干法刻蝕在工藝制程中的分類介紹（干法刻蝕關(guān)鍵因素研究）

刻蝕技術(shù)總述

在20世紀(jì)60年代后期，濕法刻蝕曾經(jīng)是低成本集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)。半導(dǎo)體工藝制程及芯片性能的不斷迭代不斷提升，隨著制程進(jìn)入六次微米級(jí)，基于化學(xué)反應(yīng)的濕法刻蝕，已經(jīng)跟不上芯片的精度要求了，邏輯電路自然不用說，關(guān)鍵層需要納米級(jí)的精密刻蝕，即便像DRAM之類相對(duì)粗糙的存儲(chǔ)芯片，要刻出里面又窄又深的電容溝槽，也需要方向感極強(qiáng)的雕刻方法，這就是干法刻蝕。濕法用的是液體，干法用的是氣體。

濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。

干法刻蝕因?yàn)樗姆较蛐院?，氣體配比和射頻電源，也能實(shí)現(xiàn)更精密的調(diào)控，在主流的芯片制程中，超過90%的芯片刻蝕都是干法。

拋開技術(shù)的復(fù)雜程度不談，干法的缺點(diǎn)主要有倆個(gè)，一個(gè)是貴，一個(gè)是慢。一臺(tái)進(jìn)口刻蝕機(jī)的價(jià)格，數(shù)百萬美元，那比***是便宜多了，但是不同介質(zhì)的刻蝕，需要買不同的刻蝕機(jī)，而且工藝中，刻蝕的時(shí)長(zhǎng)遠(yuǎn)超光刻，因此產(chǎn)線上，一臺(tái)***，要配多臺(tái)刻蝕機(jī)，按照設(shè)備總成本來計(jì)算，兩者的開銷差不多。

今天我們主要展開講干法刻蝕在工藝制程中的具體分類及反應(yīng)氣體。

干法刻蝕簡(jiǎn)述

芯片廠每天消耗很多特種氣體，其中很大一部分就用于刻蝕。這些氣體在精確配比后，被通入反應(yīng)腔內(nèi)，再用電容或電感耦合的方式，讓氣體完全或部分電離，形成等離子或離子束，經(jīng)過電場(chǎng)加速，射向硅片進(jìn)行刻蝕，這是一種兼具物理與化學(xué)屬性的雕刻方式。

如果側(cè)重化學(xué)攻擊，可以通入更多氟碳類氣體，犧牲一些方向性來達(dá)到更好的選擇比；

如果側(cè)重物理攻擊，就通入更多惰性氣體，比如氬氣，主要用高能粒子濺射硅片，確保縱向刻蝕，但缺點(diǎn)是選擇比較低，容易不分?jǐn)澄?，上下層一起穿透?/p>

所以干法刻蝕設(shè)備，一般會(huì)配備終點(diǎn)檢測(cè)功能，盡量避免過度刻蝕，或者更保險(xiǎn)一點(diǎn)，我們?cè)谛酒?，先額外沉積一層氮化硅之類的物質(zhì)用來作為停止層。這里提到的沉積，是光刻與刻蝕之外，芯片制造的第三個(gè)重要工藝，這三者通?；ハ嚓P(guān)聯(lián)。

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

主要有三種類型的干法蝕刻：

? 物理干法蝕刻：加速粒子對(duì)晶圓表面的物理磨損

? 化學(xué)干法蝕刻：氣體與晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)

? 化學(xué)物理干法蝕刻：具有化學(xué)特性的物理蝕刻工藝

物理性刻蝕

物理性刻蝕是利用輝光放電將氣體，如Ar氣電離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被刻蝕物的表面，而將被刻蝕物的原子擊出、濺射，該過程完全是物理上的能量轉(zhuǎn)移。

物理性刻蝕可進(jìn)一步分為：濺射刻蝕和離子束蝕刻。

濺射刻蝕：利用等離子體中的離子或高能原子對(duì)襯底進(jìn)行轟擊，濺射出襯底原子，形成掩蔽膜圖形。

離子束銑蝕：利用高能離子束對(duì)襯底進(jìn)行轟擊，撞擊出襯底原子，形成掩蔽膜圖形。

離子束蝕刻

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對(duì)各向異性的。選擇性低，因?yàn)槠鋵?duì)各個(gè)層沒有差異。氣體和被打磨出的材料被真空泵排出，但是，由于反應(yīng)產(chǎn)物不是氣態(tài)的，顆粒會(huì)沉積在晶片或室壁上。

為避免顆粒，將第二種氣體引入腔室。該氣體與氬離子發(fā)生反應(yīng)并引起物理化學(xué)蝕刻過程。部分氣體與表面反應(yīng)，但也與打磨出的顆粒反應(yīng)形成氣態(tài)副產(chǎn)物。幾乎所有材料都可以用這種方法蝕刻。由于垂直輻射，垂直壁上的磨損非常低（高各向異性）。然而，由于低選擇性和低蝕刻速率，該工藝在當(dāng)今的半導(dǎo)體制造中很少使用。

特點(diǎn)：具有非常好的方向性，可獲得接近垂直的刻蝕輪廓。但是由于離子是全面均勻地濺射在芯片上，光刻膠和被刻蝕材料同時(shí)被刻蝕，造成刻蝕選擇比差。同時(shí)，被擊出的物質(zhì)大多為不易揮發(fā)的物質(zhì)，這些物質(zhì)容易二次沉積在被刻蝕薄膜的表面及側(cè)壁。因此，在超大規(guī)模集成電路制作工藝中，很少使用完全物理方式的干法刻蝕方法。

化學(xué)性刻蝕

化學(xué)性刻蝕（等離子體刻蝕Plasma Etching PE）就需要化學(xué)清洗，化學(xué)性刻蝕是一種利用化學(xué)反應(yīng)去除材料表面的工藝，但是每次刻蝕之后，都需要對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行清洗和除去殘留物，化學(xué)清洗是一種高效的清洗方法，通過在反應(yīng)室內(nèi)通入酸堿等化學(xué)試劑進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，清除反應(yīng)室內(nèi)的污染物。

等離子刻蝕（Plasma etch）是一種絕對(duì)化學(xué)刻蝕工藝（化學(xué)干法刻蝕，Chemical dry etch）。優(yōu)點(diǎn)是晶圓表面不會(huì)被加速離子損壞。由于蝕刻氣體的可移動(dòng)顆粒，蝕刻輪廓是各向同性的，因此該方法用于去除整個(gè)膜層（如熱氧化后的背面清潔）。

一種用于等離子體蝕刻的反應(yīng)器類型是下游反應(yīng)器。從而通過碰撞電離在2.45GHz的高頻下點(diǎn)燃等離子體，碰撞電離的位置與晶片分離。

在氣體放電區(qū)域，由于沖擊存在各種顆粒，其中有自由基。自由基是具有不飽和電子的中性原子或分子，因此非常活潑。作為中性氣體，例如四氟甲烷CF4被引入氣體放電區(qū)并分離成CF2和氟分子F2。類似地，氟可以通過添加氧氣 O2 從 CF4 中分離出來：

2 CF4 + O2 ---> 2 COF2 + 2 F2

氟分子可以通過氣體放電區(qū)的能量分裂成兩個(gè)單獨(dú)的氟原子：每個(gè)氟原子都是一個(gè)氟自由基，因?yàn)槊總€(gè)原子都有七個(gè)價(jià)電子，并希望實(shí)現(xiàn)惰性氣體構(gòu)型。除了中性自由基之外，還有幾個(gè)部分帶電的粒子（CF+4、CF+3、CF+2、...）。然后，所有粒子、自由基等都通過陶瓷管進(jìn)入蝕刻室。帶電粒子可以通過提取光柵從蝕刻室中阻擋或者在它們形成中性分子的途中重新組合。氟自由基也有部分重組，但足以到達(dá)蝕刻室，在晶圓表面發(fā)生反應(yīng)并引起化學(xué)磨損。其他中性粒子不是蝕刻過程的一部分，并且與反應(yīng)產(chǎn)物一樣被耗盡。

可在等離子蝕刻中蝕刻的薄膜示例：? 硅: Si + 4F---> SiF4? 二氧化硅: SiO2 + 4F---> SiF4 + O2? 氮化硅: Si3N4 + 12F---> 3SiF4 + 2N23.反應(yīng)離子蝕刻蝕刻特性: 選擇性、蝕刻輪廓、蝕刻速率、均勻性、可重復(fù)性 - 均可以在反應(yīng)離子蝕刻 (Reac tive ion etch) 中非常精確地控制。各向同性蝕刻輪廓以及各向異性是可能的。因此，RIE 工藝是一種化學(xué)物理蝕刻工藝，是半導(dǎo)體制造中用于構(gòu)造各種薄膜的最重要工藝。在工藝室內(nèi)，晶圓放置在高頻電極（HF電極）上。通過碰撞電離產(chǎn)生等離子體，其中出現(xiàn)自由電子和帶正電的離子。如果 HF 電極處于正電壓，則自由電子會(huì)在其上積聚，并且由于它們的電子親和力而無法再次離開電極。因此，電極充電至 -1000 V（偏置電壓）。不能跟隨快速交變場(chǎng)的慢離子向帶負(fù)電的電極移動(dòng)。

如果離子的平均自由程高，則粒子以幾乎垂直的方向撞擊晶片表面。因此，材料被加速離子（物理蝕刻）從表面擊出，此外，一些粒子與表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。橫向側(cè)壁不受影響，因此沒有磨損并且蝕刻輪廓保持各向異性。選擇性不是太小，但是，由于物理蝕刻進(jìn)程，它也不是太大。此外，晶圓表面會(huì)被加速離子損壞，必須通過熱退火進(jìn)行固化。蝕刻工藝的化學(xué)部分是通過自由基與表面以及物理銑削材料的反應(yīng)來完成的，這樣它就不會(huì)像離子束蝕刻那樣重新沉積到晶圓或腔室壁上。通過增加蝕刻室中的壓力，顆粒的平均自由程減少。因此會(huì)有更多的碰撞，因此粒子會(huì)朝著不同的方向前進(jìn)。這導(dǎo)致較少的定向蝕刻，蝕刻過程獲得更多的化學(xué)特性。選擇性增加，蝕刻輪廓更加各向同性。通過在硅蝕刻期間側(cè)壁的鈍化，實(shí)現(xiàn)了各向異性的蝕刻輪廓。因此，蝕刻室內(nèi)的氧氣與磨出的硅反應(yīng)形成二氧化硅，二氧化硅沉積垂直側(cè)壁。由于離子轟擊，水平區(qū)域上的氧化膜被去除，使得橫向的蝕刻進(jìn)程繼續(xù)進(jìn)行。

蝕刻速率取決于壓力、高頻發(fā)生器的功率、工藝氣體、實(shí)際氣體流量和晶片溫度。各向異性隨著高頻功率的增加、壓力的降低和溫度的降低而增加。蝕刻工藝的均勻性取決于氣體、兩個(gè)電極的距離以及電極的材料。如果距離太小，等離子體不能不均勻地分散，從而導(dǎo)致不均勻性。如果增加電極的距離，則蝕刻速率降低，因?yàn)榈入x子體分布在擴(kuò)大的體積中。對(duì)于電極，碳已證明是首選材料。由于氟氣和氯氣也會(huì)攻擊碳，因此電極會(huì)產(chǎn)生均勻的應(yīng)變等離子體，因此晶圓邊緣會(huì)受到與晶圓中心相同的影響。

選擇性和蝕刻速率在很大程度上取決于工藝氣體。對(duì)于硅和硅化合物，主要使用氟氣和氯氣。

蝕刻工藝不限于一種氣體、氣體混合物或固定工藝參數(shù)。例如，可以首先以高蝕刻速率和低選擇性去除多晶硅上的原生氧化物，而隨后以相對(duì)于下方層的更高選擇性蝕刻多晶硅。

在低氣壓氣體環(huán)境下，刻蝕設(shè)備利用外電場(chǎng)將刻蝕氣體（如氯或氟氣體，CF4、SF6CI2、BCI3等）電離成等離子體，等離子體中含有自由電子、帶電離子、分子及反應(yīng)活性很強(qiáng)的基團(tuán)，它們擴(kuò)散到被刻蝕薄膜表面后與薄膜表面原子反應(yīng)生成具有揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物，并被真空設(shè)備抽離反應(yīng)腔。因這種反應(yīng)完全利用化學(xué)反應(yīng)，故稱為化學(xué)性刻蝕。這種刻蝕方式與濕法刻蝕類似，只是反應(yīng)物與產(chǎn)物的狀態(tài)從液態(tài)改為氣態(tài)，并以等離子體來加快反應(yīng)速率。

物理化學(xué)性刻蝕

物理化學(xué)性刻蝕又稱為反應(yīng)離子刻蝕。簡(jiǎn)單來說，就是物理性刻蝕和化學(xué)性刻蝕結(jié)合使用，以實(shí)現(xiàn)更高效的刻蝕效果，因此，反應(yīng)腔里的反應(yīng)氣體流量反應(yīng)溫度、反應(yīng)壓力等，都會(huì)影響刻蝕速率和刻蝕質(zhì)量。

無論是從化學(xué)性干法刻蝕還是物理性干法刻蝕，都有其固有的優(yōu)缺點(diǎn)，而物理化學(xué)性刻蝕則作為兩種刻蝕方法的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)存在，集成電路工藝中采用最多的刻蝕方法是結(jié)合物理性的等離子襲擊與化學(xué)反應(yīng)的刻蝕。

刻蝕工藝相關(guān)氣體應(yīng)用

同為刻蝕工藝，對(duì)應(yīng)各種各樣的材料和圖形，需要的結(jié)果也不相同，刻蝕工藝也都各不相同。刻蝕材料：半導(dǎo)體、半導(dǎo)體薄膜、絕緣薄膜、金屬薄膜等；

同為刻蝕工藝，對(duì)應(yīng)各種各樣的材料和圖形，需要的結(jié)果也不相同，刻蝕工藝也都各不相同?？涛g材料：半導(dǎo)體、半導(dǎo)體薄膜、絕緣薄膜、金屬薄膜等。

刻蝕氣體：SF6、CHF3、CF4、C4F8、Cl2、BCl3、HBr、NF3、SiCl4等；Ar、O2、He（輔助性氣體）

簡(jiǎn)單來說，刻蝕反應(yīng)使用的氣體能夠與被刻蝕物反應(yīng)并產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)，但不是任何一種氣體都可以使用。另外，希望使用的氣體最好處于穩(wěn)定狀態(tài)。使用液態(tài)氣體時(shí)，氣化場(chǎng)所的配置和適當(dāng)?shù)墓艿罍囟鹊?，都需要相?yīng)的應(yīng)對(duì)措施。

附：刻蝕氣體表

刻蝕工藝中的關(guān)鍵因素——速率、均勻性、選擇性和輪廓

刻蝕工藝是微電子加工中不可或缺的一環(huán)。在制造各種芯片和器件時(shí)，刻蝕工藝可以對(duì)材料進(jìn)行加工和改良。然而，刻蝕工藝的質(zhì)量和效率受到許多因素的影響，其中包括刻蝕速率、刻蝕的均勻性、刻蝕選擇性和刻蝕輪廓等因素。

刻蝕速率

刻蝕速率是測(cè)量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。通過測(cè)量刻蝕前后的薄膜厚度，將差值除以刻蝕時(shí)間就能計(jì)算出刻蝕速率：

刻蝕速率=(刻蝕前厚度-刻蝕后厚度)/刻蝕時(shí)間

對(duì)于圖形化刻蝕，刻蝕速率可以通過掃描電子顯微鏡(SEM)直接測(cè)量出被移除的薄膜厚度。

問題：如果熱氧化層的厚度為5000A,經(jīng)過30s等離子體刻蝕后，厚度變?yōu)?400A,求刻蝕速率。

答：刻蝕速率=(5000A-2400A)/0.5min=2600A/0.5min=5200A/min

問題：下圖顯示了BPSG接觸窗口的刻蝕輪廓，求刻蝕速率。

答：刻蝕速率=4500A/(45/60)min=4500A/0.75min=6000A/min。

刻蝕的均勻性

刻蝕過程重要的一點(diǎn)是要求整個(gè)晶圓必須有一個(gè)均勻的刻蝕速率，或好的晶圓內(nèi)(WithinWafer,WIW)均勻性，以及高的重復(fù)性，好的晶圓對(duì)晶圓均勻性。通常均勻性由測(cè)量刻蝕前后晶圓的特定點(diǎn)厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率得出。若它們是x1、x2、xN，其中N表示數(shù)據(jù)點(diǎn)的總數(shù)。

問題：利用五點(diǎn)測(cè)量法計(jì)算NUm(見下圖)：

刻蝕前：3500A,3510A,3499A,3501A,3493A

刻蝕60s后：1500A,1455A,1524A,1451A,1563A

答：刻蝕速率為：2000A/min,2055A/min,1975A/min,

2055A/min和1930A/min。

平均刻蝕速率為：2003A/min

NUm=(2055-1930)/(2x2003)=3.12%

當(dāng)與代理商或客戶交易時(shí)，均勻性的定義很重要，因?yàn)椴煌亩x將產(chǎn)生不同的結(jié)果。

刻蝕選擇性

圖形化刻蝕通常包含三種材料:光刻膠、被刻蝕的薄膜及襯底?？涛g過程中，這三種材料都會(huì)受刻蝕劑的化學(xué)反應(yīng)或等離子體刻蝕中離子轟擊的影響。不同材料之間的刻蝕速率差就是所謂的選擇性。

選擇性是指不同材料之間的刻蝕速率比率，特別是對(duì)于要被蝕刻的材料和不被移除的材料。

比如，當(dāng)刻蝕柵電極時(shí)(見下圖),光刻膠作為刻蝕屏蔽層而多晶硅是被刻蝕的材料。由于等離子體刻蝕難免會(huì)刻蝕到光刻膠，所以必須有足夠高的多晶硅對(duì)光刻膠的選擇性以避免刻蝕完成前損失過多的光刻膠(PR)。多晶硅下方是厚度為15?100A的超薄柵氧化層。這個(gè)工藝過程中，多晶硅對(duì)氧化物的選擇性必須非常高，才能避免多晶硅過刻蝕中穿透柵氧化層。

刻蝕輪廓

刻蝕的最重要特征之一就是刻蝕輪廓，它將影響沉積工藝。下圖顯示了不同的刻蝕輪廓。一般利用掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察刻蝕輪廓。

垂直輪廓是最理想的刻蝕圖形，因?yàn)樗軐R上的圖形轉(zhuǎn)移到下面的薄膜而不造成任何CD損失。許多情況下，尤其是接觸窗和金屬層間接觸窗孔刻蝕，使用非等向性且略微傾斜的輪廓較好,這樣刻蝕窗口的張角較大，使后續(xù)的鎢CVD能夠容易填充而不留空隙。單純的化學(xué)刻蝕具有等向性輪廓，在光刻膠下產(chǎn)生底切效應(yīng)并造成CD損失。底切輪廓是由于反應(yīng)式離子刻蝕(RIE)過程中過多的蝕刻氣體分子或過多的離子散射到側(cè)壁上造成的，RIE結(jié)合了物理和化學(xué)刻蝕。輪廓底切效應(yīng)很容易造成后續(xù)的沉積過程并在填補(bǔ)空隙或空洞時(shí)產(chǎn)生間隙。另外，“I”字形輪廓的形成是因?yàn)閵A心式薄膜的中間層使用了錯(cuò)誤的刻蝕化學(xué)試劑形成的。