chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-12-02 09:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。

干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些?各有什么作用?

1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度

晶圓表面溫度:控制刻蝕表面的化學(xué)反應(yīng)速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性

溫度梯度:晶圓表面不同區(qū)域的溫度由于加熱器分布不均可能會有差異,導(dǎo)致局部區(qū)域刻蝕速率不同,從而影響刻蝕均勻性。

2,氣體:氣體化學(xué)組成,氣體比例,氣體流量

氣體化學(xué)組成:干法刻蝕的腔室中可以選擇的氣體多達20種,通過調(diào)整化學(xué)成分實現(xiàn)不同的刻蝕性能

氣體比例:不同氣體的分壓比可以改變選擇比和刻蝕形貌。

氣體流量:控制腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體和刻蝕產(chǎn)物的停留時間,濃度等,從而影響刻蝕速率。

3,射頻功率:總射頻功率,多頻RF組合

總射頻功率:決定了等離子體的能量水平,影響離子轟擊的強度。

多頻RF組合:通過調(diào)節(jié)低頻和高頻的配比,實現(xiàn)更優(yōu)的刻蝕效果。高頻可以提高等離子體密度,低頻可以增強離子的方向性和能量。

4,脈沖:射頻功率脈沖,氣體脈沖

射頻功率脈沖:調(diào)節(jié)占空比和頻率,可以用來優(yōu)化刻蝕速率和選擇比。

氣體脈沖:控制氣體流量的周期性變化,用于改善刻蝕均勻性。

5,其他:刻蝕時間,工藝腔壓力等

刻蝕時間:直接決定刻蝕深度

工藝腔壓力:控制等離子體的密度、化學(xué)反應(yīng)速率和離子的轟擊能量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 脈沖
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    904

    瀏覽量

    98445
  • 射頻功率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    49

    瀏覽量

    13204
  • 刻蝕
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    213

    瀏覽量

    13606

原文標題:干法刻蝕工藝參數(shù)匯總

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    濕法刻蝕sc2工藝應(yīng)用是什么

    有效去除表面的薄金屬膜或氧化層,確保所需層結(jié)構(gòu)更加均勻和平整,從而保持設(shè)計精度,減少干法刻蝕帶來的方向不清或濺射效應(yīng)。應(yīng)用意義:有助于提升芯片制造過程中各層的質(zhì)量和性能
    的頭像 發(fā)表于 08-06 11:19 ?946次閱讀
    濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>sc2<b class='flag-5'>工藝</b>應(yīng)用是什么

    干法刻蝕的評價參數(shù)詳解

    在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對薄膜材料或襯底進行刻蝕工藝,其評價參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么
    的頭像 發(fā)表于 07-07 11:21 ?999次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的評價<b class='flag-5'>參數(shù)</b>詳解

    一文詳解干法刻蝕工藝

    干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進制程的演進方向。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:01 ?2165次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>干法刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>

    干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)作為一種高性能材料,在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中,基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用,本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
    的頭像 發(fā)表于 01-22 10:59 ?1840次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的概念、碳硅反應(yīng)離子<b class='flag-5'>刻蝕</b>以及ICP的應(yīng)用

    半導(dǎo)體濕法和干法刻蝕

    什么是刻蝕?刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對材料進行選擇性的去除,從而實現(xiàn)設(shè)計的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟,自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在,在微電子學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 12-20 16:03 ?1278次閱讀
    半導(dǎo)體濕法和<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>

    干法刻蝕時側(cè)壁為什么會彎曲

    離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過程,其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中,離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側(cè)壁的不同位置存在差異,那么
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:13 ?1197次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>時側(cè)壁為什么會彎曲

    芯片制造中的濕法刻蝕干法刻蝕

    在芯片制造過程中的各工藝站點,有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點殘留物去除
    的頭像 發(fā)表于 12-16 15:03 ?1920次閱讀
    芯片制造中的濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>和<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>

    芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

    本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①
    的頭像 發(fā)表于 12-06 11:13 ?2647次閱讀
    芯片制造過程中的兩種<b class='flag-5'>刻蝕</b>方法

    刻蝕工藝參數(shù)有哪些

    本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個至關(guān)重要的步驟,用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學(xué)或物理方法去除材料層,以達到特定的設(shè)計要求。本文將介紹幾種關(guān)鍵的
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:03 ?2273次閱讀
    <b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>的<b class='flag-5'>參數(shù)</b>有哪些

    干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

    本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。 什么是側(cè)壁彎曲? 如上圖,是典型的干法刻蝕時,側(cè)壁彎曲的樣子,側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的,角度接近 90°。 ?什么原因?qū)е铝藗?cè)壁
    的頭像 發(fā)表于 12-03 11:00 ?1312次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

    晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

    本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:48 ?1589次閱讀
    晶圓表面溫度對<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的影響

    為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕

    本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕,除了低溫難道還有高溫嗎?等離子體的溫度?? ? 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài),并不是只有半導(dǎo)體制造或工業(yè)領(lǐng)域中才會有等離子體
    的頭像 發(fā)表于 11-16 12:53 ?1185次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>又叫低溫等離子體<b class='flag-5'>刻蝕</b>

    刻蝕工藝評價的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝

    在本篇文章中,我們主要介紹刻蝕工藝評價的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。 一、
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:15 ?2940次閱讀
    <b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>評價的<b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>參數(shù)</b>以及如何做好<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>

    側(cè)墻工藝是什么意思

    干法刻蝕去除表面的 ONO,最終多晶硅柵側(cè)面保留一部分二氧化硅。側(cè)墻工藝不需要掩膜版,它僅僅是利用各向異性干法刻蝕的回刻形成的。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 10:02 ?1958次閱讀
    側(cè)墻<b class='flag-5'>工藝</b>是什么意思

    半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

    主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù),其中包括離子束刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕(ECR)和電感耦合等離子體
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:20 ?2676次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>技術(shù)解析