8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級(jí)1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
5509 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計(jì)劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說(shuō)第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245 今日早報(bào)：英特爾收購(gòu)虛擬現(xiàn)實(shí)廠商Voke；三星第三代10nm制程細(xì)節(jié)公布；中芯深圳啟動(dòng)華南首條12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目；萊迪思半導(dǎo)體接受中資背景Canyon Bridge收購(gòu)要約；我國(guó)可穿戴醫(yī)療
2016-11-04 09:39:033104 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局，也
2021-05-10 16:00:573039 似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過適當(dāng)放寬線寬等
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
硅材料的研究也非常透徹?；诠璨牧仙掀骷脑O(shè)計(jì)和開發(fā)也經(jīng)過了許多代的結(jié)構(gòu)和工藝優(yōu)化和更新，正在逐漸接近硅材料的極限，基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來(lái)愈小。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具備優(yōu)異
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評(píng)估板是第三代完全集成的3端口開關(guān)。 KSZ8873RLL的兩個(gè)PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
、帕特羅（PATRO）多功能會(huì)議視頻攝像機(jī)、帕特羅（PATRO）網(wǎng)絡(luò)視頻服務(wù)器廣州精典科技有限公司的帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)就是以IR-III技術(shù)研究開發(fā)的，將作為紅外夜視領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品
2011-02-19 09:35:33
的5-10倍，5年內(nèi)光衰小于等10%。在產(chǎn)品使用壽命上，IR-III紅外攝像機(jī)有明顯的優(yōu)勢(shì)，是普通紅外攝像機(jī)無(wú)法比擬的。產(chǎn)品功耗低：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)最高功率不超過15W，激光紅外的最高功率
2011-02-19 09:38:46
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
、帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)廣州精典科技有限公司的帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)就是以IR-III技術(shù)研究開發(fā)的，將作為紅外夜視領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品。
2011-02-19 09:34:33
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
文章介紹了第三代LonWorks 技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)和性能。關(guān)鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 00904774第三代通信網(wǎng)管構(gòu)架:
2009-06-18 16:53:1422 第三代移動(dòng)通信技術(shù)與業(yè)務(wù):蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的演進(jìn)，第三代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)化格局，技術(shù)不斷進(jìn)步背后的苦干問題。
2009-08-02 14:35:4612 用可規(guī)劃積體電路開發(fā)第三代行動(dòng)通訊亂碼接收器第三代行動(dòng)通訊是以CDMA技術(shù)為主軸，而CDMA 又以亂碼的產(chǎn)生（發(fā)射端）與尋找（接收端）為主，在歐規(guī)ＷCDMA中，各個(gè)基地臺(tái)是用
2009-11-22 17:19:315 第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)
2010-03-18 09:55:0417 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
第三代無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)
今天，我們正在進(jìn)入第三代無(wú)線通信階段?；蛘哒f(shuō)“互聯(lián)網(wǎng)包含一切”的階段，這個(gè)階段用無(wú)線傳感器和控制技術(shù)來(lái)連接人類世界與虛擬電子世界。
2009-03-24 08:40:432066 第三代移動(dòng)通信常識(shí)
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫，指第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)
2009-06-01 21:03:572976 什么是第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)
第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系
2009-06-13 22:20:551326 關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后，不到九個(gè)月又成功開發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132597 據(jù)一向不靠譜的臺(tái)灣媒體DigiTimes報(bào)道，蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來(lái)自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16724 根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動(dòng)生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 三星電子的芯片部門風(fēng)光不再，從金雞母淪落至賠錢貨，該部門1日宣稱第三代14納米FinFET制程的研發(fā)工作即將完成，似乎意圖向臺(tái)積電搶單，扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。
2016-05-04 09:53:32916 導(dǎo)語(yǔ)：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:554538 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 目前市面上的屏幕指紋技術(shù)大多是光學(xué)屏幕指紋，更加高級(jí)的超聲波屏幕指紋技術(shù)最晚也要今年在華為Mate20 Pro上見到，而三星則是要用更加高端的高通第三代超聲波屏幕指紋技術(shù)。
2018-09-12 11:01:214710 近日，華潤(rùn)微電子有限公司（“華潤(rùn)微電子”）旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布，公司已成功開發(fā)出第三代0.18微米BCD工藝平臺(tái)。
2018-11-10 11:27:318963 )制程DRAM，目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制程研發(fā)速度，追趕三星，預(yù) ... 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)
2018-11-12 18:04:02533 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 AMD今天首次公開了第三代Ryzen銳龍桌面處理器，7nm工藝，Zen 2架構(gòu)，將在今年年中上市。
2019-01-10 15:04:4523824 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 據(jù)消息，作為先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，三星電子今（21）日宣布第三代10納米級(jí)（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:114064 高通昨晚發(fā)布了第三代5G基帶芯片——驍龍X50，使用的是5nm工藝。高通對(duì)5nm工藝的代工廠來(lái)源守口如瓶，不過外媒報(bào)道稱驍龍X60首發(fā)了三星的5nm工藝。
2020-02-19 15:09:363574 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對(duì)提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說(shuō)明了三星將如何透過即時(shí)開發(fā)高端制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)高端存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511320 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 目前，國(guó)家2030計(jì)劃和十四五國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國(guó)星光電舉辦了2020第一屆國(guó)星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體呢
2020-10-29 18:26:406025 
據(jù)了解，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入十四五規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主
2020-11-04 15:12:375552 昨晚，Redmi Note 9 Pro正式發(fā)布，全球首發(fā)第三代一億像素相機(jī)傳感器三星HM2，號(hào)稱將一億像素相機(jī)高端影像技術(shù)大眾化。
2020-11-27 09:43:095275 今晚，Redmi Note 9 Pro正式發(fā)布，全球首發(fā)第三代一億像素相機(jī)傳感器三星HM2，號(hào)稱將一億像素相機(jī)高端影像技術(shù)大眾化。
2020-11-27 10:08:5310835 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1292798 Intel首次采用10nm工藝的第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)“Ice Lake-SP”已經(jīng)推遲到2021年第一季度，將會(huì)和AMD 7nm工藝、Zen3架構(gòu)的的第三代霄龍正面對(duì)決，無(wú)論規(guī)格還是性能都討不到什么便宜。
2020-11-30 09:56:203100 在跳票多次之后，明年第一季度，Intel將推出代號(hào)Ice Lake-SP的單/雙路第三代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，首次用上10nm工藝，并有全新的Sunny Cove CPU架構(gòu)。
2020-12-08 09:40:063130 
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年，受困于技術(shù)和成本等因素，市場(chǎng)一直不溫不火。 但今年的市場(chǎng)形勢(shì)明顯不同，各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度，第三代半導(dǎo)體也開始頻繁出現(xiàn)在各地園區(qū)
2020-12-08 17:28:0314628 隸屬于 Ice Lake-SP 家族的英特爾 10nm 第三代 Xeon 服務(wù)處理器芯片已經(jīng)被曝光。根據(jù) GeekBench 跑分庫(kù)信息，這款處理器具備 36 個(gè)核心和 72 個(gè)線程，這也是首次
2020-12-10 14:42:273530 
日前，阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì)，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)？第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:484256 更加精準(zhǔn)，助力智能產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 據(jù)高德介紹，第三代車載導(dǎo)航是軟硬件結(jié)合的小一袋車載導(dǎo)航解決方案，依托合作車企的全棧自研能力，已率先與小鵬汽車達(dá)成合作。 第三代車載導(dǎo)航不僅將導(dǎo)航由道路級(jí)升級(jí)為車道級(jí)，同時(shí)將自動(dòng)駕駛系統(tǒng)感
2021-01-22 18:05:144757 數(shù)據(jù)處理和計(jì)算力日益提升的需求。 第三代津逮CPU是面向中國(guó)市場(chǎng)設(shè)計(jì)的本土服務(wù)器處理器，適用于x86通用服務(wù)器平臺(tái)，其功能、性能及可靠性與第三代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（Ice Lake）一致。相較上一代產(chǎn)品，第三代津逮CPU采用先進(jìn)的10nm制程工藝，支
2021-04-12 14:26:293795 EE-230：第三代SHARC?系列處理器上的代碼覆蓋
2021-05-25 15:18:417 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 -三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日，三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205 -? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國(guó)深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342 
第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:233689 
新芯片將由三星sf4p（第三代4納米）工藝制作，g3將由第二代sf4工藝制作。另外，xenos 2400處理器也將使用sf4p，預(yù)計(jì)將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
2023-10-31 14:25:361349 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件?lái)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551391 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11923 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051955 
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