也可以防止聚合物殘留在晶片上。此外， 由于在RCA清潔時不需要使用化學(xué)滴管，因此可以減少化學(xué)物質(zhì)絲的用量，從而達(dá)到降低成本和防止環(huán)境污染的效果。
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;和RCA清洗步驟。
圖1是示出澆口蝕刻過程中過量生成的聚合物的圖。圖2a內(nèi)地圖2b為澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖。圖3是從設(shè)備方面說明感光膜去除方法的概要的圖，該方法將在Asher的工藝室內(nèi)進(jìn)行 。
更詳細(xì)地說，涉及一種在澆口蝕刻后能夠順利地去除聚合物和感光膜的方法，在半導(dǎo)體制造過程中，每一步都必須寫照相工藝。該照相工藝將感光劑均勻涂布在晶片上， 使用步進(jìn)器等曝光設(shè)備， 是指將蒙版或復(fù)制品上的圖案縮小投影曝光后，經(jīng)過顯影過程，形成所需二維圖案的感光膜的所有工序。在照相過程中形成圖案后， 使用感光膜作為掩膜，實(shí)施蝕刻或離子注入工程等，之后實(shí)施去除不必要的感光膜的工程，稱為感光膜去除。為了解決上述問題， 目的在于針對澆口蝕刻后生成的聚合物的特性，首先順暢地去除聚墨，從而提供一種能夠簡化感光膜去除工藝的感光膜去除方法。
為達(dá)到上述目的，在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;提供一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法，其特征是包括和RCA清洗步驟。由此，圍繞感光膜的聚合物被順利去除，從而使隨后的感光膜去除工藝得以簡化。在形成了小晶的下部結(jié)構(gòu)的硅基板的上部沉積了澆口氧化膜和澆口多晶硅后，利用照相工藝和蝕刻工藝形成澆口。
圖1
當(dāng)形成如上所述的澆口蝕刻后，如圖1所都市化的那樣，Si/Carbon系列聚合物將在澆口多晶硅)和感光膜周圍過多形成。后來，為了去除感光膜和澆口蝕刻過程中形成的聚合物，進(jìn)行了感光膜去除工藝。
圖2a
2b
圖2a至圖2b為澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖;首先，在門式蝕刻工藝結(jié)束后，晶片將被移送到亞舍的工藝室內(nèi)。此時，晶片被四個升降引腳在抬起的狀態(tài)下移送。然后， 在晶片安放在板上之前，即在被斜頂引腳抬起的情況下，進(jìn)行CF4+O2等離子體處理。這是因?yàn)樵谌コ泄饽r，放置晶片板的溫度為250℃， 因?yàn)槿绻麑⒕苯影卜旁诎迳?，聚合物就會發(fā)生硬化，從而給以后去除聚合物帶來困難。
根據(jù)澆口蝕刻后的感光膜去除方法，可以在RCA清洗前順利去除澆口蝕刻過程中大量產(chǎn)生的聚合物。只需1次RCA清潔就可以完全去除殘余聚合物。不僅可以簡化感光膜去除的工藝序列，而且可以縮短全工藝處理時間，此外， 可以防止清潔設(shè)備污染，因?yàn)榫酆衔餁埩粑餆o法完全去除感光膜而可能造成的污染，也可以防止聚合物殘留在晶片上。此外， 由于在RCA清潔時不需要使用化學(xué)滴管，因此可以減少化學(xué)物質(zhì)絲的用量，從而達(dá)到降低成本和防止環(huán)境污染的效果。
審核編輯：湯梓紅
工商網(wǎng)監(jiān)
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