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華潤上華第三代超高壓700V BCD系列工藝開發(fā)成功

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2019-12-16 11:35:3210020

支持第三代半導體產(chǎn)業(yè),國內(nèi)LED廠商的積極布局

日前,有媒體報道稱,據(jù)權(quán)威人士透露,“十四五”規(guī)劃之中,我國計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。一時間
2020-09-15 14:03:293151

LED產(chǎn)業(yè)鏈都在積極布局第三代半導體

日前,有媒體報道稱,據(jù)權(quán)威人士透露,十四五規(guī)劃之中,我國計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。一時間,資本市場
2020-10-13 15:47:504003

第三代半導體的發(fā)展研究

據(jù)了解,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè),寫入十四五規(guī)劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主
2020-11-04 15:12:375552

什么是第三代半導體?一、二、三代半導體什么區(qū)別?

在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下,第三代半導體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1292798

Intel第三代可擴展至強“Ice Lake-SP”性能曝光

Intel首次采用10nm工藝第三代可擴展至強“Ice Lake-SP”已經(jīng)推遲到2021年第一季度,將會和AMD 7nm工藝、Zen3架構(gòu)的的第三代霄龍正面對決,無論規(guī)格還是性能都討不到什么便宜。
2020-11-30 09:56:203100

什么是第三代半導體?哪些行業(yè)“渴望”第三代半導體?

第三代半導體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年,受困于技術(shù)和成本等因素,市場一直不溫不火。 但今年的市場形勢明顯不同,各大半導體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度,第三代半導體也開始頻繁出現(xiàn)在各地園區(qū)
2020-12-08 17:28:0314627

第三代半導體將駛?cè)氤砷L快車道

最近,“我國將把發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導體?發(fā)展第三代半導體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:444278

第三代半導體將迎來應用大爆發(fā)?

,什么材料會再領(lǐng)風騷?記者采訪了專家。? 禁帶寬度,是用來區(qū)分不同代際半導體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:484256

第三代半導體性價比優(yōu)勢日益凸顯,規(guī)模商用尚需時日

近期,阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢,“第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出,第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應用市場。未來5年,基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景。
2021-01-13 10:16:083183

高德地圖正式發(fā)布第三代車載導航 第三代車載導航首搭于小鵬汽車

1月22日,高德地圖正式發(fā)布第三代車載導航,小鵬汽車成為首款搭載第三代車載導航的企業(yè)。 第三代車載導航能力從“導人”升級為“人車共導”,利用AI視覺技術(shù)和高精地圖,實現(xiàn)車道導航,讓道路規(guī)劃以及引導
2021-01-22 18:05:144757

米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出

在日前的極客公園·創(chuàng)新大會2021,小米生態(tài)鏈企業(yè),米科技創(chuàng)始人、董事長兼CEO黃汪透露,米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出。
2021-02-01 09:45:452809

米科技:第三代自研可穿戴芯片將發(fā)布

在日前的極客公園·創(chuàng)新大會2021,小米生態(tài)鏈企業(yè),米科技創(chuàng)始人、董事長兼CEO黃汪透露,米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出。
2021-02-01 11:58:312741

國星光電正式推出一系列第三代半導體新產(chǎn)品

第三代半導體Central issue 2020年10月,國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇,論壇上國星光電宣布將緊抓國產(chǎn)化機遇,迅速拓展第三代半導體新賽道。近期,國星光電正式推出一系列第三代半導體
2021-04-22 11:47:103594

EE-230:第三代SHARC?系列處理器的代碼覆蓋

EE-230:第三代SHARC?系列處理器的代碼覆蓋
2021-05-25 15:18:417

第三代半導體行業(yè)深度報告

來源:天風證券,如需下載,進入“秋商城”公眾號發(fā)送“2021第三代半導體”即可下載。 責任編輯:haq
2021-11-03 10:33:409142

2021第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇成功舉辦

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會(CASAS)主辦、泰克科技(中國)有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協(xié)辦的“2021 第三代半導體標準與檢測研討會”在深圳召開。
2021-12-29 14:04:042111

第三代半導體器件的測試應用

MOSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間,要么分布在低壓高速的區(qū)間,市面上傳統(tǒng)的探測技術(shù)可以覆蓋器件特性的測試需求。但是第三代半導體器件SiC 或GaN的技術(shù)卻大大擴展了分布的區(qū)間,覆蓋以往沒有出現(xiàn)過的高壓高速區(qū)域,這就對器件的測試
2021-12-29 17:11:061577

如何化解第三代半導體的應用痛點

如何化解第三代半導體的應用痛點 在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導體產(chǎn)業(yè)進一步深入對新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:292427

第三代半導體材料有哪些

第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導體材料的項重要參數(shù)看,第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度項指標上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:166767

如何化解第三代半導體的應用痛點

、射頻應用中的顯著 性能優(yōu)勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α? 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542

如何化解第三代半導體的應用痛點

、射頻應用中的顯著 性能優(yōu)勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α? 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561

如何化解第三代半導體的應用痛點

又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一、第二半導體材料相比,第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環(huán)境下,依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:362109

第三代半導體“藍?!笔袌觯瑢ξ覀兪翘魬?zhàn)還是機遇?

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展,對半導體器件的需求日益增長,對相關(guān)器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛,于是第三代半導體市場應運而生。近年國內(nèi)的第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,同時對高壓、高電流
2022-01-10 16:34:431811

第三代功率器件材料,氧化鎵

第三代半導體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:233689

什么是第三代半導體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:541658

2021年第三代半導體系列報告之二.zip

2021年第三代半導體系列報告之二
2023-01-13 09:05:554

是德科技第三代半導體動靜態(tài)測試方案亮相IFWS

2023年11月29日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)和“第三代半導體標準與檢測研討會”成功召開,是德科技參加第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS),并重磅展出第三代半導體動靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:031885

瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認證

近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944

第三代C2000器件實現(xiàn)EEPROM的模擬操作

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在第三代C2000器件實現(xiàn)EEPROM的模擬操作.pdf》資料免費下載
2024-09-09 10:59:061

第三代半導體的優(yōu)勢和應用

隨著科技的發(fā)展,半導體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應用。
2024-10-30 11:24:273022

芯科科技第三代無線開發(fā)平臺助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備升級

和首席技術(shù)官DanielCooley探討了人工智能(AI)如何推動物聯(lián)網(wǎng)(IoT)領(lǐng)域的變革,同時詳細介紹了芯科科技不斷發(fā)展的第二無線開發(fā)平臺所取得的持續(xù)成功以及即將推出的第三代無線開發(fā)平臺。
2024-11-08 15:18:081359

第三代半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術(shù)推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551391

EE-230:第三代SHARC系列處理器的代碼疊加

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器的代碼疊加.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:43:010

第三代半導體的優(yōu)勢和應用領(lǐng)域

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:051955

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