chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體的制造工序介紹 干法刻蝕設(shè)備溫度控制原理

半導(dǎo)體的制造工序介紹 干法刻蝕設(shè)備溫度控制原理

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

如何對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體,已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性和強(qiáng)可控性而備受關(guān)注。本研究
2022-04-26 14:07:282863

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如,IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕干法刻蝕,等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:315641

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝:干法刻蝕

干法蝕刻中,氣體受高頻(主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz)激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下,其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:1615106

干法刻蝕在工藝制程中的分類介紹干法刻蝕關(guān)鍵因素研究)

濕法刻蝕由于精度較差,只適用于很粗糙的制程,但它還是有優(yōu)點(diǎn)的,比如價(jià)格便宜,適合批量處理,酸槽里可以一次浸泡25張硅片,所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室,還在用濕法做器件,芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來顯露表面缺陷(defect),腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:445856

干法刻蝕常用設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)

。常見的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP)、磁性中性線等離子體刻蝕機(jī)(NLD)、離子束刻蝕機(jī)(IBE),本文目的對(duì)各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析,以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-01-20 10:24:5616124

什么是刻蝕呢?干法刻蝕與濕法刻蝕又有何區(qū)別和聯(lián)系呢?

半導(dǎo)體加工工藝中,常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching),它們像倆兄弟一樣,一前一后的出現(xiàn),有著千絲萬縷的聯(lián)系,這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:585925

一文詳解干法刻蝕工藝

干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
2025-05-28 17:01:183199

半導(dǎo)體設(shè)備廠商,你知道多少?

過程中需要經(jīng)歷材料制備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機(jī)械研磨等多個(gè)工序,其中以光刻流程最為關(guān)鍵,***是半導(dǎo)體芯片制造中最精密復(fù)雜、難度最高、價(jià)格最昂貴的設(shè)備,是整個(gè)制造流程工藝先進(jìn)程度的重要指標(biāo)
2019-06-14 16:43:2830334

加速特征相關(guān)(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展

隨著ALD厚度的增加,SiN /基底界面處的孔形狀從方形變?yōu)閳A形,并且逐漸變小。在足夠的ALD厚度下,菱形孔的尖端可視度有限,這會(huì)導(dǎo)致較低的刻蝕速率且刻蝕保持圓形。
2021-11-15 14:34:302317

屹唐半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO進(jìn)展緩慢!干法去膠設(shè)備市占率全球第一,募資30億

所需晶圓加工設(shè)備研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體設(shè)備公司,主要產(chǎn)品包括干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備等,主要應(yīng)用于邏輯芯片、閃存芯片、DRAM芯片三大主流應(yīng)用領(lǐng)域。 截至2021年6月底,屹唐半導(dǎo)體產(chǎn)品全球累計(jì)裝機(jī)數(shù)量已超過3800臺(tái)
2023-02-25 01:09:0026672

比肩國際大廠,刻蝕設(shè)備會(huì)是率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的嗎?

的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中,都有所需的對(duì)應(yīng)設(shè)備,比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī),刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī),以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:483585

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢,濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247

6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)

鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等)20、 等離子去膠21、 DRIE (硅深槽刻蝕)、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測量24、 納米、微米臺(tái)階測量25、 電阻、方阻、電阻率測量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47

半導(dǎo)體刻蝕工藝

半導(dǎo)體刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23

半導(dǎo)體塑封設(shè)備

本人小白,最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線,主要是小型貼片器件封裝,例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到,能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息,以及這些設(shè)備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家,在此先行感謝!
2022-01-22 12:26:47

半導(dǎo)體失效分析項(xiàng)目介紹

半導(dǎo)體失效分析項(xiàng)目介紹,主要包括點(diǎn)針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測,缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測試驗(yàn)。
2020-11-26 13:58:28

半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器如何建模?

哪位大神可以詳細(xì)介紹一下半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器的建模、仿真與實(shí)驗(yàn)
2021-04-07 06:42:55

半導(dǎo)體景氣關(guān)鍵指標(biāo)下滑 半導(dǎo)體設(shè)備大廠首當(dāng)其沖

半導(dǎo)體景氣關(guān)鍵指標(biāo)北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接單出貨比(B/B值),8月雖站上五個(gè)月來新高達(dá)1.06,但國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)警未來幾個(gè)月將下滑,國際一線半導(dǎo)體設(shè)備大廠營運(yùn)首當(dāng)其沖?! 
2015-11-27 17:53:59

半導(dǎo)體濕法腐蝕設(shè)備

蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08

半導(dǎo)體的熱管理解析

功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列,可以幫助客戶可靠地監(jiān)測半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50

半導(dǎo)體制造

制造半導(dǎo)體器件時(shí),為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體,使之導(dǎo)電性極差,然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性?
2012-07-11 20:23:15

半導(dǎo)體制造的難點(diǎn)匯總

以及降低成本。由于半導(dǎo)體制造的工藝性涉及多個(gè)行業(yè),專門從事供應(yīng)的行業(yè)發(fā)展起來以提供硅片制造需要的化學(xué)材料和設(shè)備。眾多高技術(shù)公司于20世紀(jì)60年代成立:1968年,成立英特爾公司。1969年,成立AMD。20
2020-09-02 18:02:47

SPC在半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用

過程與機(jī)臺(tái),以提高良率和總體設(shè)備效能。而統(tǒng)計(jì)過程控制(Statistical Process Control,SPC)是目前國內(nèi)外發(fā)展APC最常用的一種技術(shù),本文將主要論述SPC在半導(dǎo)體晶圓制造
2018-08-29 10:28:14

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 基板的表面處理

表面的預(yù)處理 治療2.2 GaN襯底的CMP處理2.3 GaN襯底的ICP干法刻蝕2.4 表面處理后的表面和次表面評(píng)估3. 結(jié)果和討論3.1 GaN襯底的CMP處理3.2 GaN襯底的ICP干法刻蝕
2021-07-07 10:26:01

【「大話芯片制造」閱讀體驗(yàn)】+ 半導(dǎo)體工廠建設(shè)要求

是工廠的排氣系統(tǒng);半導(dǎo)體制造和檢驗(yàn)過程中使用多種藥液和氣體,也會(huì)產(chǎn)生大量的污水和有害氣體,如圖1-1所示,污水處理設(shè)施、廢液儲(chǔ)存罐、廢氣處理設(shè)施也是半導(dǎo)體工廠的標(biāo)配。 通過閱讀此章了解了半導(dǎo)體工廠建設(shè)所需要的條件和設(shè)備,對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求。
2024-12-29 17:52:51

【「大話芯片制造」閱讀體驗(yàn)】+ 芯片制造過程和生產(chǎn)工藝

保留半導(dǎo)體電路圖。這一步驟需要借助液體、氣體或等離子體等物質(zhì),通過濕法刻蝕干法刻蝕等方法,精確去除選定的多余部分。 薄膜沉積將含有特定分子或原子單元的薄膜材料,通過一系列技術(shù)手段,如化學(xué)氣相沉積
2024-12-30 18:15:45

【「大話芯片制造」閱讀體驗(yàn)】+跟著本書”參觀“半導(dǎo)體工廠

還提到了占用空間比較大的居然是停車場。 然后介紹了擴(kuò)擴(kuò)散工藝,提到了無塵室是半導(dǎo)體工廠的心臟。 接著介紹了晶圓檢驗(yàn)工藝 接著介紹了封裝和檢驗(yàn)工藝 屬于后道工序制造 然后介紹
2024-12-16 22:47:55

【新加坡】知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管!

新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管!此職位為內(nèi)部推薦,深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com,我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25

【轉(zhuǎn)帖】干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)和過程

蒸發(fā),所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20

主流的射頻半導(dǎo)體制造工藝介紹

1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49

關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備

想問一下,半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺(tái)有沒有用到,具體要求是那些,
2024-03-08 17:04:59

列數(shù)芯片制造所需設(shè)備

芯片是未來眾多高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的食糧,芯片設(shè)計(jì)制造技術(shù)成為世界主要大國競爭的最重要領(lǐng)域之一。而芯片生產(chǎn)設(shè)備又為芯片大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ),因此更是整個(gè)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)金字塔頂端的尖尖。下面是小編帶領(lǐng)大家
2018-09-03 09:31:49

單片機(jī)晶圓制造工藝及設(shè)備詳解

今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備,滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22

基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng),總結(jié)的太棒了

基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng),總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22

如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)?

如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)?
2021-12-23 06:07:59

想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)

{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05

振奮!中微半導(dǎo)體國產(chǎn)5納米刻蝕機(jī)助力中國芯

形成電路,而“濕法”刻蝕(使用化學(xué)浴)主要用于清潔晶圓。 干法刻蝕半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前,晶圓上會(huì)涂上一層光刻膠或硬掩膜(通常是氧化物或氮化物),然后在光刻時(shí)將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11

有需要半導(dǎo)體設(shè)備的嗎

蘇州晶淼有限公司專業(yè)制作半導(dǎo)體設(shè)備、LED清洗腐蝕設(shè)備、硅片清洗、酸洗設(shè)備等王經(jīng)理***/13771786452
2016-07-20 11:58:26

維信諾集團(tuán)~誠聘工程師

面表達(dá)能力,可以使用英語或日語或者韓語進(jìn)行溝通者佳;4. 優(yōu)先考慮具有3年及以上干法刻蝕經(jīng)驗(yàn)工藝工程師;5. 熟悉TFT原理及制造工藝流程;6. 有設(shè)備評(píng)估經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先,有設(shè)備安裝調(diào)試經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。四、實(shí)驗(yàn)
2017-02-04 10:04:52

蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司招賢納士

、具有半導(dǎo)體器件工藝開發(fā)工作經(jīng)歷,3年以上工作經(jīng)驗(yàn),4、具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神和進(jìn)取精神三、半導(dǎo)體刻蝕工藝工程師職責(zé)描述:1、 獨(dú)立負(fù)責(zé)干法、濕法刻蝕工藝,進(jìn)行刻蝕工藝菜單的調(diào)試; 2、優(yōu)化干法刻蝕、濕法
2016-10-26 17:05:04

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

請(qǐng)問怎么單片機(jī)怎么控制半導(dǎo)體片的電流方向?

畢業(yè)設(shè)計(jì)的要求是用單片機(jī)設(shè)計(jì)一個(gè)溫度測量電路,通過測量得到的溫度控制半導(dǎo)體片的電流方向,從而達(dá)到控制兩面的溫度!這個(gè)要怎么做,求大神
2020-03-25 00:26:51

釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)

Microstructures在SEMICON China期間推出了干法刻蝕模塊與氧化物釋放技術(shù),該技術(shù)為MEMS器件設(shè)計(jì)師提供了更多的生產(chǎn)選擇,同時(shí)帶來了寬泛的制造工藝窗口,從而使良率得到了提升。麥|斯
2013-11-04 11:51:00

高溫磷酸刻蝕設(shè)備_高精度全自動(dòng)

 一、設(shè)備概述高溫磷酸刻蝕設(shè)備半導(dǎo)體制造中用于各向異性刻蝕的關(guān)鍵設(shè)備,通過高溫磷酸溶液與半導(dǎo)體材料(如硅片、氮化硅膜)的化學(xué)反應(yīng),實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的材料去除。其核心優(yōu)勢在于納米級(jí)刻蝕精度和均勻
2025-06-06 14:38:13

#MEMS與微系統(tǒng) 體微加工技術(shù)—干法刻蝕設(shè)備與應(yīng)用

刻蝕
電子技術(shù)那些事兒發(fā)布于 2022-10-13 21:20:40

#硬聲創(chuàng)作季 #集成電路 集成電路制造工藝-04.3干法刻蝕-干法刻蝕

工藝制造工藝刻蝕
水管工發(fā)布于 2022-10-17 20:09:24

釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)

釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)   濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝,總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:321341

干法刻蝕原理

干法刻蝕原理 刻蝕作用:去除邊緣PN結(jié),防止上下短路。干法刻蝕原理:利用高頻輝光放電反應(yīng),使CF4氣體激活成活性粒子,這些活性
2010-07-18 11:28:206853

[10.3.1]--干法刻蝕

集成電路制造集成電路工藝
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-11-24 20:46:32

射頻源控制信號(hào)模擬器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

  熟悉微電子工藝設(shè)備的人都知道,射頻源(RFGENERATER)是半導(dǎo)體工藝不可缺少的設(shè)備,其主要應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備。其原理是刻蝕氣體(主要是F基和C1基的氣體)通過氣體流量控制
2016-05-27 15:17:072282

半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒

半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒
2017-03-19 11:28:162

應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

目前市場上,一臺(tái)新的干法刻蝕設(shè)備使用的射頻源售價(jià)大概在1萬美金左右,而維修一臺(tái)射頻源的費(fèi)用一般也要1萬元人民幣以上,可見其費(fèi)用相當(dāng)昂貴。本著節(jié)約成木的原則,本單位對(duì)在使用中出現(xiàn)故障的射頻源進(jìn)行自主
2018-06-08 09:19:009541

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為全球范圍內(nèi)最大的后道工序市場

日前,《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月3日,半導(dǎo)體制造設(shè)備業(yè)界團(tuán)體、國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)宣布,中國半導(dǎo)體后道工序使用的封裝設(shè)備和材料的市場規(guī)模2017年同比增長23.4%,達(dá)到
2018-04-16 13:34:00948

盤點(diǎn)半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料

半導(dǎo)體設(shè)備和材料處于產(chǎn)業(yè)鏈的上游,是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料應(yīng)用于集成電路、LED等多個(gè)領(lǐng)域,其中以集成電路的占比和技術(shù)難度最高。 01IC制造工藝流程及其所需設(shè)備和材料 半導(dǎo)體產(chǎn)品
2018-10-13 18:28:015731

兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕

反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征)。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子??偟膩碚f,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2772478

GaN材料干法刻蝕工藝在器件工藝中有著廣泛的應(yīng)用

形貌。在優(yōu)化后的刻蝕工藝條件下GaN材料刻蝕速率達(dá)到340nm/min,側(cè)墻傾斜度大于8O。且刻蝕表均方根粗糙度小于3nm。對(duì)引起干法刻蝕損傷的因索進(jìn)行了討論,并介紹了幾種減小刻蝕損傷的方法。 氮化鎵(GaN
2020-12-29 14:39:294598

干法刻蝕之鋁刻蝕介紹,它的原理是怎樣的

在集成電路的制造過程中,刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分,刻蝕可以分為濕法刻蝕干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕;后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:5811752

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要:簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對(duì)SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于各種場合,近年來其應(yīng)用領(lǐng)域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:1110663

關(guān)于半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備的應(yīng)用介紹

半導(dǎo)體制造是人類迄今為止掌握的工業(yè)技術(shù)難度最高的生產(chǎn)環(huán)節(jié),是先進(jìn)制造領(lǐng)域皇冠上的一顆鉆石。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展,芯片線寬尺寸不斷減小,制造工序逐漸復(fù)雜。目前國際上7 nm制程已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,需要
2021-11-17 16:31:454322

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間,從邊緣控制蝕刻,蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動(dòng)力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴(kuò)展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:463260

干法刻蝕工藝介紹

刻蝕半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316

干法刻蝕解決RIE中無法得到高深寬比結(jié)構(gòu)或陡直壁問題

在 MEMS 制造工藝中,常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive lon Etching, RIE)、深反應(yīng)離子刻蝕(Deep Reactive lon Etching, DRIE) 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:156878

干法刻蝕和清洗(Dry Etch and Cleaning)

干法刻蝕工藝流程為,將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室,待壓力穩(wěn)定后,利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體;受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基,并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:199999

濕法刻蝕和清洗(Wet Etch and Cleaning)

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:1819992

電子封裝原理與技術(shù) 芯片制造的挑戰(zhàn)

目前制作硅通孔的主要手段有濕法刻蝕,激光加工和干法刻蝕(深反應(yīng)離子刻蝕, DRIE )三種。
2022-12-07 11:26:20736

濕法和干法刻蝕圖形化的刻蝕過程討論

刻蝕是移除晶圓表面材料,達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:354217

BJCORE半導(dǎo)體劃片機(jī)設(shè)備——封裝的八道工序

半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造過程主要包括前道晶圓制造和后道封裝測試,隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的浸透,呈現(xiàn)了介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié),稱為中道)。半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多,在制造過程中需求大量的半導(dǎo)體設(shè)備。在這里
2023-03-27 09:43:571644

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此,氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量,它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束,蝕刻過程是絕對(duì)
2023-06-20 09:48:569250

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角),刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕,因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法,刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng),從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:103193

ALD是什么?半導(dǎo)體制造的基本流程

半導(dǎo)體制造過程中,每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個(gè)制造過程中最為重要的部分,它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術(shù)難點(diǎn)多,操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:556657

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝,刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:469786

北方華創(chuàng):12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

半導(dǎo)體工程裝備、北方華創(chuàng)的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心技術(shù)裝備,廣泛應(yīng)用邏輯部件,存儲(chǔ)半導(dǎo)體零部件、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、新型顯示、新能源,襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:191627

北方華創(chuàng)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

9月17日,北方華創(chuàng)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺(tái)國產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息,目前已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其優(yōu)秀的工藝均勻性、穩(wěn)定性贏得客戶高度評(píng)價(jià)。
2023-09-20 10:09:492728

干法刻蝕與濕法刻蝕各有什么利弊?

半導(dǎo)體制造中,刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕,這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢,也各有一定的局限性,理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:0010327

工信部就干法刻蝕設(shè)備測試方法等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)公開征集意見

據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息,工信部公開征集了《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造干法刻蝕設(shè)備測試方法》等196個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版、38個(gè)推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目的意見。
2023-11-16 17:04:491972

等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用,或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。
2024-04-12 11:41:568872

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)之干法刻蝕工藝詳解

今天我們要一起揭開一個(gè)隱藏在現(xiàn)代電子設(shè)備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場對(duì)微觀世界的深入探秘,更是一次對(duì)半導(dǎo)體芯片制造藝術(shù)的奇妙之旅。
2024-08-26 10:13:574403

半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù),其中包括離子束刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕(ECR)和電感耦合等離子體刻蝕(ICP)。
2024-10-18 15:20:413338

為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕

本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕,除了低溫難道還有高溫嗎?等離子體的溫度?? ? 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài),并不是只有半導(dǎo)體制造或工業(yè)領(lǐng)域中才會(huì)有等離子體
2024-11-16 12:53:531560

干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

? ? ? 本文介紹干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些?各有什么作用? 1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度 晶圓表面溫度控制刻蝕表面的化學(xué)反應(yīng)速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性 溫度
2024-12-02 09:56:432897

晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響

本文介紹晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響 表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會(huì)在表面沉積
2024-12-03 10:48:311982

干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

本文介紹干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。 什么是側(cè)壁彎曲? 如上圖,是典型的干法刻蝕時(shí),側(cè)壁彎曲的樣子,側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的,角度接近 90°。 ?什么原因?qū)е铝藗?cè)壁
2024-12-03 11:00:011609

芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕 利用等離子體將不要的材料去除。 ②濕法刻蝕 利用腐蝕性
2024-12-06 11:13:583353

半導(dǎo)體濕法刻蝕設(shè)備加熱器的作用

我們的主題,來給大家講講:半導(dǎo)體濕法刻蝕設(shè)備加熱器到底有什么用?作為核心部件的加熱器相信大家懂的,為了更容易讓大家明白與了解。我們總結(jié)了以下幾點(diǎn)內(nèi)容: 保持恒定刻蝕溫度:在半導(dǎo)體集成電路制造的槽式濕法刻蝕
2024-12-13 14:00:311610

芯片制造中的濕法刻蝕干法刻蝕

在芯片制造過程中的各工藝站點(diǎn),有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點(diǎn)殘留物去除掉,“刻蝕
2024-12-16 15:03:062431

干法刻蝕時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過程,其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中,離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側(cè)壁的不同位置存在差異,那么
2024-12-17 11:13:121469

半導(dǎo)體濕法和干法刻蝕

什么是刻蝕?刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對(duì)材料進(jìn)行選擇性的去除,從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟,自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在,在微電子學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域
2024-12-20 16:03:161651

半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理

)與半導(dǎo)體材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成可溶性產(chǎn)物。這些產(chǎn)物隨后被溶解在刻蝕液中,從而實(shí)現(xiàn)材料的去除。 刻蝕速率的控制刻蝕速率由反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和溶液中反應(yīng)物質(zhì)的濃度決定。通過控制刻蝕劑的成分、濃度和溫度,可以精確控制刻蝕速率
2025-01-02 13:49:321181

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅(SiC)作為一種高性能材料,在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中,基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用,本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
2025-01-22 10:59:232668

半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝:濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)解析

刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層,具體而言,是通過物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452203

半導(dǎo)體boe刻蝕技術(shù)介紹

半導(dǎo)體BOE(Buffered Oxide Etchant,緩沖氧化物蝕刻液)刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝,尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516

半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝,廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063902

干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝,其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些評(píng)價(jià)參數(shù)呢?
2025-07-07 11:21:571625

MEMS制造中玻璃的刻蝕方法

在MEMS中,玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性(如與硅陽極鍵合),常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝,需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法,玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011491

臺(tái)階儀在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用 | 精準(zhǔn)監(jiān)測溝槽刻蝕工藝的臺(tái)階高度

半導(dǎo)體制造中,溝槽刻蝕工藝的臺(tái)階高度直接影響器件性能。臺(tái)階儀作為接觸式表面形貌測量核心設(shè)備,通過精準(zhǔn)監(jiān)測溝槽刻蝕形成的臺(tái)階參數(shù)(如臺(tái)階高度、表面粗糙度),為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費(fèi)
2025-08-01 18:02:17845

濕法刻蝕sc2工藝應(yīng)用是什么

濕法刻蝕SC2工藝在半導(dǎo)體制造及相關(guān)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用,以下是其主要應(yīng)用場景和優(yōu)勢:材料選擇性去除與表面平整化功能描述:通過精確控制化學(xué)溶液的組成,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)特定材料的選擇性去除。例如,它能
2025-08-06 11:19:181198

已全部加載完成