去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存，但去年各大平臺DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價格，加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問題，這第一批DDR5內(nèi)存并沒有在市場上掀起多大的風浪。然而
2022-07-12 08:27:00
8644 宣布采用行業(yè)領(lǐng)先的 1z 納米制程的 DDR5 寄存型 DIMM (RDIMM) 已開始出樣。DDR5 是迄今為止技術(shù)上最為先進的 DRAM，其內(nèi)存性能提升至少 85%，從而應(yīng)對下一代服務(wù)器負載。如今
2020-02-10 12:02:381113 高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬。
2020-09-09 11:48:39793 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆?，F(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準備
2021-04-27 09:00:0013496 內(nèi)存。DDR5內(nèi)存與上一代產(chǎn)品DDR4內(nèi)存相比，無論是在內(nèi)存上還是頻率上都有不小的提升，在頻率方面DDR5起步就有4800MHz，而DDR4的一般頻率為3200MHz，即使在超頻狀態(tài)下也只達到了4266MHz。在內(nèi)存領(lǐng)域有一個說法叫內(nèi)存制勝論，頻率越高，內(nèi)存的性能越高，DDR5具有較大的性能優(yōu)勢。
2021-10-25 08:00:004032 Rambus發(fā)布業(yè)界首款5600 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD），進一步提升服務(wù)器存儲性能。
2021-11-17 10:31:562183 
年Q3，DDR4在PC行業(yè)占有率依然達到96.7%，服務(wù)器行業(yè)占有率為98%。因此，準確來說，目前依然是DDR4時代，正處于DDR5蓄勢爆發(fā)的前夜。 Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營銷副總裁
2022-08-31 09:23:201561 隨著服務(wù)器和個人電腦制造商相繼發(fā)布支持DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，越來越多的系統(tǒng)正在轉(zhuǎn)向新一代內(nèi)存模塊，2022年也成為了DDR5的啟用年。特別是在數(shù)據(jù)中心，處理器內(nèi)核數(shù)量的增加所帶動的內(nèi)存帶寬和容量需求
2022-11-02 15:16:19630 
Error Correction Code)
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
先生大概看了下，從大的方面來看主要就是容量和速率的更新，伴隨著電平的進一步降低，另外從內(nèi)部來看，包括了突發(fā)長度，預存取的增加還有就是加入了檢驗和糾錯的ECC技術(shù)，會使得內(nèi)存系統(tǒng)運行起來更具穩(wěn)定性。而從
2021-08-12 15:42:06
和半導體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD），并向各大DDR5內(nèi)存模塊（RDIMM）制造商提供樣品。相比第一
2023-02-22 10:50:46
及設(shè)備用電安全的需要，更進一步提高電源的可靠性，及時發(fā)現(xiàn)供電隱患，提高設(shè)備的運行壽命，對電源進行在線管理已經(jīng)成為普遍的需求。針對早期的UPS電源的RS232標準，已經(jīng)無法滿足目前計算機硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
進一步理解量子力學經(jīng)典理論與應(yīng)用 多方面豐富相關(guān)圖表為了進一步深入理解量子力學理論經(jīng)典及其應(yīng)用，從多個方面豐富內(nèi)容，附圖頁碼一致，符合國際標準。聲學，聲波自然現(xiàn)象，以及經(jīng)典原子理論的應(yīng)用等對理解量子力學經(jīng)典之波的概念有益。大灣區(qū)2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
rx4640動能服務(wù)器上。 HP 9000 rp4440-8服務(wù)器支持高達64GB的DDR內(nèi)存，每個處理器為8GB。它還擁有一系列高可用特性，包括熱插拔硬盤驅(qū)動器、熱更換冗余電源、N+1根電源線、熱更換
2009-11-13 22:02:04
SOP位移傳感器防水功能將進一步提高位移傳感器應(yīng)用的行業(yè)越來越廣，使用的環(huán)境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環(huán)境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
你好，我有一個小問題。我使用100m時鐘芯片。每個時鐘只有10ns，ad9106寄存器的最小輸出波形只有100Hz。如何將波形頻率設(shè)置為進一步降低到10Hz？我已將配置設(shè)置為相關(guān)寄存器的最大值。拍
2023-12-01 06:12:19
不同環(huán)境下而已。 如： 添加了S5PV210的系統(tǒng)時鐘函數(shù)之后，要添加宏，一樣根據(jù)S5PC110來： PLL輸入時鐘為24MHz。 dram_init 中的初始化在board/samsung/smdkv210/smdkv210.c中。 這樣，又進一步簡單的定制了自己的單板信息。
2015-09-07 11:38:52
摘要： 阿里云GPU云服務(wù)器全力支持AI生態(tài)發(fā)展，進一步普惠開發(fā)者紅利，本周將會推出針對異構(gòu)計算GPU實例GN5年付5折的優(yōu)惠活動，希望能夠打造良好的AI生態(tài)環(huán)境，幫助更多的人工智能企業(yè)以及項目順利
2017-12-26 11:22:09
項目名稱：進行進一步學習和研究試用計劃：此前一直從事單片機開發(fā)，想進一步深入學習各種MCU，看到有此活動，特來申請。也為下一步項目無人機攝像頭驅(qū)動選擇合適的芯片。
2020-04-23 10:36:17
，這還沒有考慮硬件的限制和電流實際上達不到光速。相比之下，寄存器在CPU內(nèi)部，當然讀起來會快一點。距離對于桌面電腦影響很大，對于手機影響就要小得多。手機CPU的時鐘頻率比較慢（iPhone 5s為
2015-12-27 10:19:01
進一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。在內(nèi)存密度方面，DDR5內(nèi)存標準將允許單個內(nèi)存芯片的密度達到64Gbit，這比DDR4內(nèi)存標準的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度，再結(jié)合多芯片封裝技術(shù)，可以實現(xiàn)最高40
2022-10-26 16:37:40
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
內(nèi)存也是內(nèi)存(RAM)，具有一些特有的技術(shù)從而有著極高的穩(wěn)定性和糾錯性能。最直觀的分辨服務(wù)器內(nèi)存與普通內(nèi)存的方法就是看條子上的字有沒有帶ECC模塊。◆◆現(xiàn)我司大量在服務(wù)器內(nèi)存條，收購威剛服務(wù)器內(nèi)存
2021-01-07 17:43:17
各位大俠好，最近公司要求將CC2640R2模塊的功耗進一步縮減，我應(yīng)公司要求做了一個最簡電路，目前外圍電阻、電位器、LED等繁雜的元件已盡數(shù)砍掉，現(xiàn)在測量出僅中心的綠板CC2640R2模塊待機功耗在
2019-10-21 10:02:32
如何進一步加強對RFID的安全隱私保護？
2021-05-26 06:09:27
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
一、引言內(nèi)存是嵌入式系統(tǒng)中的關(guān)鍵資源，內(nèi)存占用主要是指軟件系統(tǒng)的內(nèi)存使用情況。本篇博客將介紹如何分析內(nèi)存使用以便進行進一步優(yōu)化內(nèi)存占用相關(guān)的基礎(chǔ)概念和相關(guān)工具。二、內(nèi)存占用內(nèi)存占用是應(yīng)用程序運行時
2021-12-15 06:05:33
本設(shè)計實例進一步拓展了以前將步進電機驅(qū)動器集成到CPLD中的設(shè)計。
2021-05-06 07:01:05
本文詳細介紹了如何理解兩種類型時鐘驅(qū)動器的抖動參數(shù)，以及從鎖相環(huán)輸出噪聲特性理解時鐘器件作為合成器、抖動濾除功能時的噪聲特性。
2021-04-07 06:30:45
如何讓計算機視覺更進一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
傳感器為震動速度傳感器，待提取信號頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV，原來采用AD620放大，現(xiàn)在希望進一步降低功耗與噪聲，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
網(wǎng)絡(luò)時間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
軟件還遠遠不夠。。。它的性能被進一步提升，使用起來比之前任何時候都要簡單。首先，在WEBENCH? Filter Designer登錄頁內(nèi)，你可以輕松進入濾波器設(shè)計工具軟件。圖1顯示的是你的第一個濾波器
2018-09-04 14:59:10
如何進一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
內(nèi)存也是內(nèi)存(RAM)，具有一些特有的技術(shù)從而有著極高的穩(wěn)定性和糾錯性能。最直觀的分辨服務(wù)器內(nèi)存與普通內(nèi)存的方法就是看條子上的字有沒有帶ECC模塊?！簟衄F(xiàn)我司大量在服務(wù)器內(nèi)存條，收購威剛服務(wù)器內(nèi)存
2021-09-22 19:20:15
安森美推出NB7L585等多款時鐘驅(qū)動器，支持不同的接口選擇
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布擴充公司的時鐘驅(qū)動器系列，推出NB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M差分2：1多工
2010-02-01 10:01:02917 Rambus Inc.（納斯達克：RMBS）8月26日宣布推出用于RDIMM與LRDIMM［i］的R+ DDR4服務(wù)器內(nèi)存芯片組RB26，該芯片組擁有優(yōu)異的性能與高容量，能夠充分滿足企業(yè)與數(shù)據(jù)中心服務(wù)器
2015-08-27 09:02:011772 PCF1171C 4 位LCD 汽車時鐘驅(qū)動器
2017-01-24 17:21:04
11 下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002096 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:244664 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:382779 
美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:008968 中應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示，今年預計會有不少廠商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:122481 擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組，有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示，正在積極布局導入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
2020-12-02 16:04:361735 DDR5的量產(chǎn)。 有知情人透露，嘉合勁威目前正積極與芯片廠商溝通，引入和研發(fā)最新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，并且已經(jīng)開始籌備DDR5生產(chǎn)線，最快將在2021年的第二季度推出單條16GB的DDR5內(nèi)存條。 雖然，嘉合勁威不太可能是全球最早推出DDR5內(nèi)存條的廠商，不過很有可能
2020-12-08 17:14:252447 AD246：時鐘驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-14 19:40:129 DDR5內(nèi)存的第二大改良是工作電壓（VDD）有所下降，進而帶來功耗的相應(yīng)降低。采用DDR5之后，DRAM、緩沖芯片寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）和數(shù)據(jù)緩沖器（DB）的供電電壓從1.2V下降到1.1V。
2021-04-20 15:22:374788 日，JEDEC發(fā)布了DDR5 SDRAM標準，標志著整個行業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM）過渡。DDR5內(nèi)存帶來了一系列重要改進，有望幫助下一代服務(wù)器實現(xiàn)更好的性能和更低的功耗。以下是DDR5內(nèi)存的五大亮點。
2021-05-01 09:31:002057 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達 DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784 2021年10月9日北京訊，全球存儲領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺認證，這是一個重要的里程碑，因為金士頓的DDR5內(nèi)存是首個通過英特爾DDR5平臺兼容性認證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161134 與前幾代 DDR 存儲器接口產(chǎn)品一樣，瑞薩的器件在性能和可靠性方面處于市場領(lǐng)先地位。瑞薩擁有完整的 IC 系列來開發(fā)高性能 DDR5 DIMM，包括 - RDIMM、LRDIMM、NVDIMM、UDIMM、SODIMM、游戲 DIMM 以及用于服務(wù)器和客戶端內(nèi)存下降應(yīng)用的內(nèi)存接口產(chǎn)品。
2022-04-26 09:10:322854 
M88DR5RCD02符合最新的JEDEC第二子代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD02）標準，與第一子代產(chǎn)品（M88DR5RCD01）相比，RCD02最高支持速率提升16.67%。
2022-05-09 10:32:541204 去年年底以來，DDR5相關(guān)的話題一直保持較高的熱度，究其原因，一是等了這么久，總算盼來了新的生產(chǎn)力工具；二是相比于上一代，DDR5不管是外觀還是性能方面都有著變革性的提升。如頻率翻倍，起步
2022-05-24 16:29:38955 
合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:572298 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 推出集成到服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存模塊芯片組中的串行檢測集線器（SPD Hub）和溫度傳感器 ? 與業(yè)界領(lǐng)先的DDR5 RCD相互補充，提供領(lǐng)先的帶寬和容量 ? 改進系統(tǒng)管理和熱控制，降低總體擁有
2022-08-18 17:35:56463 
Hub）和溫度傳感器，為業(yè)界領(lǐng)先的Rambus 寄存器時鐘驅(qū)動器(RCD)提供補充。DDR5通過采用帶有擴展芯片組的新模塊架構(gòu)，實現(xiàn)了更大的內(nèi)存帶寬和容量。同時，SPD Hub和溫度傳感器還改進了DDR5 雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)的系統(tǒng)管理和熱控制，在服務(wù)器、臺式機和筆記本電腦所需的功
2022-08-18 19:49:49440 據(jù)Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營銷副總裁John Eble介紹，雖然RDIMM和LRDIMM相對于DDR4的設(shè)計并沒有太多的變化，但是在DDR5模塊本身的配置卻有著重大的改變。諸多的關(guān)鍵變化幫助DDR5滿足了最新的技術(shù)要求。
2022-08-31 09:20:321495 瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第一子代時鐘驅(qū)動器（簡稱CKD或DDR5CK01）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺式機和筆記本電腦的內(nèi)存。
2022-09-01 09:26:23737 瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第一子代時鐘驅(qū)動器（簡稱CKD或DDR5CK01）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺式機和筆記本電腦的內(nèi)存。
2022-09-01 11:32:09871 (CXL?)內(nèi)存模塊XMM CXL內(nèi)存模塊。SMART Modular的這款新型 DDR5 XMM CXL 模塊通過CXL接口增加緩存一致性內(nèi)存，可提升服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的運算性能，更能超越現(xiàn)今大多數(shù)服務(wù)器只有 8信道或12信道的限制，進一步擴展大數(shù)據(jù)處理能力。
2022-09-01 15:38:06993 作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分，SPD Hub和溫度傳感器與RCD相結(jié)合，能夠為DDR5計算系統(tǒng)提供高性能、大容量的內(nèi)存解決方案。SPD Hub和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵組件，可以感知并報告用于系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。
2022-09-23 10:49:531996 “溫度傳感器（TS）則負責在DIMM的不同位置提供高精度的溫度信息?！盝ohn Eble解釋說，他進一步指出，這兩款芯片都是Rambus行業(yè)領(lǐng)先的DDR5 RCD的補充，以提供最先進的帶寬和容量。
2022-09-30 12:59:341525 Rambus是DDR5 RCD領(lǐng)域的領(lǐng)導者，從2016年就開始了DDR5相關(guān)的研發(fā)，擁有豐富的經(jīng)驗。RCD位于DIMM的中心位置，接收來自內(nèi)存控制器的命控制和地址總線上的信號。
2022-11-02 11:35:311000 對存儲系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。 相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢 ，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-22 10:51:52822 對存儲系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。 反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的
2022-11-24 16:17:531614 瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第三子代寄存時鐘驅(qū)動器（簡稱RCD或DDR5 RCD03）工程樣片，并已向業(yè)界主流內(nèi)存廠商送樣，該產(chǎn)品將用于新一代服務(wù)器內(nèi)存模組。 新產(chǎn)品速覽 DDR5第三
2022-12-01 11:08:29247 2022年12月1日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第三子代寄存時鐘驅(qū)動器（簡稱RCD或DDR5 RCD03）工程樣片，并已向業(yè)界主流內(nèi)存廠商送樣，該產(chǎn)品將用于新一代服務(wù)器內(nèi)存模組。
2022-12-01 13:03:20553 內(nèi)存帶寬大小在現(xiàn)代計算中非常重要，在數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景下尤為如此。在不久的將來，DDR5內(nèi)存將提供比DDR4更大的改進，同時可以長期提高內(nèi)存的理論最大性能。RCD在服務(wù)器級內(nèi)存性能中起著至關(guān)重要的作用，使其成為DDR5發(fā)展過程中的一個重要里程碑。
2023-02-23 09:29:58630 供應(yīng)商，Rumbus在第一代和第二代DDR5 RCD產(chǎn)品已經(jīng)取得先機。最近，Rumbus推出第三代DDR5 RCD產(chǎn)品，這也是為了順應(yīng)服務(wù)器CPU性能和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷升級的趨勢。Rambus內(nèi)存互連
2023-03-02 10:27:133846 
DDR5在服務(wù)器市場的滲透率正在進一步提高，進入放量期。
2023-04-15 10:23:171782 DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%，2024年則將進一步擴大至 43%。服務(wù)器市場可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471606 Rambus預計服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強勁增長。市場調(diào)研機構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5的拐點可能會在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19342 
新品速遞 全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）。憑借這些全新
2023-06-29 18:15:03359 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512824 金泰克在存儲領(lǐng)域不斷追求創(chuàng)新和突破，致力于提高產(chǎn)品性能、效能和用戶體驗。9月6日，金泰克新品超頻DDR5 SODIMM內(nèi)存正式發(fā)布上市，該內(nèi)存基頻為5600MT/s，容量為16GB，并支持Intel
2023-09-07 09:50:07627 
在全默認設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當。
2023-09-15 10:40:42752 
隨著數(shù)據(jù)中心工作負載所需cpu核心數(shù)量的增加，對更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加，克服了“內(nèi)存墻”問題，優(yōu)化了總擁有費用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以進一步擴展性能，支持數(shù)據(jù)中心和客戶端平臺之間的人工智能（ai）訓練和推理
2023-10-13 10:55:04617 2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務(wù)器平臺對容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:41509 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40214 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出最先進的第四代?DDR5 寄存時鐘驅(qū)動器 (RCD)，并于 2023
2023-12-28 11:21:57211 近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 和DDR5的主要特點。LPDDR5是為移動設(shè)備設(shè)計的內(nèi)存標準，它具有低功耗的特點，能夠提供高帶寬和大容量的存儲。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存標準，它更注重性能和可靠性。 在時序方面，LPDDR5的時序比DDR5慢。這是因為LPDDR5的主要目標是降低功耗，因此它采用
2024-01-04 10:22:061166 瀾起科技，這一在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域具有領(lǐng)先地位的公司，近日發(fā)布了一款引人注目的新產(chǎn)品——DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（DDR5 RCD04）。這款新產(chǎn)品的最大亮點在于其高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，相較于DDR5第一子代的RCD，速率提升了驚人的50%。
2024-01-07 16:28:24442 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052882 將隨著支持內(nèi)存速率6400MT/S的新一代服務(wù)器CPU平臺的發(fā)布而開始規(guī)模出貨。此外，DDR5第四子代RCD芯片的工程樣片已經(jīng)送樣給主要的內(nèi)存廠商進行評估。
2024-02-02 10:27:35243 DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34119 該內(nèi)存速度高達5600MT/s，并可同時兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:0593 7月15日，JEDEC正式公布了全新的DDR5標準，劍指下一代高性能計算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱，DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設(shè)計的，不僅包括客戶端系統(tǒng)，還有高性能服務(wù)器，為未來的數(shù)據(jù)中心和計算機改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:516669
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