什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個(gè)門(mén)晶體管。傳統(tǒng)的二維門(mén)由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:01
3657 臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音先前在出席活動(dòng)時(shí)才透露，目前已組成團(tuán)隊(duì)著手3 納米研發(fā)，業(yè)界一片驚奇，而且現(xiàn)在不只3 納米，1 納米也來(lái)了！隸屬美國(guó)能源部的勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室Ali Javey 團(tuán)隊(duì)即宣稱，突破了物理極限，成功創(chuàng)造1 納米晶體管。
2016-10-08 14:51:212833 
近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類(lèi)別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:041184 隸屬美國(guó)能源部的勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室Ali Javey 團(tuán)隊(duì)即宣稱，突破了物理極限，成功創(chuàng)造1 納米晶體管。
2016-10-09 09:52:062065 
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬(wàn)用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
是晶體管的直流電流放大系數(shù)，是指在靜態(tài)（無(wú)變化信號(hào)輸入）情況下，晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等，但兩者含義是有明顯區(qū)別的，而且在許多場(chǎng)合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類(lèi)為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過(guò)在基極流過(guò)電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開(kāi)關(guān)，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開(kāi)關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類(lèi)。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類(lèi)型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
，滿足未來(lái)輕薄化的需求?！ ?b class="flag-6" style="color: red">芯片晶體管橫截面 到了3nm之后，目前的晶體管已經(jīng)不再適用，目前，半導(dǎo)體行業(yè)正在研發(fā)nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET
2020-07-07 11:36:10
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展英特爾高級(jí)院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
晶體管的密度，同時(shí)減少了芯片的橫向面積。
相比傳統(tǒng)的FinFET和納米片晶體管，叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距，從而在相同的芯片面積上容納更多的晶體管。例如，IMEC的2nm叉片晶體管
2025-06-20 10:40:07
變化對(duì)系統(tǒng)的積極作用 凡事都有兩面性，雖然芯片中晶體管的老化對(duì)電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時(shí)間的推移而降低，這是英國(guó)南安普頓大學(xué)電子工程教授Bashir Al-Hashimi在一系列仿真和試驗(yàn)后
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽(yáng)能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在許多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成?！ 〔贿^(guò)，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見(jiàn)應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器?！ ∵_(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
電場(chǎng)控制材料的電導(dǎo)率?！ ■捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱為3D，因?yàn)榫哂械谌S度?！ 楸苊饣煜仨毩私獠煌奈墨I(xiàn)在提及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域?！ D1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書(shū)規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
額定值，在不超過(guò)VIN(max)條件下，數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知，絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上"，僅用IC標(biāo)記沒(méi)有問(wèn)題，但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài)，合并
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動(dòng)性更強(qiáng)的新材料來(lái)替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過(guò)這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長(zhǎng)度
2011-12-08 00:01:44
突破現(xiàn)有的邏輯門(mén)電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個(gè)邏輯門(mén)之間穿梭。此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來(lái)制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類(lèi)為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
更短的死區(qū)時(shí)間，較低的磁化電流導(dǎo)致較低的反向傳導(dǎo)損耗。在狀態(tài)3下，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)VGSL為高電平時(shí)，晶體管的ZVS實(shí)現(xiàn)，并且沒(méi)有開(kāi)關(guān)導(dǎo)通損耗。在狀態(tài)4時(shí)，晶體管以從漏極到源極的正向電流導(dǎo)通。在此狀態(tài)下
2023-02-27 09:37:29
如果說(shuō)起來(lái)，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中的地位已經(jīng)漸漸地被晶體管所取代，只有在少數(shù)對(duì)于音頻質(zhì)量有著極高要求的產(chǎn)品中，才會(huì)出現(xiàn)電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
比如華為的麒麟芯片晶體管數(shù)量、功耗控制，芯片內(nèi)總線連接？澎湃芯片的失敗是不是它的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在這些方面的不足？
2020-03-15 17:31:09
晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測(cè)量晶體管輸入輸出特性的測(cè)量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 在復(fù)合式晶體管開(kāi)關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)
2009-05-30 21:26:242 英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實(shí)驗(yàn)室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開(kāi)發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長(zhǎng)度僅為18納米，幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391263 晶體管（transistor）
4
5納米工藝的四核處理器已能容納8億個(gè)晶體管
2009-11-05 10:34:251669 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為T(mén)ri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個(gè)芯片上集成了上萬(wàn)個(gè)9nm制程工藝的晶體管，相信大家對(duì)于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來(lái)越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:308361 斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來(lái)展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:492328 米特拉表示，“如果利用碳
納米管晶體管取代硅
晶體管，效能比可提高1000倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:541290 IBM宣布在晶體管的制造上獲得了巨大的突破，運(yùn)用最新工藝研制出了300億個(gè)5納米晶體管。和10nm芯片對(duì)比同等效率下，5納米芯片可以節(jié)省74%電能。
2017-12-27 12:39:191370 港媒稱，內(nèi)地的科學(xué)家說(shuō)，他們已經(jīng)研發(fā)出一種晶體管，這種晶體管將大大增強(qiáng)芯片的性能，并大幅降低它們的能耗。
2019-05-31 11:23:326941 現(xiàn)如今，市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家殷華湘說(shuō)，他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-06-13 16:10:225960 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個(gè)22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-15 09:40:329726 本文主要闡述了晶體管的生產(chǎn)方法及芯片上晶體管的種植教程。
2020-03-14 10:22:3215557 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 增加橫向表面積的情況下向晶體管添加更多的柵極。 IT之家了解到，臺(tái)積電預(yù)計(jì)其 2 納米工藝芯片的良率在 2023 年將達(dá)到驚人的 90%。若事實(shí)如此，那么該晶圓廠將能夠很好地完善其制造工藝，并輕松
2020-09-25 17:08:151991 全環(huán)繞柵極晶體管的出現(xiàn)滿足了以上所有需求，從而允許摩爾定律在5納米之后進(jìn)一步前進(jìn)。首先其生產(chǎn)工藝與鰭式晶體管相似，關(guān)鍵工藝步驟幾乎一樣（這點(diǎn)我們會(huì)在之后的文章中進(jìn)一步講解）。其次，全環(huán)繞柵極晶體管
2020-09-29 13:54:394508 研究人員尋求通過(guò)在納米管和晶體管柵極之間，使用更薄的絕緣體來(lái)更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會(huì)議上，碳納米管期間
2021-01-16 09:40:083366 在2納米推出之前，半導(dǎo)體行業(yè)需要繼續(xù)解決先進(jìn)工藝芯片中的幾個(gè)問(wèn)題：晶體管、觸點(diǎn)和互連。其中，晶體管位于結(jié)構(gòu)底部，并充當(dāng)信號(hào)的開(kāi)關(guān)?；ミB則位于晶體管的頂部，由微小的銅連線組成，這些連線用于將電信號(hào)從一個(gè)晶體管傳輸?shù)搅硪粋€(gè)晶體管。
2021-03-12 16:04:142674 大家都知道芯片使由晶體管構(gòu)成的，一個(gè)芯片由小到幾十，大到超百億晶體管構(gòu)成。像華為麒麟990芯片，就是由103億顆晶體管組成的。
2021-12-14 13:49:1420534 過(guò)時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米，而且隨著最新研究，頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 ，未來(lái)芯片制程又將迎來(lái)哪些白熱化的競(jìng)爭(zhēng)與發(fā)展趨勢(shì)？ 在芯片的先進(jìn)制程競(jìng)賽上，自英特爾（INTEL）于2012 年在22 納米芯片引入創(chuàng)新立體架構(gòu)的「鰭式晶體管」（FinFET）之后，全球半導(dǎo)體業(yè)者都在此基礎(chǔ)上進(jìn)行研發(fā)。目前最先進(jìn)的5 納米制程
2022-01-24 12:07:171945 
近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管，并具有良好的電學(xué)性能。
2022-03-17 07:05:01769 
5納米是指芯片的特征尺寸，特征尺寸越小，制造出來(lái)mos管就更小，成本也就更低。5納米芯片意味著芯片更小，在單位面積內(nèi)晶體管更為密切，功耗也更低。
2022-06-29 16:59:1452757 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開(kāi)始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開(kāi)始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55136833 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361999 芯片上集成晶體管的方法有很多，其中最常用的是封裝技術(shù)，即將晶體管封裝在芯片上，使其成為一個(gè)整體，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。另外，還可以使用芯片上的晶體管模塊，將晶體管模塊連接到芯片上，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。
2023-02-19 14:02:155730 然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:482131 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:292196 
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:431457 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對(duì)現(xiàn)代科技的進(jìn)步起到了重要的推動(dòng)作用。
2023-08-04 09:45:302789 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:375525 晶體管氫氣傳感器產(chǎn)品已經(jīng)上市， 其探測(cè)限可以達(dá)到 0.5ppm，屬于最高端的氫氣傳感器產(chǎn)品，也是世界首款碳納米管芯片產(chǎn)品。 碳基電子技術(shù)將在未來(lái) 3 年左右用于傳感器芯片領(lǐng)域 ，以及在未來(lái) 5-8 年左右用于射頻芯片領(lǐng)域，并將在未來(lái) 15 年內(nèi)用于高端數(shù)字芯片
2023-09-05 15:10:181860 
晶體管，作為現(xiàn)代電子設(shè)備的基石，其功能和工作原理一直是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理領(lǐng)域研究的核心。芯片中的每個(gè)晶體管都是一個(gè)微型開(kāi)關(guān)，負(fù)責(zé)控制電流的流動(dòng)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代芯片上可能集成了數(shù)十億甚至數(shù)百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構(gòu)造開(kāi)始，深入解析其操作機(jī)制。
2023-10-16 10:09:134353 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類(lèi)別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管，通過(guò)將硅通道薄化切割為納米級(jí)別的薄片，再用柵極全方位圍繞，實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)500億個(gè)晶體管，并且經(jīng)過(guò)液氮冷卻處理，其性能飆升至原本的兩倍之多。
2023-12-26 14:55:071246 M3芯片的晶體管數(shù)量根據(jù)不同的版本有所差異。具體來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)版的M3芯片擁有250億個(gè)晶體管，這一數(shù)量相比前代產(chǎn)品M2有了顯著的提升，使得M3芯片在性能上有了更出色的表現(xiàn)。
2024-03-08 15:43:491961 蘋(píng)果M3芯片搭載了250億個(gè)晶體管，相較于前代M2芯片多了50億個(gè)晶體管。這一顯著的提升使得M3芯片在性能上有了更大的飛躍，無(wú)論是處理速度、圖形渲染還是多任務(wù)處理，都能展現(xiàn)出更出色的能力。同時(shí)，M3芯片還具備統(tǒng)一內(nèi)存最高可達(dá)24GB的特性，進(jìn)一步增強(qiáng)了其數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)能力。
2024-03-08 16:58:001863 蘋(píng)果M3芯片在晶體管數(shù)量上有了顯著的提升。具體來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)版的M3芯片內(nèi)部集成了250億個(gè)晶體管，相比前代M2芯片多了50億個(gè)。這一數(shù)量的增加為M3芯片帶來(lái)了更為強(qiáng)大的性能，無(wú)論是處理日常任務(wù)還是運(yùn)行
2024-03-08 17:00:141599 蘋(píng)果M3芯片的晶體管數(shù)量相當(dāng)可觀，相比前代產(chǎn)品有了顯著的提升。這款芯片搭載了高達(dá)250億個(gè)晶體管，比M2芯片多出50億個(gè)，這樣的設(shè)計(jì)使得M3芯片在性能上有了質(zhì)的飛躍。
2024-03-11 16:45:371584 一、引言 有關(guān)系。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片晶體管作為電子設(shè)備的核心元件，其性能的優(yōu)化和制造技術(shù)的提升成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在晶體管的眾多設(shè)計(jì)參數(shù)中，深度和寬度是兩個(gè)至關(guān)重要的因素。它們不僅
2024-07-18 17:23:361915 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類(lèi)型，它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 11月7日，有報(bào)道稱，美國(guó)麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)利用超薄半導(dǎo)體材料，成功開(kāi)發(fā)出一種前所未有的納米級(jí)3D晶體管。這款晶體管被譽(yù)為迄今為止最小的3D晶體管，其性能與功能不僅與現(xiàn)有的硅基晶體管相當(dāng)，甚至在某些方面還超越了后者。
2024-11-07 13:43:101592 IBM 與日本芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國(guó)際電子器件會(huì)議上，對(duì)外展示了雙方攜手合作所研發(fā)的多閾值電壓 GAA 晶體管技術(shù)成果。該技術(shù)上的重大突破預(yù)計(jì)會(huì)被應(yīng)用于
2024-12-12 15:01:561091 已全部加載完成
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