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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>美光推出DDR5 RDIMM實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能進(jìn)一步提升

美光推出DDR5 RDIMM實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能進(jìn)一步提升

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2022-11-02 15:16:191278

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Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀

DDR5 RDIMM及支持下代MR-DIMM單體測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps. DDR5內(nèi)存測(cè)試系統(tǒng)
2024-08-06 12:03:07

Rambus推出6400MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步提升服務(wù)器內(nèi)存性能

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高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
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對(duì)于各種不同的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載,F(xiàn)PGA 可以顯著提高性能,最大程度減少附加功耗并降低總體擁有成本 (TCO)。
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手機(jī)射頻元件如何進(jìn)一步集成?

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請(qǐng)問(wèn)如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)?

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進(jìn)一步分析高速模塊應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的現(xiàn)狀

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松下將進(jìn)一步提升超級(jí)工廠產(chǎn)能,電池產(chǎn)量可到54 GWh

隨著特斯拉電動(dòng)汽車(chē)交付量的提升和國(guó)產(chǎn)Model 3下線,松下或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">進(jìn)一步提升Giga factory 1工廠的產(chǎn)能以滿足特斯拉的需求。
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最新DDR5內(nèi)存開(kāi)始出樣,性能更強(qiáng)功耗更低

2020年AMD、Intel即將推出的新代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:245503

宣布開(kāi)始出樣DDR5內(nèi)存 基于1Znm工藝打造

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宣布出樣DDR5內(nèi)存 它的特性有哪些

于前日宣布已經(jīng)開(kāi)始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:044221

DDR5 RDIMM內(nèi)存采用288引腳,有望將芯片運(yùn)行電壓降至1.1V

根據(jù)消息報(bào)道,他們?cè)贑ES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹,DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采用了288個(gè)引腳,但是引腳布局和設(shè)計(jì)與DDR4有所不同,兩者互不兼容。
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大多DRAM廠商DDR5相應(yīng)產(chǎn)品發(fā)售,DDR5能成為市場(chǎng)的主流嗎

目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:433479

中國(guó)區(qū)已恢復(fù)生產(chǎn) 但DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計(jì)劃已經(jīng)推遲

韓媒報(bào)道稱美國(guó)美公司在中國(guó)地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過(guò)方面否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道。
2020-03-12 08:49:21630

低功耗DDR5 DRAM 芯片,挖掘移動(dòng)設(shè)備5G潛能

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片。
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低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機(jī)已搭載的低功耗DDR5 DRAM芯片,為用戶帶來(lái)完整的5G功能體驗(yàn)。
2020-04-27 16:00:001254

5G進(jìn)一步助力社會(huì)經(jīng)濟(jì)的數(shù)字轉(zhuǎn)型

秦飛認(rèn)為,R16版本針對(duì)終端在實(shí)際網(wǎng)絡(luò)中的用戶體驗(yàn),也將進(jìn)一步得到提升,例如終端的功耗將進(jìn)一步降低,有望在享受5G超大帶寬和更多流量的情況下相比4G能耗相當(dāng)。此外,終端支持的頻段和頻率組合更加豐富,多天線性能進(jìn)一步提升,峰值速率得到提高,毫米波場(chǎng)景下的移動(dòng)性和抗遮擋魯棒性提高。
2020-07-13 15:53:15869

瑞薩電子推出低功耗DDR5數(shù)據(jù)緩沖器,可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的控制平面架構(gòu)

2020 年 9 月 9 日,日本東京訊 - 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案及內(nèi)存接口產(chǎn)品供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)今日宣布,面向數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器和高性能工作站應(yīng)用推出全新高速、低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器。
2020-09-09 15:19:153102

DDR5內(nèi)存將面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:513254

DDR5最大優(yōu)勢(shì)是容量而非速度

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份,JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:394727

OPPO在印度成立5G創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,將進(jìn)一步提升在印度5G領(lǐng)域技術(shù)影響力

OPPO今日宣布在印度海德拉巴研發(fā)中心成立5G創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,著力于在5G互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)下的核心產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)。印度5G創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室的成立是OPPO進(jìn)一步推動(dòng)全球5G商用的關(guān)鍵舉措,將進(jìn)一步提升在印度5G領(lǐng)域
2020-12-23 09:10:56615

DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)

回顧2020年,在新基建的驅(qū)動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展的新契機(jī)。這趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新代產(chǎn)品迭代,國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14日
2021-05-01 09:31:002974

推出最新產(chǎn)品 為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)PCIe 4.0性能

全球最廣泛的 NVMe 數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品組合, 具備新代外形規(guī)格及增強(qiáng)的數(shù)據(jù)安全性能 2021 年 10 月 13 日,上海 —內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron
2021-10-18 12:59:101940

正式推出全新Crucial英睿達(dá)DDR5內(nèi)存

公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:162523

DDR5 32GB VLP RDIMM工規(guī)內(nèi)存模塊的特點(diǎn)

隸屬于SGH (Nasdaq: SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊,這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:473342

什么是驅(qū)動(dòng)DDR5 有什么新功能

  與前幾代 DDR 存儲(chǔ)器接口產(chǎn)品樣,瑞薩的器件在性能和可靠性方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。瑞薩擁有完整的 IC 系列來(lái)開(kāi)發(fā)高性能 DDR5 DIMM,包括 - RDIMM、LRDIMM、NVDIMM、UDIMM、SODIMM、游戲 DIMM 以及用于服務(wù)器和客戶端內(nèi)存下降應(yīng)用的內(nèi)存接口產(chǎn)品。
2022-04-26 09:10:324700

科技推出全新DDR5服務(wù)器DRAM

合作伙伴推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺(tái)的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。全新
2022-07-07 14:45:573042

Rambus推出DDR5串行檢測(cè)集線器和溫度傳感器

據(jù)Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門(mén)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁John Eble介紹,雖然RDIMM和LRDIMM相對(duì)于DDR4的設(shè)計(jì)并沒(méi)有太多的變化,但是在DDR5模塊本身的配置卻有著重大的改變。諸多的關(guān)鍵變化幫助DDR5滿足了最新的技術(shù)要求。
2022-08-31 09:20:322615

DDR5內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代AMD EPYC處理器平臺(tái)出貨

) 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的 CPU,其單個(gè) CPU 內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這瓶頸, DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬,從而提升可靠性和可
2022-11-21 14:30:21741

DDR5滲透率快速提升 長(zhǎng)電科技有備而來(lái)

對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。 相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì) ,給用戶帶來(lái)更佳的可靠性和擴(kuò)展性,市場(chǎng)前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-22 10:51:521552

DDR5滲透率快速提升 長(zhǎng)電科技高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)

對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì),給用戶帶來(lái)更佳的可靠性和擴(kuò)展性,市場(chǎng)前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-24 16:17:532839

DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器,提升高性能計(jì)算工作負(fù)載

服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間,在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測(cè)試。目前適用于數(shù)據(jù)中心DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM (霄龍)處理器均已出貨,我們對(duì)其進(jìn)行了些常見(jiàn)的高性能計(jì)算(HPC)工作負(fù)載基準(zhǔn)測(cè)試。 長(zhǎng)期以來(lái),超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型
2022-12-19 17:47:431367

推出性能數(shù)據(jù)中心SSD,應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的工作負(fù)載挑戰(zhàn)

全球 OEM 客戶對(duì)服務(wù)器最高存儲(chǔ)性能的需求。 9400 SSD 為管理最嚴(yán)苛的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載而設(shè)計(jì),尤其是人工智能(AI)訓(xùn)練、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和高性能計(jì)算(HPC)應(yīng)用。該款 SSD 擁有
2023-01-13 10:55:302499

DDR5為第四代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器家族帶來(lái)更強(qiáng)的性能和可靠性

,性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強(qiáng)的性能外, DDR5 內(nèi)存還設(shè)有片上糾錯(cuò)碼 (ODECC) 和有限故障等功能,可提升整個(gè)數(shù)據(jù)中心的可靠性。ODECC 功能可糾正單比特錯(cuò)誤并檢測(cè)多比特錯(cuò)
2023-01-17 09:20:022645

DDR5 為第四代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理器家族帶來(lái)更強(qiáng)可靠性

股票代碼:MU)近日宣布,公司旗下面向數(shù)據(jù)中心DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理器系列產(chǎn)品中完成驗(yàn)證。 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了翻番,為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的處理器內(nèi)核提供更強(qiáng)賦能。升級(jí)到 DDR5 將帶來(lái)更高的帶寬,有助于充分
2023-01-18 15:26:531180

Rambus利用RCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)6.4GT/s DDR5!

內(nèi)存帶寬大小在現(xiàn)代計(jì)算中非常重要,在數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景下尤為如此。在不久的將來(lái),DDR5內(nèi)存將提供比DDR4更大的改進(jìn),同時(shí)可以長(zhǎng)期提高內(nèi)存的理論最大性能。RCD在服務(wù)器級(jí)內(nèi)存性能中起著至關(guān)重要的作用,使其成為DDR5發(fā)展過(guò)程中的個(gè)重要里程碑。
2023-02-23 09:29:582000

DDR5內(nèi)存與上DDR4之間的些關(guān)鍵區(qū)別到底是什么?

DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)的滲透率正在進(jìn)一步提高,進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:173999

DDR5DDR4的關(guān)鍵區(qū)別在哪里?

DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%,2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5,服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。
2023-04-18 11:36:473238

推出面向數(shù)據(jù)中心的6500 ION SSD與XTR SSD,再創(chuàng)存儲(chǔ)新高

SSD。這兩款產(chǎn)品通過(guò)降低運(yùn)營(yíng)成本并提高存儲(chǔ)效率,為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更多競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),以應(yīng)對(duì)當(dāng)今數(shù)據(jù)量急劇增長(zhǎng)的趨勢(shì)。 6500 ION 是款大容量的 SSD,能提供卓越的性能,并使數(shù)據(jù)中心更節(jié)能,比
2023-05-19 09:42:064835

通過(guò)博通和希捷實(shí)現(xiàn)卓越的數(shù)據(jù)中心性能雙執(zhí)行器硬盤(pán)存儲(chǔ)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過(guò)博通和希捷實(shí)現(xiàn)卓越的數(shù)據(jù)中心性能雙執(zhí)行器硬盤(pán)存儲(chǔ).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-22 10:31:021

瀾起科技:DDR5第二子代RCD芯片已小規(guī)模出貨,預(yù)計(jì)需求將進(jìn)一步提升

 瀾起科技還介紹說(shuō),根據(jù)存儲(chǔ)接口芯片的價(jià)格規(guī)律,般來(lái)說(shuō),新代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級(jí),其起銷(xiāo)價(jià)格會(huì)比上代有所提高,上代產(chǎn)品的售價(jià)會(huì)逐漸降低。為了保持存儲(chǔ)接口芯片產(chǎn)品的平均售價(jià),使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比,ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷(xiāo)售價(jià)格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:341795

推出DDR5 DRAM:速度7200MT/s,每瓦性能提高33%

公司的1β制造工藝使用本公司的新代高k金屬柵極工程(hkmg), 16gb芯片的比特密度和能源效率分別比1a節(jié)點(diǎn)提高35%和15%。新技術(shù)有助于制造ddr5、lpddr5x芯片。
2023-10-11 14:34:371740

利用1β工藝技術(shù)提供高速7,200 MT/s DDR5內(nèi)存

隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載所需cpu核心數(shù)量的增加,對(duì)更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加,克服了“內(nèi)存墻”問(wèn)題,優(yōu)化了總擁有費(fèi)用。公司的 1β DDR5 DRAM 可以進(jìn)一步擴(kuò)展性能,支持數(shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)之間的人工智能(ai)訓(xùn)練和推理
2023-10-13 10:55:041573

科技發(fā)布1β制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)的16Gb DDR5存儲(chǔ)器,領(lǐng)先業(yè)界

DDR5 DRAM 可擴(kuò)大運(yùn)算能力,并以更高性能輔佐資料中心及客戶端平臺(tái),支持 AI 訓(xùn)練及推論、生成式 AI、資料分析、存儲(chǔ)器資料庫(kù)等。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品在現(xiàn)有模組化密度中,速率可達(dá) 4800MT/s 至 7200MT/s,適用于資料中心及客戶端應(yīng)用。
2023-10-19 16:03:001261

瀾起科技在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03

2023年10月27日,瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03,該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組,旨在進(jìn)一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度及穩(wěn)定性,滿足新代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)容量、帶寬、訪問(wèn)延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:411770

推出單條128GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存:能效提升24%

性能方面,公司表示,將128gb ddr5 rdimm產(chǎn)品的單位容量提高了45%以上,能源效率提高了24%,延時(shí)率大幅減少到16%,ai訓(xùn)練效率提高到了28%。
2023-11-29 14:08:511500

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297

Rambus 通過(guò)業(yè)界首款第四代 DDR5 RCD 提升數(shù)據(jù)中心服務(wù)器性能

DDR5 模塊解決方案,其內(nèi)存帶寬提高了 50%。它支持服務(wù)器主內(nèi)存性能的快速提升,以滿足生成式人工智能和其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作
2023-12-28 11:21:571133

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR5 RCD04)

近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:581532

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片

瀾起科技,直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新,近日再次實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過(guò)不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級(jí),他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片(DDR5 RCD04),進(jìn)一步鞏固了其在這領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:111768

瀾起科技:DDR5第三子代RCD芯片將隨新代CPU平臺(tái)規(guī)模出貨

瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè),DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過(guò)第子代RCD芯片。更進(jìn)一步,DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:351769

英飛凌重組銷(xiāo)售與營(yíng)銷(xiāo)組織,進(jìn)一步提升以客戶為中心的服務(wù)及領(lǐng)先的應(yīng)用支持能力

【 2024 年 2 月 28 日,德國(guó)慕尼黑訊】 為實(shí)現(xiàn)有雄心的增長(zhǎng)目標(biāo),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正進(jìn)一步強(qiáng)化其銷(xiāo)售組織。自3月1日起,英飛凌的銷(xiāo)售
2024-03-01 16:31:30979

DDR5測(cè)試技術(shù)更新漫談

工業(yè)類設(shè)備,從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心,用于CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理運(yùn)算的緩存。近20多年來(lái),經(jīng)歷了從SDRAM發(fā)展到DDR RAM,又從DDR發(fā)展到目前的DDR5,每DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步,極大地推動(dòng)了計(jì)算性能提升。 二、DDR標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展和DDR5簡(jiǎn)介 圖1展
2024-04-01 11:37:022646

率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品

– Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM
2024-05-09 14:05:17519

科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,
2024-05-09 14:27:401669

率先出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品

科技近日在業(yè)界取得重大突破,成功驗(yàn)證并率先推出款針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品。這款新產(chǎn)品基于大容量32Gb單塊DRAM芯片,構(gòu)建成了128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,其傳輸速率在主流服務(wù)器平臺(tái)上高達(dá)5600 MT/s,展現(xiàn)了卓越的性能。
2024-05-10 09:38:31838

南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒,四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計(jì)劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量,預(yù)計(jì)明年產(chǎn)量將會(huì)進(jìn)一步增加。
2024-05-30 15:41:092438

Rambus 通過(guò) DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級(jí)數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組

提供業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5 服務(wù)器 PMIC,滿足AI及其他高級(jí)工作負(fù)載對(duì)最高性能與容量?jī)?nèi)存模塊的需求 通過(guò)全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù)器 為 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存模塊提供完整
2024-06-21 11:29:45744

推出數(shù)據(jù)中心SSD產(chǎn)品9550 NVMe SSD新品

科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,推出數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品 9550 NVMe SSD,性能業(yè)界領(lǐng)先,同時(shí)具備卓越的 AI 工作負(fù)載性能及能效。1 9550 SSD
2024-07-29 18:12:392002

發(fā)布全新數(shù)據(jù)中心SSD

近日,全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商科技股份有限公司宣布了項(xiàng)重大創(chuàng)新成果——9550 NVMe? SSD的正式推出。這款專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的高端存儲(chǔ)產(chǎn)品,以業(yè)界領(lǐng)先的性能表現(xiàn)脫穎而出,同時(shí)在處理AI工作負(fù)載時(shí)展現(xiàn)出非凡的能效與穩(wěn)定性。
2024-07-30 16:41:191169

星坤DDR5 SMT RDIMM金手指連接器:云端存儲(chǔ)與高性能計(jì)算的未來(lái)

在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代,數(shù)據(jù)的快速增長(zhǎng)和處理需求對(duì)電子元器件提出了更高的要求。星坤電子以其創(chuàng)新的DDR5 SMT RDIMM【X9413 X9414 series】金手指連接器,為云端存儲(chǔ)設(shè)備、伺服器
2024-09-09 14:31:491053

順絡(luò)電子推出DDR5電感新方案,助力高效普及

近日,順絡(luò)電子近期推出了全新的低損耗電感系列產(chǎn)品。這創(chuàng)新方案由WT系列與WCX系列組合而成,旨在為用戶提供高性能、高可靠性以及更低成本的電感解決方案,進(jìn)一步推動(dòng)DDR5技術(shù)的普及與發(fā)展。 WT系列
2024-10-25 11:09:011414

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5DDR4的主要區(qū)別

實(shí)現(xiàn)性能提升。 2.1 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率比DDR4更高。DDR4的最高速度為3200MT/s,而
2024-11-22 15:38:037940

DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異

DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)據(jù)
2024-11-29 14:58:405418

亞馬遜云科技推出全新數(shù)據(jù)中心組件,支持AI創(chuàng)新并進(jìn)一步提升能效

re:Invent全球大會(huì)上,宣布推出系列數(shù)據(jù)中心新組件,旨在支持新代人工智能(AI)創(chuàng)新并滿足客戶不斷變化的需求。亞馬遜云科技通過(guò)對(duì)電源、冷卻和硬件設(shè)計(jì)等進(jìn)行的系列創(chuàng)新,構(gòu)建了個(gè)更加節(jié)能的數(shù)據(jù)中心,為客戶進(jìn)一步創(chuàng)新奠定基礎(chǔ)。亞馬遜云科技在全球
2024-12-11 17:34:03695

瑞薩電子推出第六代DDR5 RCD,傳輸速率達(dá)9600MT/s

)的數(shù)據(jù)速率,超越當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的內(nèi)存接口性能樹(shù)立了全新標(biāo)桿。 ? ? 瑞薩第六代DDR5 RCD帶來(lái)了多方面的顯著提升。首先,在帶寬方面,相較于瑞薩第五代RCD的8800MT/s,此次新品實(shí)現(xiàn)了10%的提升,達(dá)到9600MT/s。這一提升使得數(shù)據(jù)傳輸更加高效,能夠滿足日
2025-11-19 15:59:055454

DDR5規(guī)范重磅面世,揭幕下代內(nèi)存大戰(zhàn)!

7月15日,JEDEC正式公布了全新的DDR5標(biāo)準(zhǔn),劍指下代高性能計(jì)算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱,DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設(shè)計(jì)的,不僅包括客戶端系統(tǒng),還有高性能服務(wù)器,為未來(lái)的數(shù)據(jù)中心和計(jì)算機(jī)改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:518746

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