探索BFU520Y：雙NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能 在射頻晶體管的領(lǐng)域中，NXP的BFU520Y脫穎而出，成為高速、低噪聲應(yīng)用的理想之選。今天，我們就來深入剖析這款雙NPN寬帶硅射頻晶體管，看看
2025-12-30 17:35:13
410 近日，由清華大學(xué)質(zhì)量與可靠性研究院、清華大學(xué)工業(yè)工程系主辦的第三屆 “清華質(zhì)量強(qiáng)國論壇” 在京舉行。作為第五屆中國質(zhì)量獎獲獎企業(yè)，海康威視受邀參會，質(zhì)量管理部總經(jīng)理石炎明圍繞《“數(shù)智質(zhì)量”管理模式中的AI大模型應(yīng)用》，和與會嘉賓展開分享交流。
2025-12-16 14:34:44368 為了方便廣大電子硬件工程師用好薩科微slkor的產(chǎn)品，為客戶提供配套的技術(shù)服務(wù)，讓產(chǎn)品更好為客戶創(chuàng)造價值，薩科微推出晶體管光耦PC817應(yīng)用電路等系列方案，可以廣泛 應(yīng)用于PLC、工業(yè)控制、開關(guān)電源
2025-12-04 11:36:34
在電子電路設(shè)計中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03253 
在電子設(shè)計領(lǐng)域，選擇合適的晶體管對于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的MSD1819A-RT1G與NSVMSD1819A-RT1G通用放大器晶體管，了解它們的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場景。
2025-12-02 10:19:35303 
近日，清華大學(xué)深圳國際研究生院王希林教授團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地引入時識科技(SynSense)的類腦動態(tài)視覺傳感器DAVIS346，首次將動態(tài)視覺傳感器(DVS)技術(shù)應(yīng)用于激光誘導(dǎo)等離子體光學(xué)信號的捕獲，并以
2025-11-30 11:42:01738 近日，普華基礎(chǔ)軟件走進(jìn)清華大學(xué)車輛與運(yùn)載學(xué)院，在《車輛控制工程》課堂上開展研究生專題授課和交流。本次授課聚焦智能駕駛汽車基礎(chǔ)軟件發(fā)展與關(guān)鍵技術(shù)，旨在搭建校企知識傳遞橋梁，為高校學(xué)子帶來產(chǎn)業(yè)前沿視角，助力培養(yǎng)符合行業(yè)需求的復(fù)合型人才。
2025-11-26 15:53:19289 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇合適的晶體管對于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶體管，這款器件在低電壓、高電流應(yīng)用中展現(xiàn)出了出色的性能。
2025-11-26 15:15:05236 
在電子設(shè)備的設(shè)計中，選擇合適的晶體管對于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設(shè)計領(lǐng)域能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-11-26 15:01:11261 
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，通用晶體管是極為常見且關(guān)鍵的元件。今天，我們就來深入了解一下onsemi的BC846BPDW1、BC847BPDW1、BC848CPDW1系列雙通用晶體管。
2025-11-26 14:34:50382 
安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設(shè)計用于通用放大器應(yīng)用。該晶體管采用可濕性側(cè)翼DFN2020-3封裝，可實(shí)現(xiàn)最佳自動光學(xué)檢測（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12437 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側(cè)翼，適用于汽車行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無鉛、無鹵/無BFR,符合
2025-11-26 13:45:33429 
安森美NSS100xCL通用低VCE(sat)晶體管是高性能雙極結(jié)型晶體管，設(shè)計用于汽車和其他要求苛刻的應(yīng)用。安森美NSS100xCL晶體管具有大電流能力、低集電極-發(fā)射極飽和電壓[V ~CE
2025-11-25 11:26:35329 安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45363 
電阻器。MUN5136數(shù)字晶體管具有簡化電路設(shè)計、減少電路板空間和元件數(shù)量的特點(diǎn)。這些數(shù)字晶體管的工作結(jié)溫和存儲溫度范圍為-55°C至150°C。
2025-11-24 16:27:15579 
，該網(wǎng)絡(luò)由一個系列基極電阻和一個基極-發(fā)射極電阻組成。BRT將所有組件集成到單個設(shè)備中，從而消除了單個組件。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。NSBCMXW組件采用XDFNW3封裝，具有卓越的散熱性能。這些晶體管非常適合用于電路板空間和可靠性至關(guān)重要的表面貼裝應(yīng)用。
2025-11-22 09:44:46812 
安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計用于替換單個設(shè)備和相關(guān)外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)由一個系列
2025-11-21 16:22:38626 
11月14日上午，立訊精密CPBG事業(yè)群與技術(shù)委員會在昆山園區(qū)，熱情接待了到訪的清華大學(xué)企業(yè)家協(xié)會(TEEC)一行。此次交流，不僅是一次企業(yè)展示，更是一次思想碰撞與智慧交融的契機(jī)。
2025-11-20 15:14:48562 電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計。該系
2025-11-03 18:18:052815 
近日，第四屆清華大學(xué)汽車芯片設(shè)計及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會暨校友論壇在蘇州市吳江區(qū)舉行。作為清華大學(xué)自動化系校友，愛芯元智創(chuàng)始人兼董事長仇肖莘博士應(yīng)邀發(fā)表主旨演講，深入剖析了高智價比AI芯片推動智能汽車普惠發(fā)展的實(shí)施路徑。
2025-11-02 09:18:32371 10月25日，第四屆清華大學(xué)汽車芯片設(shè)計及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會暨校友論壇在蘇州舉行。普華基礎(chǔ)軟件副總經(jīng)理兼戰(zhàn)略研究院院長張曉先受邀出席，與來自產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的嘉賓圍繞汽車芯片技術(shù)突破路徑、產(chǎn)業(yè)協(xié)同機(jī)制、資本賦能模式及產(chǎn)學(xué)研協(xié)同等核心議題展開深度對話。
2025-10-29 10:41:40496 晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23351 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動集成電路技術(shù)
2025-09-22 10:53:481312 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
，有沒有一種簡單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場大小來實(shí)現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場，通過外加電場來增大或減小
2025-09-15 15:31:09
傳統(tǒng)的平面場效應(yīng)晶體管開始，經(jīng)鰭式場效應(yīng)晶體管、納米片全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管，向下一代叉形片和互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管發(fā)展，見圖1和圖2所示。
圖1 晶體管架構(gòu)演進(jìn)方向
圖2 晶體管架構(gòu)演進(jìn)路線圖
那在這
2025-09-06 10:37:21
有機(jī)電化學(xué)晶體管（OECT）因其低工作電壓、高信號放大能力和生物相容性，在便攜式生物傳感器領(lǐng)域極具潛力。然而，傳統(tǒng)OECT的致密活性層嚴(yán)重限制了離子滲透與傳輸效率，導(dǎo)致跨導(dǎo)和靈敏度不足。當(dāng)前，開發(fā)
2025-08-18 17:48:538039 
近日，聚焦自動駕駛未來路徑的專題沙龍?jiān)谥嘘P(guān)村國際創(chuàng)新大廈成功舉辦。此次活動由清華大學(xué)五道口金融學(xué)院主辦，北京賽目科技股份有限公司、北京海新域城市更新集團(tuán)提供活動支持，為清華－康奈爾雙學(xué)位金融MBA項(xiàng)目在讀學(xué)生及校友、自動駕駛領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)家們搭建了一個交流與碰撞的平臺。
2025-07-18 16:15:18653 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封高速晶體管雙通道光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封高速晶體管雙通道光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封高速晶體管雙通道光耦合器真值表，密封高速晶體管雙通道光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:33:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射光電晶體管密封光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射光電晶體管密封光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管密封光耦合器真值表，耐輻射光電晶體管密封光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級進(jìn)入2納米時代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022047 
此前，2025年6月4日至6日，清華大學(xué)TOP EE+ 項(xiàng)目于美光上海的參訪活動圓滿舉行。為期三天的活動匯聚了來自清華大學(xué)電子工程系的優(yōu)秀留學(xué)生與美光的多位管理者和工程師，展開了深入的技術(shù)交流與文化互動之旅。
2025-07-07 18:02:131332 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封表面貼裝光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封表面貼裝光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封表面貼裝光電晶體管光耦合器真值表，密封表面貼裝光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-04 18:31:18
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2025-07-04 18:30:49
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2025-07-03 18:31:17
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2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
據(jù)報道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬
2025-07-02 09:52:45831 
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49731 
先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，是納米片晶體管（Nanosheet FET）的延伸和發(fā)展，主要用于實(shí)現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度，以滿足未來半導(dǎo)體工藝中對微縮的需求。叉片晶體管的核心特點(diǎn)是其分叉式的柵極結(jié)構(gòu)
2025-06-20 10:40:07
在微電子系統(tǒng)中，場效應(yīng)晶體管通過柵極電位的精確調(diào)控實(shí)現(xiàn)對主電流通路的智能管理，這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實(shí)現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機(jī)制與電場調(diào)控特性。
2025-06-18 13:41:14695 近日，導(dǎo)遠(yuǎn)科技與清華大學(xué)無錫應(yīng)用技術(shù)研究院（以下簡稱：研究院）達(dá)成合作。導(dǎo)遠(yuǎn)科技將提供高精度定位產(chǎn)品及解決方案，以支持研究院在L4級自動駕駛和人形機(jī)器人領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)及轉(zhuǎn)化落地。
2025-06-12 16:34:59890 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131495 
ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸入信號和輸出柵極驅(qū)動器之間實(shí)現(xiàn)隔離。
2025-05-30 14:14:441382 
導(dǎo)語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412514 
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2025-05-19 18:33:42
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級計算機(jī)）都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183877 LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
ULQ200xA-Q1 器件是高電壓、大電流達(dá)林頓晶體管陣列。每個由七對 npn 達(dá)林頓對組成，這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于切換感性負(fù)載。單對 Darlington 的集電極電流額定值為 500mA。Darlington 對可以并聯(lián)以獲得更高的電流能力。
2025-05-14 15:30:50874 
清華大學(xué)響應(yīng)國家教育新基建戰(zhàn)略，正在加速推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)管理平臺升級：為滿足在線教育、協(xié)同創(chuàng)新及智慧校園的發(fā)展需求，為清華大學(xué)躋身世界一流大學(xué)創(chuàng)造基礎(chǔ)條件，清華大學(xué)攜手華為打造業(yè)內(nèi)首個園區(qū)網(wǎng)絡(luò)智能體
2025-05-07 09:51:15721 晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙
晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動機(jī)驅(qū)動器，因?yàn)?/div>
2025-04-23 11:36:00780 
近日，由開放原子開源基金會、清華大學(xué)計算機(jī)科學(xué)與技術(shù)系、清華大學(xué)軟件學(xué)院主辦的開放原子“校源行”（清華站）在清華大學(xué)成功舉辦。
2025-04-22 16:46:12812 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜，有沒有一種簡單且有效的器件實(shí)現(xiàn)
2025-04-16 16:42:26
2 ，有沒有一種簡單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場大小來實(shí)現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場，通過外加電場來增大或減小
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨器電路設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設(shè)計，放大電路的性能，共發(fā)射極應(yīng)用，觀察射極跟隨器的波形，增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計，射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路，小型功率放大器的設(shè)計和制作
2025-04-14 16:07:46
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242365 
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202749 
前言
在MOSFET驅(qū)動電路中，經(jīng)常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅(qū)動器的情況。這種設(shè)計在PWM控制或電機(jī)驅(qū)動中非常常見，尤其是在需要快速開關(guān)和高效率時。下面是一個典型的帶有BJT的柵極驅(qū)動
2025-03-11 11:14:21
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨電路的設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計與制作，功率放大器的設(shè)計與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計和制作，渥爾曼電路的設(shè)計，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計與制作，差動放大電路的設(shè)計，op放大器電路的設(shè)計與制作等
2025-03-07 13:46:06
的柵極長度、寬度、氧化層厚度等幾何參數(shù)。例如，在7nm制程中，柵極氧化層厚度每減少0.1nm，漏電流可能呈指數(shù)級增加。精確測量這些參數(shù)可確保晶體管性能穩(wěn)定，如實(shí)現(xiàn)低
2025-02-28 14:23:52833 
。 ? 目的 ?：本手冊詳細(xì)闡述了氮化鎵（GaN）晶體管并聯(lián)設(shè)計的具體細(xì)節(jié)，旨在幫助設(shè)計者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?：有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?：在工作
2025-02-27 18:26:311103 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計與制作， 雙管電路的設(shè)計與制作，3~5管電路的設(shè)計與制作，6管以上電路的設(shè)計與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補(bǔ)雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現(xiàn)出低噪聲，使其
2025-02-26 09:29:07866 
HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補(bǔ)雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3102 是一個全 NPN 晶體管陣列，配置為帶有尾部晶體管的雙差分放大器。該陣列基于 Intersil 鍵合晶圓 UHF-1 SOI 工藝，可實(shí)現(xiàn)非常高的 fT （10GHz），同時在整個溫度范圍內(nèi)保持出色的 hFE 和 VBE 匹配特性。集電極漏電流保持在 0 以下。
2025-02-25 16:42:56940 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
繼2024年10月在奇瑞全球創(chuàng)新大會上宣布三體復(fù)合翼飛行汽車成功完成首航后，奇瑞再次帶來飛行汽車領(lǐng)域的最新進(jìn)展。日前，由奇瑞汽車股份有限公司與清華大學(xué)智能交通實(shí)驗(yàn)室共同申請的“分體式飛行汽車”專利正式公開，該專利正是基于奇瑞汽車股份公司與清華大學(xué)智能交通實(shí)驗(yàn)室合作的項(xiàng)目。
2025-02-20 09:14:57871 2月13日，清華大學(xué)與華為技術(shù)有限公司在清華大學(xué)自強(qiáng)科技樓簽署合作協(xié)議，宣布“清華大學(xué)鯤鵬昇騰科教創(chuàng)新卓越中心專項(xiàng)合作”（以下簡稱“卓越中心”）正式啟動。清華大學(xué)副校長曾嶸，中國工程院院士、清華大學(xué)
2025-02-18 16:46:42956 近日，清華大學(xué)與華為技術(shù)有限公司在清華大學(xué)自強(qiáng)科技樓正式簽署合作協(xié)議，共同宣布“清華大學(xué)鯤鵬昇騰科教創(chuàng)新卓越中心專項(xiàng)合作”(簡稱“卓越中心”)正式啟動。 出席簽約儀式的有清華大學(xué)副校長曾嶸
2025-02-18 14:11:581131 。近日，清華大學(xué)深圳國際研究生院曲鈞天助理教授的海洋軟體機(jī)器人與智能傳感實(shí)驗(yàn)室(Ocean Soft-Robot and Intelligent Sensing Lab，OASIS-LAB)在國際期刊
2025-02-14 14:31:071288 
《DeepSeek：從入門到精通》是由清華大學(xué)新聞與傳播學(xué)院新媒體研究中心元宇宙文化實(shí)驗(yàn)室的余夢瓏博士后團(tuán)隊(duì)精心撰寫的一份專業(yè)文檔。該文檔篇幅長達(dá)104頁，文檔的核心內(nèi)容圍繞DeepSeek的技術(shù)
2025-02-14 09:49:1311843 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP52系列晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:36:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4480X晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:530 近日，清華大學(xué)自動化系的11名學(xué)子走進(jìn)華礪智行研學(xué)交流，開展科技前沿探索的社會實(shí)踐活動。
2025-02-13 10:03:19741 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS5350PAS晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 15:09:070 金剛石場效應(yīng)晶體管 (Vth? （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
本資料由清華大學(xué)新聞與傳播學(xué)院新媒體研究中心元宇宙文化實(shí)驗(yàn)室余夢瓏博士后團(tuán)隊(duì)出品，細(xì)致講述了DeepSeek的應(yīng)用技巧。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2025-02-11 09:16:5914314 
由格拉斯哥大學(xué)研究人員領(lǐng)導(dǎo)的一項(xiàng)具有里程碑意義的進(jìn)展可能有助于創(chuàng)造用于大功率電子產(chǎn)品的新一代金剛石基晶體管。 該團(tuán)隊(duì)找到了一種新方法，將金剛石作為晶體管的基礎(chǔ)，該晶體管在默認(rèn)情況下保持關(guān)閉狀態(tài)，這對
2025-02-09 17:38:42748 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTA123ET晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:18:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTC123EMB晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 16:58:190 晶體管中的溝道的電流。柵極電壓的變化使得晶體管在導(dǎo)通和關(guān)閉狀態(tài)之間切換。 ? 多晶硅柵的優(yōu)勢 ? 1. 多晶硅耐高溫。在源漏離子注入后，需要高溫退火。而鋁柵的熔點(diǎn)在六百多攝氏度。而高溫退火過程中，多晶硅柵能夠保持較好的穩(wěn)定性，不易受到影響。 ?
2025-02-08 11:22:461301 
, Gate-all-Around）全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等先進(jìn)結(jié)構(gòu)，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進(jìn)一步微縮的挑戰(zhàn)日益顯現(xiàn)。為了延續(xù)摩爾定律的發(fā)展趨勢，并滿足未來高性能計算的需求，業(yè)界正積極研發(fā)下一代晶體管架構(gòu)——互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管（Complementary FET, CFET）。
2025-01-24 10:03:514438 
近日，清華大學(xué)未央書院“機(jī)動萬里”實(shí)踐支隊(duì)到訪光峰科技進(jìn)行參觀交流，期間與光峰研究院的研發(fā)成員就激光光學(xué)應(yīng)用的創(chuàng)新與發(fā)展，進(jìn)行交流互動。
2025-01-16 10:41:50844 本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體，這一類獨(dú)特的納米材料，預(yù)計將在液晶顯示器、發(fā)光二極管、激光器等新一代設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用
2025-01-13 09:10:191505 
工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學(xué)和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點(diǎn)籽晶 （MPS） 襯底，并成功地在襯底上生長出對角線長度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 近日，中國工程院院士、清華大學(xué)車輛與運(yùn)載學(xué)院教授、智能綠色車輛與交通全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、國家工信部智能網(wǎng)聯(lián)汽車推進(jìn)專家組組長李克強(qiáng)蒞臨理想汽車研發(fā)總部，雙方共同開啟了智能汽車智能化技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的深度
2025-01-09 16:58:221040 2024年底，美光課堂已連續(xù)五年為大學(xué)生授課，已有超過600名來自北京大學(xué)、清華大學(xué)、上海交通大學(xué)和西安交通大學(xué)的學(xué)子參與其中。
2025-01-09 15:31:001001 已全部加載完成
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