就在Intel稍早以公開信件說明近期處理器產(chǎn)能受限，并且針對市場供貨短缺情況致歉，市場傳出三星將協(xié)助Intel生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產(chǎn)能需求。 根據(jù)韓聯(lián)社引述消息來源
2019-11-29 09:36:41
4667 針對稍早報(bào)導(dǎo)指稱將委任三星協(xié)助生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解14nm制程處理器產(chǎn)能需求情況，Intel稍早對外澄清表示相關(guān)內(nèi)容并不正確。 依照Intel后續(xù)對于相關(guān)報(bào)導(dǎo)內(nèi)容的回應(yīng)，表示內(nèi)容中所提合作代工廠
2019-12-02 10:31:394108 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領(lǐng)先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。
2011-01-26 22:22:052677 面對Altera采用英特爾（Intel）14納米三門極電晶體（Tri-gate Transistor）制程，并將于2016年量產(chǎn)14納米FPGA的攻勢，賽靈思于日前發(fā)動反擊，將攜手臺積電采用16納米FinFET制程，搶先于2014年推出新一代FPGA。
2013-05-31 09:29:541468 后來進(jìn)入10nm級，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領(lǐng)先三星和臺積電一代以上。不過，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:041155 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
英特爾（Intel）執(zhí)行長科再奇（Brian Krzanich）8日宣布，將在美國投資70億美元（約新臺幣2，170億元）完成位于亞利桑納州錢德勒（Chandler）的新廠，創(chuàng)造3，000個(gè)就業(yè)機(jī)會，并將強(qiáng)攻7奈米制程。
2017-02-10 08:00:531108 半導(dǎo)體龍頭英特爾（Intel）先進(jìn)制程策略大轉(zhuǎn)彎，除了傳出10納米以下制程良率未如預(yù)期，內(nèi)部也調(diào)整將最先進(jìn)工藝制程未來優(yōu)先提供服務(wù)器芯片生產(chǎn)之用，改變過去PC掛帥策略。
2017-03-14 09:25:591232 (CTO)，主要負(fù)責(zé)所有英特爾客戶端系統(tǒng)單芯片 (SoC) 架構(gòu)設(shè)計(jì)。蘋果計(jì)劃在 2022 年推出搭載 M2 芯片的 Mac 系列。外傳 M2 芯片采用臺積電 5 奈米強(qiáng)效版制程打造，有消息 M2 芯片將采臺積電 4 奈米制程量產(chǎn)，在下半年推出。
2022-01-07 10:38:527035 
制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件級
2023-06-21 17:36:3213703 
Intel（英特爾）于8月2日正式開賣首批基于 10nm 制程的第十代 Ice Lake 處理器，將優(yōu)先應(yīng)用于筆記型電腦上，并預(yù)計(jì)在近期開始向電腦廠商供貨。
2019-08-03 10:31:393082 目前市面上NAND Flash的常規(guī)制程為2X~3Xnm，而江波龍采用的是16nm，更加先進(jìn)。同時(shí)內(nèi)置ECC（4bit/512Bytes）單元，省去了MCU做硬件或軟件ECC的功能，對Host端硬件糾錯(cuò)能力要求降低。
2020-07-20 17:43:201811 XNM50550ATS
2023-03-28 18:09:38
反擊式開關(guān)電源的思考
2014-07-02 15:24:55
等的外觀檢驗(yàn)。 1. 芯片測試（wafer sort）2. 芯片目檢（die visual）3. 芯片粘貼測試（die attach）4. 壓焊強(qiáng)度測試（lead bond strength）5.
2018-08-23 12:32:33
眾所周知，鎂光大S的芯片是屬于降級片，在使用的時(shí)候肯定會有些缺陷，有沒有什么辦法可以在量產(chǎn)的時(shí)候把芯片里不穩(wěn)定的塊找出來屏蔽掉，以減少出故障率，讓芯片更穩(wěn)定些。
2015-08-12 12:58:25
鎂光NAND Flash芯片英文資料
2019-05-13 22:08:44
SAMSUNG三星MICRON鎂光INTEL英特爾CUP中央處理器內(nèi)存條硬盤供應(yīng)，本公司為香港一級代理經(jīng)銷商只配合ODM/OEM謝謝HKKOYU香港光與深圳辦事處楊生
2021-04-21 15:25:18
pSLC模式后，僅保存1bit數(shù)據(jù)。
二、各NAND FLASH的特點(diǎn)
MLC常用制程為15nm，擦寫次數(shù)約為3000次，改為pSLC模式后約為2萬次。
三、pSLC的優(yōu)缺點(diǎn)
pSLC具有以下優(yōu)點(diǎn)
2023-08-11 10:48:34
密度，制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù)，該技術(shù)將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。
[]()
3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
)H27UCG8T2BTR-BC(8GB)H27UCG8T2ATR-BC(8GB)鎂光:MT29F32G08CBADAWP(4GB) MT29F32G08CBACAWP(4GB
2021-01-23 17:13:23
)H27UCG8T2BTR-BC(8GB)H27UCG8T2ATR-BC(8GB)鎂光:MT29F32G08CBADAWP(4GB) MT29F32G08CBACAWP(4GB
2021-10-13 19:14:17
卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
SD NAND 與 TF卡的區(qū)別：（看圖表）
SD和TF區(qū)別
LGA-8封裝
什么是LGA-8封裝？
LGA-8封裝是一種將芯片引腳通過電路板的層間連接
2024-01-05 17:54:39
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2020-12-29 18:12:29
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2021-11-13 16:15:12
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2021-02-27 17:40:15
本。 半導(dǎo)體制程中，針測制程只要換上不同的測試配件，便可與測試制程共享相同的測試機(jī)臺（Tester）。所以一般測試廠為提高測試機(jī)臺的使用率，除了 提供最終測試的服務(wù)亦接受芯片測試的訂單。以下將此針測制程
2020-05-11 14:35:33
增加了臺積電的訂單，后者的業(yè)績也得以節(jié)節(jié)高升?！ ?b class="flag-6" style="color: red">Intel：10nm制程計(jì)劃延后 先進(jìn)的制造工藝一直是Intel橫行江湖的最大資本，不過受技術(shù)難度和市場因素的種種不利影響，Intel前進(jìn)的步伐也逐漸
2016-01-25 09:38:11
需要外加一個(gè)存儲模塊。存儲：一個(gè)256MB的 nand flash 芯片；但是由于該MCU沒有USB接口，為了縮短數(shù)據(jù)上傳的時(shí)間，計(jì)劃加一個(gè) nand flash 控制器(通?？刂破鞫紟SB接口
2018-06-13 14:14:34
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2021-05-14 19:35:18
Intel 芯片組Intel Chipset Identification Utility工具3.2版.exe
2010-01-23 16:34:23
0 Intel 芯片組Intel Chipset Identification Utility工具3.15版.exe
2010-01-23 16:35:542 Intel 芯片組Intel Chipset Software Installation Utility驅(qū)動下載8.1.1.1009版.exe
2010-01-23 16:36:478 Intel 芯片組Intel Desktop Control Center程序2.0.0017版.exe
2010-01-23 16:38:522 Intel芯片組Intel Chipset Software Installation Utility驅(qū)動下載8.0.1.1002官方正式版.exe
2010-01-23 16:55:045 半導(dǎo)體測試制程介紹
測試制程乃是于IC構(gòu)裝后測試構(gòu)裝完成的產(chǎn)品之電性功能以保證出廠IC 功能上的完整性，并對已測試的產(chǎn)品依其電性功
2008-10-27 16:02:287085 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD
鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下
2010-01-08 17:13:513029 Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設(shè)備，可在
2010-01-14 16:58:051547 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:121155 技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，
2010-02-09 10:50:09714 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501422 傳鎂光公司欲收購Numonyx公司
業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱：”我聽說鎂光有可能會收購 N
2010-02-10 09:42:01837 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511566 美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09890
據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，Intel對外宣布將開放最先進(jìn)制程22納米的產(chǎn)能給更多第三方客戶使用，市場解讀這是要和臺積電的先進(jìn)制程爭搶客戶，并意在爭搶蘋果處理器代工訂單。
日前全球圖形芯片
2012-02-29 09:06:24953
2月24日消息，據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，Intel對外宣布將開放最先進(jìn)制程22納米的產(chǎn)能給更多第三方客戶使用，市場解讀這是要和臺積電的先進(jìn)制程爭搶客戶，并意在爭搶蘋果處理器代工訂單
2012-03-29 15:18:55796 據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05843 芯片巨頭Intel花費(fèi)了10年時(shí)間，終于在美國硅谷成功將USB 3.0技術(shù)整合到芯片中來。Intel昨天低調(diào)宣布了所有7系列的家族芯片，“將進(jìn)軍移動桌面OEM系統(tǒng)和主板行業(yè)， 所有的芯片都將整合
2012-04-10 10:42:191082 
美國年度投資方大會上，Intel的CEO Paul Otellini闡述了未來的計(jì)劃——將芯片引入蘋果設(shè)備中去。由于蘋果iPad在銷量上取得的巨大成績，PC市場一度在去年第四季度萎縮了 6%，Intel也因此受
2012-05-16 09:57:12741 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06968 鎂光MT48LC16M16A2P-6AIT 256M SDRAM芯片
2015-12-22 18:13:54180 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 前段時(shí)間AMD以 Ryzen處理器成功超越Intel登頂CPU寶座。這次Intel發(fā)起反擊戰(zhàn)推出Intel 酷睿 i9與AMD Ryzen對抗,Intel 8代酷睿終于良心普及6核。
2017-12-28 14:33:201360 據(jù)外媒報(bào)道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。
2018-01-11 09:16:024791 的NAND flash廠商三星從中獲益最多，依靠NAND flash和DRAM存儲芯片業(yè)務(wù)其芯片業(yè)務(wù)營收在2017年一舉超越Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè)，此前Intel霸占全球半導(dǎo)體老大的位置長達(dá)20多年。
2018-05-31 12:10:001612 2018年6月6日，Computex 2018期間，AMD正式展示了代表未來的產(chǎn)品——7nm制程采用Zen 2架構(gòu)的EPYC(霄龍)服務(wù)器處理器，以及7nm制程、32GB HBM2顯存的Radeon Vega GPU，進(jìn)一步加快7nm制程芯片落地的步伐。
2018-06-14 16:52:001121 面對AMD今年的絕地反擊，Intel今年表現(xiàn)出了難得的慌亂，按照Intel的慣例，每一代新品的發(fā)布與上一代相隔都要在一年的時(shí)間，但是由于AMD今年如此強(qiáng)勢的來襲，在僅距離第七代酷睿處理器的發(fā)布過去
2018-06-16 16:49:004494 和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比，個(gè)位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了，很多在10Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭。
2018-10-26 15:40:3117488 7月11日，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，SK海力士計(jì)劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對此傳聞，英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:014741 盡管很多消費(fèi)者已經(jīng)樂于討論7nm甚至5nm的話題，實(shí)際上，1Xnm、2Xnm芯片產(chǎn)品在當(dāng)下的存量更多，
2020-01-13 16:41:074937 盡管很多消費(fèi)者已經(jīng)樂于討論7nm甚至5nm的話題，實(shí)際上，1Xnm、2Xnm芯片產(chǎn)品在當(dāng)下的存量更多，
2020-01-13 16:46:512651 自2018年底以來，Intel公司的中國大連工廠已經(jīng)累計(jì)生產(chǎn)QLC NAND芯片超過1000萬個(gè)。
2020-03-03 15:53:212869 兩年前，鎂光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的固態(tài)硬盤，其型號為5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:143643 對于Intel來說，AMD的反擊勢頭越來越強(qiáng)勁，在更先進(jìn)工藝制程上，他們也是希望不要落后了。
2020-09-11 11:52:212118 等級：工業(yè)級-40～85℃，版本號：1612 WP 29F8G08ABABA AITX B 1-2 ，生產(chǎn)廠家：鎂光），分八層進(jìn)行疊裝，每層一個(gè)芯片。模塊的重量約為6.7±0.5克。其主要特性如下：
2020-09-15 09:30:553865 
據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321877 據(jù)悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Optane存儲部門。對于英特爾來說，剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。
2020-11-16 15:04:573105 臺積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 09:52:512513 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 不久前，Intel剛剛發(fā)布了基于10nm制程工藝的11代酷睿處理器、凌動P5900片上系統(tǒng)，Intel高級副總裁兼制造與運(yùn)營總經(jīng)理Keyvan?Esfarjani表示，盡管intel近年來晶圓產(chǎn)能翻倍，但是面對旺盛的需求和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總體制約因素面前，其工廠還是顯得有一些應(yīng)接不暇。
2020-12-29 15:38:542106 很顯然，這一波兒的競爭Intel是要落后AMD的，而后者起來的其中一個(gè)原因是臺積電先進(jìn)的工藝制程，而Intel正在醞釀新的調(diào)整，并以此追上。 據(jù)外媒最新報(bào)道稱，Intel正在考慮將一些芯片外包給臺積
2021-01-09 09:31:372349 150億美元，都會主要用于3nm制程。 消息人士稱，臺積電的3nm制程，是繼5nm之后又一個(gè)全節(jié)點(diǎn)的新技術(shù)，目前預(yù)計(jì)將于2021年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)。 除了蘋果A17、Intel訂單外，包括AMD、NVIDIA，以及2020年轉(zhuǎn)向擁抱三星5nm的高通等芯片大廠，目前也都已經(jīng)預(yù)定臺積電3nm 2
2021-01-27 10:33:242456 從市場規(guī)模來看，2021年，全球存儲芯片的市場達(dá)1580億美元，其中市場規(guī)模占比最大的是DRAM（約占56%），其次是NAND FLASH （約占41%）和NOR FLASH（約占2%），其余存儲芯片合計(jì)占比為1%。
2022-04-29 16:27:1423587 
據(jù)臺媒今日報(bào)道稱，臺積電將于今年8月開始3nm制程的量產(chǎn)，不過由于英特爾在芯片制程上步步緊逼的緣故，臺積電決定將要開啟1.4nm制程的研發(fā)。 臺積電原計(jì)劃是在2025年完成2nm制程的量產(chǎn)，但英特爾
2022-05-10 15:21:541832 現(xiàn)在全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm制程上，臺積電、三星、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息，臺積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了，而在中國大陸，芯片行業(yè)還停留在研發(fā)7nm制程
2022-06-22 10:40:5136754 IBM已正式發(fā)布了2nm制程工藝的芯片，這次IBM在2nm制程的芯片上用了一種叫GAA（Gate All Around）環(huán)繞式柵極的技術(shù)。
2022-06-27 10:09:402151 IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術(shù)？IBM 2nm制程芯片采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，晶體管密度可達(dá)5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個(gè)晶體管，2nm芯片將計(jì)算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續(xù)航時(shí)間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:081686 的芯片，而2nm制程工藝所代表著芯片中晶體管內(nèi)部柵極的最小長度為2nm。 芯片是一種將很多元器件集成在一塊板子上的產(chǎn)物，早期芯片體積非常大，但隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片上的電子元器件體積越來越小，芯片的體積也就越來越小了。 2010年Intel發(fā)布的芯片采用了
2022-07-04 10:08:3516602 功率芯片的制程與普通的半導(dǎo)體芯片有些不同，因?yàn)楣β?b class="flag-6" style="color: red">芯片需要承受更大的電流和電壓，因此在制程上需要更加注重功率芯片的耐壓性、耐熱性、導(dǎo)電性等特性。
2023-02-27 15:59:052362 Intel近幾年對于芯片制程工藝的發(fā)展令人嘆為觀止，規(guī)劃從Intel 10制程開始，逐步有序進(jìn)入到Intel 7和Intel 4技術(shù)節(jié)點(diǎn)，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。
2023-03-15 09:53:481753 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 消費(fèi)電子市場持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片，2nm先進(jìn)制程之爭愈演愈烈。
2023-07-17 18:24:152634 目前，英特爾量產(chǎn)的最先進(jìn)技術(shù)為Intel 7制程，比前一代Intel 10的SuperFin制程的每瓦效能提升約10%-15%，而Meteor Lake采用Intel 4制程生產(chǎn)，導(dǎo)入了極紫外光
2023-09-08 15:28:551912 ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺以及其他需要大容量固態(tài)存儲的應(yīng)用程序中的過程。
2024-04-03 12:26:2411354 
深圳2024年9月4日?/美通社/ -- 隨著消費(fèi)者對電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長，市場上對元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中，NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲和處理速度
2024-09-04 11:26:29974 隨著消費(fèi)者對電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長，市場上對元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中，NANDFlash因其在數(shù)據(jù)存儲和處理速度上的核心作用，成為了廠商們尤為重視的焦點(diǎn)。在這一背景下，NANDFlash不僅需要滿足基本的存儲需求，更要在性能、可靠性以及耐用性上達(dá)到"超越期望"的標(biāo)準(zhǔn)。近日，在ELEXCON2024深圳國際電子展上，江波龍首次
2024-09-04 08:03:561263 
在近期于深圳舉行的ELEXCON 2024國際電子展上，江波龍電子以創(chuàng)新姿態(tài)亮相，首次提出了PTM（存儲產(chǎn)品技術(shù)制造）這一前沿商業(yè)模式。該模式深度融合了江波龍?jiān)谧匝写鎯?b class="flag-6" style="color: red">芯片、固件開發(fā)、硬件設(shè)計(jì)及先進(jìn)
2024-09-10 16:35:281831 設(shè)備等消費(fèi)、工業(yè)及汽車應(yīng)用場景的小容量存儲器。目前公司已有512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb共5種容量自研 SLC NAND Flash 存儲芯片產(chǎn)品，分別采用4xnm、2xnm工藝且均已實(shí)現(xiàn)
2024-11-14 17:42:21658 
推出5種容量的自研SLC NAND Flash存儲芯片，涵蓋512Mb至8Gb，均采用先進(jìn)的4xnm和2xnm工藝，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)及便攜設(shè)備等消費(fèi)、工業(yè)及汽車領(lǐng)域，為客戶提供多種電壓、封裝和接口的存儲解決方案。 2024年上半年，江波龍基于2xnm工藝推出了
2024-11-20 16:27:151486 近日舉行的英特爾新質(zhì)生產(chǎn)力技術(shù)生態(tài)大會上，英特爾高級副總裁兼中國區(qū)董事長王銳宣布了一項(xiàng)令人振奮的消息：英特爾的先進(jìn)制程芯片Intel 18A預(yù)計(jì)將在2025年正式量產(chǎn)。 這一消息的公布標(biāo)志著英特爾在
2024-11-28 17:37:012315
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