旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動(dòng)整個(gè)圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說(shuō)明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。
2023-06-06 10:43:44
3664 
阱區(qū)注入的工藝說(shuō)明如下圖所示，是高能量離子注入過(guò)程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:089294 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō)，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨(dú)立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會(huì)給襯底引入大量的點(diǎn)缺陷和擴(kuò)展缺陷。
2023-12-22 09:41:215259 
物聯(lián)網(wǎng)的概念物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)前景的發(fā)展趨勢(shì)
2021-02-24 07:16:02
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面，當(dāng)離子進(jìn)入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進(jìn)內(nèi)部，并在其射程前后和側(cè)面激發(fā)出一個(gè)尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續(xù)下去，大約在10-11s內(nèi)，材料中將建立一個(gè)有數(shù)百個(gè)間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
離子注入工藝資料~還不錯(cuò)哦~
2012-08-01 10:58:59
CMOS射頻電路的發(fā)展趨勢(shì)如何？
2021-05-31 06:05:08
Multicom發(fā)展趨勢(shì)如何？開發(fā)Multicom無(wú)線產(chǎn)品時(shí)需要面臨哪些挑戰(zhàn)？如何突破測(cè)試Multicom產(chǎn)品的難題呢？有沒(méi)有一種解決方案可以既縮短測(cè)試時(shí)間又節(jié)約測(cè)試成本呢？
2021-04-15 06:26:53
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
PCB發(fā)展趨勢(shì)1） 推動(dòng)PCB技術(shù)發(fā)展的主要?jiǎng)恿?，在于集成電路（IC）等元件的集成度發(fā)展迅速，促使PCB向高密度化發(fā)展
2012-11-24 14:52:10
本文將對(duì)用于觸摸屏和LCD部件的最新LOCA技術(shù)進(jìn)行全面的概述，包括材料、應(yīng)用過(guò)程和性能。還將介紹TFT-LCD偏光片技術(shù)的最近發(fā)展趨勢(shì)，以及漢高公司的具有超低粘度和優(yōu)異性能、應(yīng)用于下一代偏光板的新LOCA產(chǎn)品。
2021-06-01 06:24:08
TPMS技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì)TPMS發(fā)射器由五個(gè)部分組成（1）具有壓力、溫度、加速度、電壓檢測(cè)和后信號(hào)處理ASIC 芯片組合的智能傳感器SoC；（2）4-8位單片機(jī)（MCU）；（3）RF射頻發(fā)射芯片；（4
2009-10-06 15:12:35
，并對(duì)其發(fā)展趨勢(shì)作出了研討?！ ￡P(guān)鍵詞：WIFI技術(shù) 技術(shù)特點(diǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 發(fā)展趨勢(shì) 一、WIFI技術(shù)原理 WIFI也稱無(wú)線寬帶、無(wú)線網(wǎng)，英文名稱為Wireless-Fidelity，簡(jiǎn)稱WI-FI
2020-08-27 16:38:15
大家來(lái)討論一下stm8的發(fā)展趨勢(shì)，聽(tīng)說(shuō)最近挺火哦！
2013-11-04 15:27:14
伺服系統(tǒng)國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀如何？伺服系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)是怎樣的？伺服系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)是什么？
2021-09-30 07:29:16
摘 要：先進(jìn)封裝技術(shù)不斷發(fā)展變化以適應(yīng)各種半導(dǎo)體新工藝和材料的要求和挑戰(zhàn)。在半導(dǎo)體封裝外部形式變遷的基礎(chǔ)上，著重闡述了半導(dǎo)體后端工序的關(guān)鍵一封裝內(nèi)部連接方式的發(fā)展趨勢(shì)。分析了半導(dǎo)體前端制造工藝的發(fā)展
2018-11-23 17:03:35
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項(xiàng)監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
【作者】：姚穎穎;王曉艷;宮銘豪;梁晉春;張乃光;【來(lái)源】：《廣播電視信息》2010年03期【摘要】：本文分析了三網(wǎng)融合背景下廣電行業(yè)的業(yè)務(wù)發(fā)展趨勢(shì),并提出一種新業(yè)務(wù)技術(shù)——業(yè)務(wù)捆綁技術(shù),最后總結(jié)
2010-04-23 11:35:44
智能視頻分析技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀如何？“”未來(lái)智能視頻分析技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)怎樣？
2021-06-03 06:44:16
的發(fā)展，將出現(xiàn)若干新的半導(dǎo)體技術(shù)，在芯片之上或者在芯片之外不斷擴(kuò)展新的功能。圖1就顯示了手機(jī)芯片技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。
2019-07-24 08:21:23
`新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)`
2016-05-12 10:34:03
無(wú)線技術(shù)的下一波發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-26 06:42:02
未來(lái)PLC的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何？基于PLC的運(yùn)動(dòng)控制器有哪些應(yīng)用？
2021-07-05 07:44:22
汽車電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:33:49
靈動(dòng)微對(duì)于未來(lái)MCU發(fā)展趨勢(shì)看法
2020-12-23 06:50:51
汽車電子技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀如何？汽車電子技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:04:28
電池供電的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 06:32:42
也許是因?yàn)樽钚码娫垂芾?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)的相關(guān)難題，或者是電源管理行業(yè)保守的本質(zhì)，電源領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)往往具有很長(zhǎng)的生命周期。但是我們不能僅僅因?yàn)樾袠I(yè)中存在一個(gè)固有的趨勢(shì)就止步不前。當(dāng)不再有創(chuàng)新的機(jī)會(huì)時(shí)，所謂
2018-10-08 15:35:33
自動(dòng)化測(cè)試技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)展望分析，不看肯定后悔
2021-05-14 06:50:31
藍(lán)牙技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，在APTX后還會(huì)有怎么樣的技術(shù)革新
2019-03-29 15:56:11
蜂窩手機(jī)音頻架構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)是什么
2021-06-08 06:31:58
CMOS傳感器的最新技術(shù)有哪些？傳感器發(fā)展的趨勢(shì)有哪幾種？
2021-06-03 06:15:18
請(qǐng)問(wèn)各位大俠，離子注入時(shí)有遇到做V-CURVE時(shí)，出現(xiàn)倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
談?wù)劯咚貱MOS圖像傳感器及發(fā)展趨勢(shì)
2021-06-03 06:04:16
車內(nèi)信息通信測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:10:59
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來(lái)源】：《濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術(shù)摻雜制作光電集成器件時(shí),離子注入半導(dǎo)體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
高速球是什么？有什么技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)？
2021-05-31 06:01:36
M5525100－1/UM型大角度離子注入機(jī):M5525100－1/UM 型大角度離子注入機(jī)可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:02
12
鋰離子電池的發(fā)展趨勢(shì)
摘要：綜述了鋰離子電池的發(fā)展趨勢(shì)，簡(jiǎn)述了鋰離子電池的充放電機(jī)理理論研究狀況，總結(jié)歸納了作
2009-07-11 13:56:182432 離子注入技術(shù)又是近30年來(lái)在國(guó)際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:576005 
本文詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及性能，以及離子注入技術(shù)的英文全稱。
2011-05-22 12:13:296829 
詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1622014 
離子注入的特點(diǎn),與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來(lái)獲得表面合金層的,因而有其特點(diǎn)。
2011-05-22 12:27:085378 離子注入設(shè)備和方法:最簡(jiǎn)單的離子注入機(jī)（圖2）應(yīng)包括一個(gè)產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:558645 
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導(dǎo)體晶體內(nèi)改變其導(dǎo)電特性并最終
2011-05-22 12:34:0086 離子注八材料表面陡性技術(shù)， 是材料科學(xué)發(fā)展的一個(gè)重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術(shù)的特點(diǎn) 基皋原理 應(yīng)用效果。取覆等離子體源離子注八技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948 半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)． 注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行 離子注入的優(yōu)點(diǎn) 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統(tǒng)介紹了金屬表面改性用離子注入的機(jī)理和特點(diǎn)。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對(duì)改性層效果的影響，綜述了該技術(shù)在提高強(qiáng)度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數(shù)
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點(diǎn)是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動(dòng)化。由于采用了離子注入技術(shù)，大大地推動(dòng)了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47122 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來(lái)源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導(dǎo)體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結(jié)深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級(jí)的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統(tǒng)輻射生物學(xué)的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實(shí)驗(yàn)中, 真空室真空度及其穩(wěn)定性影響著生物樣品的存活狀態(tài); 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據(jù)直升機(jī)傳動(dòng)系統(tǒng)干運(yùn)轉(zhuǎn)能力的要求,用銷盤試驗(yàn)機(jī)測(cè)定了Mo離子注入量及潤(rùn)滑條件對(duì)齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數(shù)和磨損量的影響I結(jié)果表明FMo離子注入對(duì)摩擦因數(shù)影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術(shù)專題有離子注入技術(shù)基本知識(shí)、離子注入技術(shù)論文及離子注入技術(shù)培訓(xùn)學(xué)習(xí)資料。離子注入技術(shù)就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
本文詳細(xì)介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過(guò)加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽(yáng)能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:454207 
去它主頁(yè)了解。 重點(diǎn)介紹激光領(lǐng)域用到的一款設(shè)備： 主要是注入H離子用的，可以達(dá)到400KeV的H+離子注入。 主頁(yè)：http://www.nissin-ion.co.jp/en/sitemap.html 2016年，日本日新離子機(jī)株式會(huì)社與揚(yáng)州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)簽訂了合作協(xié)議。日新株式會(huì)社將在揚(yáng)州
2020-11-20 10:03:278298 離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。列表對(duì)比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進(jìn)去的，不是一個(gè)熱平衡下的過(guò)程，雜質(zhì)一般也不出在晶格點(diǎn)陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:306896 
與通過(guò)傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-10-31 09:06:0110388 離子注入過(guò)程提供了比擴(kuò)散過(guò)程更好的摻雜工藝控制（見(jiàn)下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過(guò)程中無(wú)法獨(dú)立控制，因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注入可以獨(dú)立控制摻雜濃度和結(jié)深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:334484 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過(guò)程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2023-05-12 16:00:0811843 
高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu)，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:135826 
在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:271468 
6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:23:251152 
6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:21:131483 6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2021-12-31 14:13:051240 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過(guò)程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:191202 摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過(guò)離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針是離子注入監(jiān)測(cè)中最常使用的測(cè)量工具，可以測(cè)量硅
2023-07-07 09:51:177804 
譜儀可通過(guò)測(cè)量離子注入工藝后晶硅太陽(yáng)能電池的H含量，來(lái)判定其鈍化效果是否符合電池生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而判斷太陽(yáng)能電池的效率與性能。本期「美能光伏」將給您介紹離子注入技術(shù)在晶
2023-08-29 08:35:561555 
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來(lái)具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:467464 
離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對(duì)離子的注入過(guò)程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測(cè)材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:192387 離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來(lái)改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過(guò)注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
2024-02-21 10:23:317498 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。
2024-02-23 10:47:132042 
據(jù)了解，到2024年第一季度為止，該公司已陸續(xù)向多個(gè)特定客戶發(fā)出了多個(gè)離子注入機(jī)訂單，單季度就完成了八臺(tái)離子注入機(jī)的客戶端上線工作，呈現(xiàn)出迅猛增長(zhǎng)的發(fā)展態(tài)勢(shì)，取得了良好開局。
2024-03-30 09:34:231463 本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。
離子注入機(jī)的原理是什么？
2024-04-18 11:31:514790 
該專利揭示了一款專用于集成電路生產(chǎn)線的離子注入機(jī)，屬于半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該設(shè)備主要由支撐框架、離子注入機(jī)構(gòu)、照射箱組件和擾流機(jī)構(gòu)組成，同時(shí)配備吸塵除塵組件。
2024-05-28 10:06:201013 
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接觸的有源區(qū)，或者n型和p型有源區(qū)電阻，以及n型和p型多晶硅電阻。
2024-11-09 10:04:001921 
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
2024-11-09 11:09:571904 本文介紹了一種在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效應(yīng)顯著時(shí)采用的一種離子注入技術(shù)：暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子注入 在半導(dǎo)體制造工藝中指的是離子注入（Ion
2024-12-31 11:49:173571 
離子注入后退火是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子加速并注入到硅晶圓中，以改變其電學(xué)性質(zhì)的過(guò)程。而退火是一個(gè)熱處理過(guò)程，通過(guò)加熱晶圓來(lái)修復(fù)注入過(guò)程中
2025-01-02 10:22:232459 離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導(dǎo)體或其他材料中的一種技術(shù)手段，本文詳細(xì)介紹了離子注入技術(shù)的原理、設(shè)備和優(yōu)缺點(diǎn)。 ? 常見(jiàn)半導(dǎo)體晶圓材料是單晶硅，在元素周期表中，硅排列在第14位，硅原子最外層
2025-01-06 10:47:233191 
本文簡(jiǎn)單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過(guò)程中，離子的分布狀況對(duì)器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝的主要參數(shù)緊密相連。 離子注入技術(shù)的主要參數(shù)
2025-01-21 10:52:253250 
本文簡(jiǎn)單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問(wèn)題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問(wèn)題和磷離子注入退火問(wèn)題。
2025-04-23 10:54:051666 
離子注入單晶靶材時(shí)，因靶體存在特定晶向，其對(duì)入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察，能發(fā)現(xiàn)晶格間存在特定通道（圖 1）。當(dāng)離子入射方向與靶材主晶軸平行時(shí)，部分離子會(huì)直接
2025-09-12 17:16:011978 
在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對(duì)注入結(jié)果進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜效果符合器件設(shè)計(jì)要求。當(dāng)前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩種：四探針?lè)ㄅc熱波法，兩種方法各有特點(diǎn)，適用于不同的檢測(cè)場(chǎng)景。
2025-11-17 15:33:10732 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論