光化學、干膜、曝光及顯影制程

1、Absorption 吸收，吸入
指被吸收物會進入主體的內部，是一種化學式的吸入動作。如光化反應中的光能吸收，或板材與綠漆對溶劑的吸入等。另有一近似詞 Adsorption 則是指吸附而言，只附著在主體的表面，是一種物理式的親和吸附。

2、Actinic Light(or Intensity，or Radiation) 有效光
指用以完成光化反應各種光線中，其最有效波長范圍的光而言。例如在360～420 nm 波長范圍的光，對偶氮棕片、一般黑白底片及重鉻酸鹽感光膜等，其等反應均最快最徹底且功效最大，謂之有效光。

3、Acutance 解像銳利度
是指各種由感光方式所得到的圖像，其線條邊緣的銳利情形 (Sharpness)，此與解像度 Resolution 不同。后者是指在一定寬度距離中，可以清楚的顯像(Develope)解出多少組“線對”而言(Line Pair，系指一條線路及一個空間的組合)，一般俗稱只說解出機條“線”而已。

4、Adhesion Promotor 附著力促進劑
多指干膜中所添加的某些化學品，能促使其與銅面產生“化學鍵”，而促進其與底材間之附著力者皆謂之。

5、Binder 粘結劑
各種積層板中的接著樹脂部份，或干膜之阻劑中，所添加用以“成形”而不致太“散”的接著及形成劑類。

6、Blur Edge(Circle)模糊邊帶，模糊邊圈
多層板各內層孔環(huán)與孔位之間在做對準度檢查時，可利用 X光透視法為之。由于X光之光源與其機組均非平行光之結構，故所得圓墊(Pad)之放大影像，其邊緣之解像并不明銳清晰，稱為 Blur Edge。

7、Break Point 出像點，顯像點
指制程中已有干膜貼附的“在制板”，于自動輸送線顯像室上下噴液中進行顯像時，到達其完成沖刷而顯現(xiàn)出清楚圖形的“旅程點”，謂之“Break Point”。所經歷過的沖刷路程，以占顯像室長度的 50~75% 之間為宜，如此可使剩下旅途中的清水沖洗，更能加強清除殘膜的效果。

8、Carbon Arc Lamp 碳弧燈
早期電路板底片的翻制或版膜的生產時，為其曝光所用的光源之一，是在兩端逼近的碳精棒之間，施加高電壓而產生弧光的裝置。

9、Clean Room 無塵室、潔凈室
是一個受到仔細管理及良好控制的房間，其溫度、濕度、壓力都可加以調節(jié)，且空氣中的灰塵及臭氣已予以排除，為半導體及細線電路板生產制造必須的環(huán)境。一般“潔凈度”的表達，是以每“立方呎”的空氣中，含有大于0.5μm以上的塵粒數(shù)目，做為分級的標準，又為節(jié)省成本起見，常只在工作臺面上設置局部無塵的環(huán)境，以執(zhí)行必須的工作，稱 Clean Benches。

10、Collimated Light 平行光
以感光法進行影像轉移時，為減少底片與板面間，在圖案上的變形走樣起見，應采用平行光進行曝光制程。這種平行光是經由多次反射折射，而得到低熱量且近似平行的光源，稱為Collimated Light，為細線路制作必須的設備。由于垂直于板面的平行光，對板面或環(huán)境中的少許灰塵都非常敏感，常會忠實的表現(xiàn)在所曬出的影像上，造成許多額外的缺點，反不如一般散射或漫射光源能夠自相互補而消彌，故采用平行光時，必須還要無塵室的配合才行。此時底片與待曝光的板面之間，已無需再做抽真空的密接(Close Contact)，而可直接使用較輕松的 Soft Contact或Off Contact了。

11、Conformity吻合性，服貼性
完成零件壞配的板子， 為使整片板子外形受到仔細的保護起見，再以絕緣性的涂料予以封護涂裝，使有更好的信賴性。一般軍用或較高層次的裝配板，才會用到這種外形貼護層。

12、Declination Angle 斜射角
由光源所直接射下的光線，或經各種折射反射過程后，再行射下的光線中，凡呈現(xiàn)不垂直射在受光面上，而與“垂直法線”呈某一斜角者(即圖中之 a角)該斜角即稱 Declination Angle。當此斜光打在干膜阻劑邊緣所形成的“小孔相機”并經 Mylar 折光下，會出現(xiàn)另一“平行光”之半角(Collimation HalfAngle，CHA)。通?！凹毦€路”曝光所講究的“高平行度”的曝光機時，其所呈的“斜射角”應小于 1.5 度，其“平行半角”也須小于 1.5 度。

13、Definition 邊緣逼真度
在以感光法或印刷法進行圖形或影像轉移時，所得到的下一代圖案，其線路或各導體的邊緣，是否能出現(xiàn)齊直而又忠于原底片之外形，稱為“邊緣齊直性”或逼真度“Definition”。

14、Densitomer 透光度計
是一種對黑白底片之透光度(Dmin)或遮光度(Dmax)進行測量之儀器，以檢查該底片之劣化程度如何。其常用的品牌如 X-Rite 369 即是。

15、Developer 顯像液，顯影液，顯像機
用以沖洗掉未感光聚合的膜層，而留下已感光聚合的阻劑層圖案，其所用的化學品溶液稱為顯像液,如干膜制程所用的碳酸鈉(1％)溶液即是。

16、Developing 顯像，顯影
是指感光影像轉移過程中，由母片翻制子片時稱為顯影。但對下一代像片或干膜圖案的顯現(xiàn)作業(yè)，則應稱為“顯像”。既然是由底片上的“影”轉移成為板面的“像”，當然就應該稱為“顯像”，而不宜再續(xù)稱底片階段的“顯影”，這是淺而易見的道理。然而業(yè)界積非成是習用已久，一時尚不易改正。日文則稱此為“現(xiàn)像”。

17、Diazo Film 偶氮棕片
是一種有棕色阻光膜的底片，為干膜影像轉移時，在紫外光中專用的曝光用具(Phototool)。這種偶氮片即使在棕色的遮光區(qū),也能在“可見光”中透視到底片下的板面情形，比黑白底片要方便的多。

18、Dry Film 干膜
是一種做為電路板影像轉移用的干性感光薄膜阻劑,另有 PE 及 PET 兩層皮膜將之夾心保護。現(xiàn)場施工時可將 PE 的隔離層撕掉，讓中間的感光阻劑膜壓貼在板子的銅面上,在經過底片感光后即可再撕掉 PET 的表護膜，進行沖洗顯像而形成線路圖形的局部阻劑，進而可再執(zhí)行蝕刻(內層)或電鍍(外層)制程，最后在蝕銅及剝膜后，即得到有裸銅線路的板面。

19、Emulsion Side藥膜面
黑白底片或 Diazo 棕色底片，在 Mylar 透明片基 ( 常用者有 4 mil 與7 mil 兩種)的一個表面上涂有極薄的感光乳膠(Emulsion) 層，做為影像轉移的媒介工具。當從已有圖案的母片要翻照出“光極性”相反的子片時，必須謹遵“藥面貼藥面” ( Emulsion to Emulsion ) 的基本原則，以消除因片基厚度而出現(xiàn)的折光，減少新生畫面的變形走樣。

20、Exposure 曝光
利用紫外線(UV)的能量，使干膜或印墨中的光敏物質進行光化學反應，以達到選擇性局部架橋硬化的效果，完成影像轉移的目的稱為曝光。

21、Foot 殘足
指干膜在顯像之后部份刻意留下阻劑，其根部與銅面接觸的死角處，在顯像時不易沖洗干凈而殘留的余角(Fillet)，稱為Foot或Cove。當干膜太厚或曝光能量不足時，常會出現(xiàn)殘足，將對線寬造成影響。

22、Halation環(huán)暈
指曝光制程中接受光照之圖案表面，其外緣常形成明暗之間的環(huán)暈。成因是光線穿過半透明之被照體而到達另一面，受反射折光回到正面來，即出現(xiàn)混沌不清的邊緣地帶。

23、Half Angle 半角
此詞的正式名稱是 Collimation Half Angle“平行光半角”。 是指曝光機所射下的“斜光”，到達底片上影像圖案的邊緣，由此“邊緣”所產生“小孔照像機”效應，而將“斜光”擴展成“發(fā)散光”其擴張角度的一半，謂之“平行光半角”(CHA)，簡稱“半角”。

24、Holding Time 停置時間
當干膜在板子銅面上完成壓膜動作后，需停置 15～30 分鐘，使膜層與銅面之間產生更強的附著力；而經曝光后也要再停置 15～30 分鐘，讓已感光的部份膜體，繼續(xù)進行完整的架橋聚合反應，以便耐得住顯像液的沖洗，此二者皆謂之“停置時間”。

25、Illuminance 照度
指照射到物體表面的總體“光能量”而言。

26、Image Transfer 影像轉移，圖像轉移
在電路板工業(yè)中是指將底片上的線路圖形，以“直接光阻”的方式或“間接印刷”的方式轉移到板面上，使板子成為零件的互連配線及組裝的載體，而得以發(fā)揮功能。影像轉移是電路板制程中重要的一站。

27、Laminator 壓膜機
當阻劑干膜或防焊干膜以熱壓方式貼附在板子銅面上時，所使用的加熱輾壓式壓膜機，稱之 Laminator。

28、Light Integrator 光能累積器、光能積分器
是在某一時段內，對物體表面計算其總共所得到光能量的一種儀器。此儀器中含濾光器，可用以除去一般待測波長以外的光線。當此儀另與計時器配合后，可計算物體表面在定時中所接受到的總能量。一般干膜曝光機中都加裝有這種“積分器”，使曝光作業(yè)更為準確。

29、Light Intensity 光強度
單位時間內(秒)到達物體表面的光能量謂之“光強度”。其單位為 Watt/cm2,連續(xù)一時段中所累計者即為總計光能量，其單位為 Joule(Watt?Sec)。

30、Luminance 發(fā)光強度，耀度
指由發(fā)光物體表面所發(fā)出或某些物體所反射出的光通量而言。類似的字詞尚有“光能量”Luminous Energy。

31、Negative-Acting Resist 負性作用之阻劑，負型阻劑
是指感光后能產生聚合反應的化學物質，以其所配制的濕膜或干膜，經曝光、顯像后，可將未感光未聚合的皮膜洗掉，而只在板面上留下已聚合的阻劑圖形，的原始圖案相反，這種感光阻劑稱之為“負性作用阻劑”，也稱為Negative Working Resist。反之，能產生感光分解反應，板面的阻劑圖案與底片完全相同者，則稱為 Positive Acting Resis 。電路板因解像度(Resolution，大陸用語為“分辨率”)的要求不高，通常采用“負性作用”的阻劑即可，且也較便宜。至于半導體IC、混成電路(Hybrid)、液晶線路(LCD)等則采解像度較好的“正型”阻劑，相對的其價格也非常貴。

32、Mercury Vaper Lamp 汞氣燈
是一種不連續(xù)光譜的光源，其主要的四五個強峰位置,是集中在波長 365～560nm 之間。其當光源強度之展現(xiàn)與能量的施加,在時間上會稍有落后。且光源熄滅后若需再開啟時，還需要經過一段冷卻的時間。因而這種光源一旦啟動后就要連續(xù)使用，不宜開開關關。在不用時可采“光柵”的方式做為阻斷控制，避免開關次數(shù)太多而損及光源的壽命。

33、Newton Ring 牛頓環(huán)
當光線通過不同密度的介質，而其間的間隔(Gap，例如空氣)又極薄時，則入射光會與此極薄的空氣間隙發(fā)生作用，而出現(xiàn)五彩狀同心圓的環(huán)狀現(xiàn)象，因為是牛頓所發(fā)現(xiàn)的故稱為“牛頓環(huán)”。干膜之曝光因系在“不完全平行”或散射光源下進行的，為減少母片與子片間因光線斜射而造成失真或不忠實現(xiàn)象，故必須將二者之間的間距盡可能予以縮小，即在抽真空下密接(Close Contact)，使完成藥面接藥面(Imulsion Side to Imulsion Side)之緊貼，以達到最好的影像轉移。凡當二者之間尚有殘存空氣時，即表示抽真空程度不足。此種未密接之影像，必定會發(fā)生曝光不良而引起的解像劣化，甚至無法解像的情形。而此殘存空氣所顯示的牛頓環(huán)，若用手指去壓擠時還會出現(xiàn)移動現(xiàn)象，成為一種真空程度是否良好的指標。為了更方便檢查牛頓環(huán)是否仍能移動之情形，最好在曝光臺面上方裝設一支黃色的燈光，以便于隨時檢查是否仍有牛頓環(huán)的存在。上法可讓傳統(tǒng)非平行光型的曝光機，也能展現(xiàn)出最良好曝光的能力。

34、Oligomer 寡聚物
原來意思是指介于已完成聚合的高分子，與原單體之間的“半成品”，電路板所用的干膜中即充滿了這種寡聚物。底片“明區(qū)”部份所“占領”的干膜，一經曝光后即展開聚合硬化，而耐得住碳酸鈉溶液(1%)的顯像沖刷，至于未感光的寡聚物則會被沖掉，而出現(xiàn)選擇性“ 阻劑 ”圖案，以便能再繼續(xù)進行蝕刻或電鍍。

35、Optical Density 光密度
在電路板制程中，是指棕色底片上“暗區(qū)”之阻光程度，或“明區(qū)”的透光 程度而言，一般以D示之。另外相對于此詞的是透光度(Transmittance，T)。 此二種與“光”有關的性質，可用入射光(Incident Light，Ii)及透出光(Transmitted light I) 兩參數(shù)表達如下，即： T=I／Ii--------------------(1) D=－log T------------------(2) 將(1)式代入(2)中可得： D=－log (I／Ii )-----------(3) 現(xiàn)將“光密度”(D)，與“透光度”(T)，及棕色底片“品質”三者之關系，列表整理于下： (上表中 Dmim表示棕片明區(qū)的光密度；Dmax表示暗區(qū)的光密度) 生產線上所使用的棕色片 (Diazo)，需定時以“光密度檢測儀”(見附圖)去進行檢查。一旦發(fā)現(xiàn)品質不良時，應即行更換棕片，以保證曝光應有的水準。此點對于防焊干膜的解像精度尤其重要。 光密度 D T%透光度 棕片品質 -------- ---------- --------- 0.00 100.0 棕色片明區(qū) 0.10 79.4 的光密度 Dmim 0.15 70.8 應低于 0.15 1.00 10.0 2.00 1.0 3.00 0.1 3.50 0.03 4.00 0.01 棕色片暗區(qū) 4.50 0.0065 的光密度 Dmax 5.00 0.001 應高于 3.50

36、Oxygen Inhibitor氧氣抑制現(xiàn)象
曝光時干膜會吸取紫外線中能量，引起本身配方中敏化劑(Sensitizer)的分裂，而成為活性極高的“自由基”(Free Radicals)。此等自由基將再促使與其他單體、不含飽和樹脂、及已部份架橋的樹脂等進行全面的“聚合反應”。此反應須而無氧在狀態(tài)下才能進行，一旦接觸氧氣后其聚合反應將受到抑制或干擾而無法完成，這種氧氣所扮演的角色，即稱為“Oxygen Inhibitor”。這就是為什幺當板子在進行其干膜曝光，以及曝光后的停置時間(Holding Time)內，都不能撕掉表面透明護膜(Mylar)的原因了。然而在實施干膜之“正片式蓋孔法”(Tening)時，其鍍通孔中當然也存在有氧氣，為了減少上述Indibitor現(xiàn)象對該孔區(qū)干膜背面(與通孔中空氣之接觸面)的影響起見，可采用下述補救辦法：1.在強曝光之光源強度下，使瞬間產生更多的自由基，以消耗吸收掉鍍孔中有限的氧氣。且形成一層阻礙，以防氧氣自背面的繼續(xù)滲入。2.增加蓋孔干膜的厚度，使孔口“蒙皮”軟膜的正面部份，仍可在Mylar保護下繼續(xù)執(zhí)行無氧之聚合反應。即使背面較為軟弱，在正面已充份聚合而達到厚度下，仍耐得住短時間的酸性噴蝕，而完成正片法的外層板(見附圖)。不過蓋孔法對“無孔環(huán)”(Landless)的高密度電路板，則只好“無法度”了。這種先進高品級(High Eng)電路板，似乎僅?！叭追ā币煌究尚辛?。

37、Photofugitive感光褪色
軟膜阻劑的色料中，有一種特殊的添加物，會使已感光部份的顏色變淺，以便與未感光部份的原色有所區(qū)別，使在生產線上容易分辨是否已做過曝光，而不致弄錯再多曝光一次。與此詞對應的另有感光后顏色加深者，稱者“Phototropic”。

38、Photoinitiator感光啟始劑
又稱為敏化劑Sensitizer，如昆類(Quinones)等染料，是干膜接受感光能量后首先展開行動者。當此劑接受到UV的刺激后，即迅速分解成為自由基(Radicals)，進而激發(fā)各式連鎖聚合反應，是干膜配方中之重要成份。

39、Photoresist Chemical Machinning(Milling)光阻式化學(銑刻)加工
用感光成像的方式，在薄片金屬上形成選擇性的兩面感光阻劑，再進行雙面銑刻(鏤空式的蝕刻)以完成所需精細復雜的花樣，如積體電路之腳架、果菜機的主體濾心濾網等，皆可采PCM方式制作。

40、Photoresist光阻
是指在電路板銅面上所附著感光成像的阻劑圖案，使能進一步執(zhí)行選擇性的蝕刻或電鍍之工作。常用者有干膜光阻及液態(tài)光阻。除電路板外，其他如微電子工業(yè)或PCM等也都需用到光阻劑。

41、Point Source Light點狀光源
當光源遠比被照體要小，而且小到極??；或光源與被照體相距極遠，則從光源到被照體表面上任何一點，其各光線之間幾乎成為平行時，則該光源稱為“點狀光源“

42、Positive Acting Resist正性型光阻劑
有指有光阻的板面，在底片明區(qū)涵蓋下的阻層，受到紫外光能的刺激而發(fā)生“分解反應”，并經顯像液之沖刷而被“除去”，只在板上刻意留下“未感光”未分解之部份阻劑。這種因感光而分解的阻劑稱為“正性光阻劑”，亦稱為Positive Working Resist。通常這種“正性光阻”的原料要比負性光阻原料貴的很多，因其解像力很好，故一般多用于半導體方面的“晶圓”制造。最近由于電路板外層的細線路形成，逐漸有采取“正片法”的直接蝕刻(Print and Etch)流程，以節(jié)省工序及減少錫鉛的污染。因而干膜蓋孔及油墨塞孔皆被試用過，前者對“無環(huán)”(Landless)或孔環(huán)太窄的板類，將受到限制而良品率降低，后者油墨不但手續(xù)麻煩，且失敗率也很高。因而“正性的電著光阻”(Positive ED)，就將應運而生。目前此法已在日本NEC公司上線量產，因可在孔壁上形成保護膜，故能直接進行線路蝕刻，是極為先進的做法。

43、Primary Image線路成像
此術語原用于網版印刷制程中，現(xiàn)亦用于干膜制程上，是指內外層板之線路圖形，由底片上經由干膜而轉移于板子銅面上，這種專做線路轉移的工作，則稱為“初級成像”或“主成像”，以示與防焊干膜的區(qū)別。

44、Radiometer輻射計，光度計
是一種可檢測板面上所受照的UV光或射線(Radiation)能量強度的儀器，可測知每平方公分面積中所得到光能量的焦耳數(shù)。此儀并可在高溫輸送帶上使用，對電路板之UV曝光機及UV硬化機都可加以檢測，以保證作業(yè)之品質。

45、Refraction折射
光線在不同密度的介質 (Media)中，其行進速度會不一樣，因而在不同介質的交界面處，其行進方向將會改變，也就是發(fā)生了“折射”。電路板之影像轉移工程不管是采網印法、感光成像的干膜法，或槽液式ED法等，其各種透明載片、感光乳膠層、網布、版膜 (Stencil)等皆以不同的厚度配合成為轉移工具，故所得成像與真正設計者多少會有些差異，原因之一就是來自光線的折射。

46、Refractive Index折射率
光在真空中進行速度，除以光在某一介質中的速度，其所得之比值即為該介質的“折射率”。不過此數(shù)值會因入射光的波長、環(huán)境溫度而有所不同。最常用的光源是以 20℃時“鈉燈”中之D線做為標準入射光，表示方法是 20/D。

47、Resist阻劑，阻膜
指欲進行板面濕制程之選擇性局部蝕銅或電鍍處理前，應在銅面上先做局部遮蓋之正片阻劑或負片阻劑，如網印油墨、干膜或電著光阻等，統(tǒng)稱為阻劑。

48、Resolution解像，解像度，解析度
指各種感光膜或網版印刷術，在采用具有2 mil“線對”(Line-Pair)的特殊底片，及在有效光曝光與正確顯像 (Developing) 后，于其1 mm的長度中所能清楚呈現(xiàn)最多的“線對”數(shù)，謂之“解像”或“解像力”。此處所謂“線對”是指“一條線寬配合一個間距”，簡單的說 Resolution 就是指影像轉移后，在新翻制的子片上，其每公厘間所能得到良好的“線對數(shù)” (line-pairs/mm) 。大陸業(yè)界對此之譯語為“分辨率”，一般俗稱的“解像”均很少涉及定義，只是一種比較性的說法而已。

49、Resolving Power解析力，解像力(分辨力)
指感光底片在其每mm之間，所能得到等寬等距(2 mil)解像良好的“線對”數(shù)目。通常鹵化銀的黑白底片，在良好平行光及精確的母片下，約有 300 line-pair/mm 的解析力，而分子級偶氮棕片的解像力，則數(shù)倍于此。

50、Reverse Image負片氣像(阻劑)
指外層板面鍍二次銅(線路銅前，于銅面上所施加的負片干膜阻劑圖像，或(網印)負片油墨阻劑圖像而言。使在阻劑以外，刻意空出的正片線路區(qū)域中，可進行鍍銅及鍍錫鉛的操作。

51、Scum透明殘膜
是指干膜在顯像后，其未感光硬化之區(qū)域應該被徹底沖洗干凈，而露出清潔的銅面以便進行蝕刻或電鍍。若仍然殘留有少許呈透明狀的干膜殘屑時，即稱之為Scum。此種缺點對蝕刻制程會造成各式的殘銅，對電鍍也將造成局部針孔、凹陷或附著力不良等缺陷。檢查法可用 5％ 的氯化銅液(加入少許鹽酸)當成試劑，將干膜顯像后的板子浸于其中，在一分鐘之內即可檢測出 Scum 的存在與否。因清潔的銅面會立即反應而變成暗灰色。但留有透明殘膜處，則將仍然呈現(xiàn)鮮紅的銅色。

52、Side Wall側壁
在PCB工業(yè)中有兩種含意，其一是指顯像后的干膜側面，從微觀上所看到是否直立的情形；其二是指蝕刻后線路兩側面的直立狀態(tài)，或所發(fā)生的側蝕情形如何，皆可由電子顯微鏡或微切片上得以清楚觀察。

53、Soft Contact輕觸
光阻膜于曝光時，須將底片緊密壓貼在干膜或已硬化之濕膜表面，稱為 Hard Contact。若改采平行光曝光設備時則可不必緊壓，稱為 Soft Contact。此“輕觸” 有別于高度平行光自動連線之非接觸(Off Contact)式駕空曝光。

54、Static Eliminator靜電消除器
電路板系以有機樹脂為基材。常在制程中的某些磨刷工作時會產生靜電。故在清洗后，還須進行除靜電的工作，才不致吸附灰塵及雜物。一般生產線上均應設置有各種除靜電裝置。

55、Step Tablet階段式(光密度)曝光表
是一種窄長條型的軟性底片，按光密度(即遮光性)的不同，由淺到深做成階段式曝光試驗用的底片，每一“段格”中可透過不同的光量，然后，將之壓覆在干膜上，只需經一次曝光即可讓板邊狹長形各段格的干膜，得到不同程度的感光聚合反應，找出曝光與后續(xù)顯像(Developing)的各種對應條件。是干膜制程的現(xiàn)場管理工具，又稱為 Step Scale、 Step Wedge 等。常用者有 Riston 17、Stouffer 21、 Riston 25、等各種“階段表”。

56、Tenting蓋孔法
是指利用干膜在外層板上做為抗蝕銅阻劑，進行正片法流程，將可省去二次銅及鍍錫鉛的麻煩。此種連通孔也遮蓋的干膜施工法，稱為蓋孔法。這種蓋孔干膜如同大鼓之上下兩片蒙皮一般，除可保護孔壁不致受藥水攻擊外，并也能護住上下兩板面待形成的孔環(huán)(Annular Ring)。本法是一種簡化實用的正片法，但對無環(huán)(Landless)有孔壁的板子則力所不及也。原文選詞起初并未想到鼓的“蒙皮”，而只想到“帳棚”，故知原文本已不夠傳神，而部份外行人竟按其發(fā)音譯為“天頂法”實在匪夷所思不知所云。大陸業(yè)界之譯名是“掩蔽法”及“孔掩蔽法”。

57、Transmittance透光率
當入射光(Incident Light)到達物體表面后，將出現(xiàn)反射與透射兩種因應，其透光量與入射光量之比值稱為“透光率”。

58、Wet Lamination濕壓膜法
是在內層板進行干膜壓合的操作中，也同時在銅面上施加一層薄薄的水膜，讓“感光膜”吸水后產生更好的“流動性”(Flow)。對銅面上的各種凹陷，發(fā)揮更深入的填平能力，使感光阻劑具有更好的吻合性(Conformity)，提升對細線路蝕刻的品質。而所出現(xiàn)多余的水膜在熱滾輪擠壓的瞬間，也迅速被擠走。此種對無通孔全平銅面的新式加水壓膜法，稱為 Wet Lamination。PCM Photoresisted Chemical Machining; 光阻式化學加工(亦做Photoresist Chemical Milling光阻式化學銑鏤)是在金屬薄片(如不銹鋼)兩面施加光阻，再進行局部性精密蝕透鏤空之技術。