旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動(dòng)整個(gè)圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。
2023-06-06 10:43:44
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阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:089294 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨(dú)立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會(huì)給襯底引入大量的點(diǎn)缺陷和擴(kuò)展缺陷。
2023-12-22 09:41:215259 
方案。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。研究人員表示，這兩項(xiàng)工作為氧化鎵晶體管找到了新的技術(shù)路線和結(jié)構(gòu)方案。氧化鎵：第四代半導(dǎo)體材料的佼佼者
2023-03-15 11:09:59
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面，當(dāng)離子進(jìn)入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進(jìn)內(nèi)部，并在其射程前后和側(cè)面激發(fā)出一個(gè)尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續(xù)下去，大約在10-11s內(nèi)，材料中將建立一個(gè)有數(shù)百個(gè)間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
離子注入工藝資料~還不錯(cuò)哦~
2012-08-01 10:58:59
在 LTPS 制造過程中，使用自對準(zhǔn)掩模通過離子注入來金屬化有源層。當(dāng)通過 TRCX 計(jì)算電容時(shí)，應(yīng)用與實(shí)際工藝相同的原理。工程師可以根據(jù)真實(shí)的 3D 結(jié)構(gòu)提取準(zhǔn)確的電容，并分析有源層離子注入前后的電位分布，如下圖所示。
(a)FIB
(b) 摻雜前后對比
2025-01-08 08:46:44
問題。為了克服這些挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體業(yè)界不斷開發(fā)出一系列的先進(jìn)工藝技術(shù)，例如多晶硅柵、源漏離子注入自對準(zhǔn)、LDD離子注入、polycide、Salicide、SRD、應(yīng)變硅和HKMG技術(shù)。另外，晶體管也從
2018-09-06 20:50:07
是降低電子導(dǎo)帶的一種有效方法。我們在這方面有著豐富的經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化了離子注入技術(shù)以形成高摻雜的AlGaN/GaN區(qū)域，并在GaN晶體管中實(shí)現(xiàn)了良好的CMOS兼容歐姆接觸。我們的努力包括開發(fā)出一種激活退火
2020-11-27 16:30:52
半導(dǎo)體過壓保護(hù)器是根據(jù)可控硅原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種 新型保護(hù)器件，具有精確導(dǎo)通、快速響應(yīng)（響應(yīng)時(shí)間ns級）、浪涌吸收 能力較強(qiáng)、雙向?qū)ΨQ、可靠性高等特點(diǎn)。由于其浪涌通流能力較同尺寸 的TVS
2016-09-28 16:21:09
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項(xiàng)監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
內(nèi)外圓的同軸度?！ SD是利用離子注入技術(shù)制成的一種可確定光的能量中心位置的結(jié)型光電器件，它的優(yōu)點(diǎn)主要有：1、對光斑形狀無嚴(yán)格要求，在光聚焦不理想的情況下也不影響測量精度；2、光敏面上無象限分割線
2019-04-10 15:55:01
技術(shù)，利用聚焦離子束技術(shù)的精確定位和控制能力，就可以不用掩模板，直接在半導(dǎo)體材料和器件上特定的點(diǎn)或者區(qū)域進(jìn)行離子注入，精確控制注入的深度和廣度。3.5 透射電鏡樣品制備 透射電鏡的樣品限制條件是透射電鏡
2020-02-05 15:13:29
請問各位大俠，離子注入時(shí)有遇到做V-CURVE時(shí)，出現(xiàn)倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來源】：《濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術(shù)摻雜制作光電集成器件時(shí),離子注入半導(dǎo)體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測量，得到氮離
2009-02-28 09:38:29
25 MAVR-000320-11410T低電壓、低 Rs Si HyperabruptMA4ST300 系列是采用 SC79、SC70 3LD 和 SOD-323 表面貼裝封裝的離子注入、超突變結(jié)、硅
2023-02-09 15:12:03
M5525100－1/UM型大角度離子注入機(jī):M5525100－1/UM 型大角度離子注入機(jī)可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212 離子注入技術(shù)又是近30年來在國際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:576005 
本文詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及性能，以及離子注入技術(shù)的英文全稱。
2011-05-22 12:13:296829 
簡述了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢及典型應(yīng)用，并簡要分析了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。
2011-05-22 12:10:3114992 
離子注入的特點(diǎn),與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點(diǎn)。
2011-05-22 12:27:085378 離子注入設(shè)備和方法:最簡單的離子注入機(jī)（圖2）應(yīng)包括一個(gè)產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:558645 
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導(dǎo)體晶體內(nèi)改變其導(dǎo)電特性并最終
2011-05-22 12:34:0086 離子注八材料表面陡性技術(shù)， 是材料科學(xué)發(fā)展的一個(gè)重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術(shù)的特點(diǎn) 基皋原理 應(yīng)用效果。取覆等離子體源離子注八技術(shù)的發(fā)展趨勢。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948 半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)． 注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行 離子注入的優(yōu)點(diǎn) 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 給金屬表面注入一定的高能離子，這些離子與金屬中的元素以及真空氣氛中的某些元素在金屬表面形成一種表面臺(tái)金．借以改善金屬表面的性能。本文通過大量的實(shí)驗(yàn)和分析得知，在碳
2011-05-22 12:39:0661 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統(tǒng)介紹了金屬表面改性用離子注入的機(jī)理和特點(diǎn)。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對改性層效果的影響，綜述了該技術(shù)在提高強(qiáng)度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數(shù)
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 高能束加工 常用的高能密度束流加工方法主要是: 激光加工、電子束加工、離子束加工等。 高能密度束流加工的共同特點(diǎn)： 加工速度快，熱流輸入少，對工件熱影響小，工件變形小。
2011-05-22 12:53:210 表面熱處理中的金屬表面滲碳或滲氮, 主要是依靠元素的擴(kuò)散。盡管在加大濃度差和提高處理溫度方面采取了措施, 但仍需要幾十個(gè)小時(shí), 這與我們時(shí)代的高速度、快節(jié)奏太不協(xié)調(diào)了。離
2011-05-22 12:54:4155 離子注入的特點(diǎn)是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動(dòng)化。由于采用了離子注入技術(shù)，大大地推動(dòng)了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47122 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導(dǎo)體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結(jié)深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統(tǒng)輻射生物學(xué)的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實(shí)驗(yàn)中, 真空室真空度及其穩(wěn)定性影響著生物樣品的存活狀態(tài); 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據(jù)直升機(jī)傳動(dòng)系統(tǒng)干運(yùn)轉(zhuǎn)能力的要求,用銷盤試驗(yàn)機(jī)測定了Mo離子注入量及潤滑條件對齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數(shù)和磨損量的影響I結(jié)果表明FMo離子注入對摩擦因數(shù)影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術(shù)專題有離子注入技術(shù)基本知識、離子注入技術(shù)論文及離子注入技術(shù)培訓(xùn)學(xué)習(xí)資料。離子注入技術(shù)就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
概述了國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)動(dòng)態(tài), 介紹了光刻技術(shù)、CMP 技術(shù)、膜生長技術(shù)、刻蝕技術(shù)、離子注入技術(shù)、清洗技術(shù)及封裝技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)趨勢, 預(yù)測了全球半導(dǎo)體制造設(shè)備未來市
2011-10-31 16:28:5937 2013-11-28 21:16:290 本文詳細(xì)介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 近日，中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成，標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，下個(gè)月產(chǎn)線將正式啟動(dòng)試流片。
2018-01-15 09:50:097504 近日有消息顯示，萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機(jī)已搬進(jìn)杭州灣潔凈室，目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求，進(jìn)行離子注入晶圓驗(yàn)證。
2019-12-31 10:04:086303 近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊，公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機(jī)順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線，這臺(tái)由客戶直接采購的設(shè)備如期交付，標(biāo)志著公司國產(chǎn)離子注入機(jī)市場化進(jìn)程再上新臺(tái)階。
2020-06-23 10:20:284936 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，中國知名電子企業(yè)中國電子科技集團(tuán)有限公司近日取得重大技術(shù)突破，其自主研發(fā)的高能離子注入機(jī)已成功實(shí)現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速，其性能達(dá)國際主流先進(jìn)水平。
2020-06-28 11:36:024529 離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:454207 
去它主頁了解。 重點(diǎn)介紹激光領(lǐng)域用到的一款設(shè)備： 主要是注入H離子用的，可以達(dá)到400KeV的H+離子注入。 主頁：http://www.nissin-ion.co.jp/en/sitemap.html 2016年，日本日新離子機(jī)株式會(huì)社與揚(yáng)州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)簽訂了合作協(xié)議。日新株式會(huì)社將在揚(yáng)州
2020-11-20 10:03:278298 離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。列表對比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進(jìn)去的，不是一個(gè)熱平衡下的過程，雜質(zhì)一般也不出在晶格點(diǎn)陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:306896 
目前，離子注入機(jī)行業(yè)主要由美國廠商壟斷，應(yīng)用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）合計(jì)占據(jù)全球 85%-90%的市場，存在較高競爭壁壘，也是解決芯片國產(chǎn)化設(shè)備卡脖子的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2020-12-04 10:21:294347 與通過傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-10-31 09:06:0110388 離子注入過程提供了比擴(kuò)散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過程中無法獨(dú)立控制，因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注入可以獨(dú)立控制摻雜濃度和結(jié)深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:334484 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2023-05-12 16:00:0811843 
高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu)，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:135826 
高溫爐廣泛用于進(jìn)行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個(gè)批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。
2023-05-22 09:56:597429 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng)，然而一個(gè)射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:174058 
當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進(jìn)入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電流利用可調(diào)整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:264483 
在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:271468 
6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:251152 
6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:131483 6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2021-12-31 14:13:051240 6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 14:25:521329 6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 10:57:221931 放電管以及SPG玻璃放電管分別有什么優(yōu)勢？1.半導(dǎo)體放電管也稱固態(tài)放電管，是根據(jù)可控硅原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種二端保護(hù)元器件，具有精確導(dǎo)通、快速響應(yīng)、浪涌吸
2022-10-20 11:08:122268 
對于許多仍在使用旋轉(zhuǎn)輪的離子注入設(shè)備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個(gè)高速導(dǎo)彈與建筑物的墻壁碰撞。
2023-06-30 10:11:241769 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:191202 來源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據(jù)中國電子科技集團(tuán)有限公司（以下簡稱“中國電科”）官方消息，該集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡稱“電科裝備”）已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米
2023-07-03 09:16:461740 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-07-03 15:05:551524 
摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針是離子注入監(jiān)測中最常使用的測量工具，可以測量硅
2023-07-07 09:51:177804 
在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:574309 
譜儀可通過測量離子注入工藝后晶硅太陽能電池的H含量，來判定其鈍化效果是否符合電池生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而判斷太陽能電池的效率與性能。本期「美能光伏」將給您介紹離子注入技術(shù)在晶
2023-08-29 08:35:561555 
半導(dǎo)體的這些參數(shù)的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進(jìn)行了詳細(xì)的研究。因此，還對硅和化合物半導(dǎo)體的起泡過程進(jìn)行了比較。這項(xiàng)比較研究在技術(shù)上是相關(guān)的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">離子注入誘導(dǎo)的層分裂與直接晶片鍵合相結(jié)合，
2023-09-04 17:09:311104 
本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:004232 
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:467464 
離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:192387 半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種，原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入，這三種方式分別過程如何，有何區(qū)別呢？
2024-01-05 18:21:118705 
隧道效應(yīng)，又稱溝道效應(yīng)，對晶圓進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:423181 
對器件設(shè)計(jì)工程師來講，離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù)，什么樣的濃度對應(yīng)什么樣的方阻，器件仿真參數(shù)輸入的是濃度，通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關(guān)系。
2024-01-26 13:37:025908 
什么是溝道效應(yīng)？
溝道效應(yīng)是指在晶體材料中，注入的離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預(yù)期更深的現(xiàn)象。
2024-02-21 10:19:246231 
離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
2024-02-21 10:23:317498 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。
2024-02-23 10:47:132042 
? 一、TSS的簡介 半導(dǎo)體放電管, 簡稱TSS。TSS 是根據(jù)可控硅原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種新型保護(hù)器件，具有精確導(dǎo)通、快速響應(yīng)（響應(yīng)時(shí)間ns級）、浪涌吸收能力較強(qiáng)、雙向?qū)ΨQ、可靠性高等特點(diǎn)
2024-03-14 18:07:191096 
據(jù)了解，到2024年第一季度為止，該公司已陸續(xù)向多個(gè)特定客戶發(fā)出了多個(gè)離子注入機(jī)訂單，單季度就完成了八臺(tái)離子注入機(jī)的客戶端上線工作，呈現(xiàn)出迅猛增長的發(fā)展態(tài)勢，取得了良好開局。
2024-03-30 09:34:231463 本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。
離子注入機(jī)的原理是什么？
2024-04-18 11:31:514790 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532875 
盡管SiC制造過程中的多數(shù)設(shè)備與常規(guī)硅類通用，但因其具備高硬度特性，需要專屬設(shè)備支持，包括高級別的高溫離子注入機(jī)、強(qiáng)效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐等。其中，能否擁有高溫離子注入機(jī)被視為衡量SiC生產(chǎn)線水平的關(guān)鍵指標(biāo)。
2024-05-17 09:47:582033 住友重工離子技術(shù)公司，作為住友重工的子公司，計(jì)劃在2025年向市場推出專為碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的離子注入機(jī)。SiC制程雖與硅生產(chǎn)線有諸多相似之處，但由于其高硬度等獨(dú)特性質(zhì)，對生產(chǎn)設(shè)備提出了特殊要求。
2024-05-20 14:31:312377 該專利揭示了一款專用于集成電路生產(chǎn)線的離子注入機(jī)，屬于半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該設(shè)備主要由支撐框架、離子注入機(jī)構(gòu)、照射箱組件和擾流機(jī)構(gòu)組成，同時(shí)配備吸塵除塵組件。
2024-05-28 10:06:201013 
光電晶體管是具有三個(gè)端子（發(fā)射極、基極和集電極）或兩個(gè)端子（發(fā)射極和集電極）的半導(dǎo)體器件，并具有光敏基極區(qū)域。雖然所有晶體管都對光敏感，但光電晶體管專門針對光檢測進(jìn)行了優(yōu)化。它們采用擴(kuò)散或離子注入
2024-07-01 18:13:365491 
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接觸的有源區(qū)，或者n型和p型有源區(qū)電阻，以及n型和p型多晶硅電阻。
2024-11-09 10:04:001921 
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
2024-11-09 11:09:571904 本文介紹了一種在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應(yīng)顯著時(shí)采用的一種離子注入技術(shù)：暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子注入 在半導(dǎo)體制造工藝中指的是離子注入（Ion
2024-12-31 11:49:173571 
離子注入后退火是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子加速并注入到硅晶圓中，以改變其電學(xué)性質(zhì)的過程。而退火是一個(gè)熱處理過程，通過加熱晶圓來修復(fù)注入過程中
2025-01-02 10:22:232459 離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導(dǎo)體或其他材料中的一種技術(shù)手段，本文詳細(xì)介紹了離子注入技術(shù)的原理、設(shè)備和優(yōu)缺點(diǎn)。 ? 常見半導(dǎo)體晶圓材料是單晶硅，在元素周期表中，硅排列在第14位，硅原子最外層
2025-01-06 10:47:233191 
本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況對器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝的主要參數(shù)緊密相連。 離子注入技術(shù)的主要參數(shù)
2025-01-21 10:52:253250 
本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
2025-04-23 10:54:051666 
離子注入單晶靶材時(shí)，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察，能發(fā)現(xiàn)晶格間存在特定通道（圖 1）。當(dāng)離子入射方向與靶材主晶軸平行時(shí)，部分離子會(huì)直接
2025-09-12 17:16:011978 
在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對注入結(jié)果進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜效果符合器件設(shè)計(jì)要求。當(dāng)前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩種：四探針法與熱波法，兩種方法各有特點(diǎn)，適用于不同的檢測場景。
2025-11-17 15:33:10732 
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