2015年中國DRAM消化量已達(dá)47.89億顆（2Gb equiv），總計102億美元，占全球產(chǎn)能的19.2%。一方面，中國武岳峰資本與賽普拉斯就收購美國半導(dǎo)體公司ISSI斗智斗勇；另一方面，武漢新芯確定統(tǒng)籌中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展，將匯集三大技術(shù)（DRAM、3D NAND、NOR）成為中國重要內(nèi)存芯片基地。DRAM屬于資本密集產(chǎn)業(yè)，光土地、廠房不含設(shè)備，就得耗資20~40億RMB，投產(chǎn)六萬片即超過200億RMB，若要達(dá)到較具經(jīng)濟(jì)規(guī)模的10萬片產(chǎn)能，就得另外花上400~800億RMB才有辦法做到，僅剩三家（三星、美光、SK海力士）獨大的DRAM市場。

　　目前來看，大基金對啃下了存儲產(chǎn)業(yè)這塊硬骨頭的決心非常重，在資金、技術(shù)、人才、IP等方面完成初步布局。

　　1.與國際大廠談技術(shù)合作：武漢新芯2015年年初正式與Spansion合作，展開3D NAND的技術(shù)開發(fā)。英特爾強(qiáng)勢主導(dǎo)與DRAM廠的全力配合下，DDR4內(nèi)存將在服務(wù)器領(lǐng)域率先切入。2.收購美國半導(dǎo)體企業(yè)：武岳峰資本收購美國半導(dǎo)體公司ISSI已到最后階段，塵埃將落定。對國內(nèi)取得IP專利提升DRAM領(lǐng)域技術(shù)競爭力非常重要。3.挖角***存儲產(chǎn)業(yè)人才：中芯國際營運長趙海軍為***DRAM廠商茂德技術(shù)發(fā)展暨產(chǎn)品本部兼大中華事業(yè)部副總裁。同樣被視為目標(biāo)的還有***瑞晶團(tuán)隊與華亞科、南亞科人才。爾必達(dá)前社長坂本幸雄，也在合肥現(xiàn)身力求東山再起。4. 整合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)和人才優(yōu)勢：北京已是中國IC重要應(yīng)用市場，還有北京、清華大學(xué)以及中科院微電子中心等知識人才優(yōu)勢；而上海則有已逐步建立起IC產(chǎn)業(yè)鏈的中芯國際；聯(lián)發(fā)科、Marvell、君正科技等在內(nèi)的廠商，簽署了14項與25項落戶合肥的合作案；武漢新芯籌建第二座晶圓廠，武漢成為中國內(nèi)存芯片基地。

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange指出，除了大基金外，中芯國際、湖北省科技投資集團(tuán)、湖北基金、華芯投資等都會投資，遠(yuǎn)期計劃要募集到240億美元的規(guī)模，長期產(chǎn)能目標(biāo)達(dá)每月30萬片，正式展開中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃。

　　從目前工廠規(guī)模來看，武漢新芯一廠投片已接近滿載水位，現(xiàn)有工廠初期產(chǎn)品以NOR為主。倘若再加上DRAM產(chǎn)能，勢必將再興建另一座12寸晶圓廠來滿足未來產(chǎn)能的需求。DRAMeXchange預(yù)估，未來武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR技術(shù)成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)領(lǐng)頭羊，且將至少擁有二座12寸晶圓廠的中國內(nèi)存芯片基地。DRAM產(chǎn)業(yè)走過了景氣谷底，加上需求的持續(xù)保障，DRAM廠重新開始考慮建廠，從去年下半年開始陸續(xù)啟動擴(kuò)建新廠，各家產(chǎn)能競賽再起，并穩(wěn)步升級工藝。今年以來，中國政府積極扶持自有DRAM產(chǎn)業(yè)，各項政策與收購動作浮上臺面，攪局這一競爭格局相當(dāng)穩(wěn)定的市場。

　　鹿死誰手還未可知，但對整個DRAM 產(chǎn)業(yè)的影響顯而易見。國內(nèi)基金資金充足、內(nèi)需市場龐大、人才梯隊日益完善，資源裝備優(yōu)良大舉進(jìn)軍DRAM市場，攻城拔寨的速度將在未來幾年內(nèi)改變整個存儲產(chǎn)業(yè)的格局。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，從DRAM廠新建到試產(chǎn)需兩年以上的時間，估計中國將先切入技術(shù)較容易的 PC DRAM，至于近年成長快速的 移動DRAM 產(chǎn)能要追趕主流大廠，預(yù)估還要5~10年的時間。