晶體管的密度,同時(shí)減少了芯片的橫向面積。
相比傳統(tǒng)的FinFET和納米片晶體管,叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距,從而在相同的芯片
發(fā)表于 06-20 10:40
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN
發(fā)表于 05-16 17:32
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,有沒(méi)有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng),通過(guò)外加電場(chǎng)來(lái)增大或減小
發(fā)表于 04-15 10:24
蘋果最新發(fā)布的 M3 Ultra 芯片的核心信息與技術(shù)亮點(diǎn)總結(jié),結(jié)合其性能表現(xiàn)、技術(shù)革新及市場(chǎng)定位進(jìn)行綜合分析:一、性能突破與架構(gòu)升級(jí)性能提升幅度CPU性能 :M3 Ultra 采用
發(fā)表于 03-10 10:42
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這本書介紹了晶體管的基本特性,單管電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作,6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容
發(fā)表于 02-26 19:55
晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collect
發(fā)表于 12-03 09:47
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晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過(guò)控制基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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晶體管光耦是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器,通過(guò)光電效應(yīng)和晶體管放大特性,實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光學(xué)隔離與傳輸,確保信號(hào)穩(wěn)定可靠。
發(fā)表于 09-19 09:04
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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晶體管光耦是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器,通過(guò)光電效應(yīng)和晶體管放大特性,實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光學(xué)隔離與傳輸、確保信號(hào)穩(wěn)定可靠。
發(fā)表于 08-27 09:23
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晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,它通過(guò)控制電流的流動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電子信號(hào)的放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同,晶體管可以分為多種類型。
發(fā)表于 08-15 11:49
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晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料,這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體管的主要材料,包括硅(Si)、鍺(Ge)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)
發(fā)表于 08-15 11:32
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GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以
發(fā)表于 08-15 11:27
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我想知道BFR840L3RHESD晶體管是否可以用來(lái)放大nA級(jí)電流。如果該晶體管不合適,是否有其他晶體管可以實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),或者是否無(wú)法使用
發(fā)表于 07-23 07:40
評(píng)論