RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55（1.2 GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器（H.264）。此外，這款微處理器還
2026-01-05 14:32:34
382 
1.7 - 1.9V VDD電壓運(yùn)行的25位1:1或14位1:2可配置寄存器緩沖器。它的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)輸入與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的SSTL_18兼容，控制輸入為L(zhǎng)VCMOS，輸出則是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的1.8V CMOS驅(qū)動(dòng)器
2025-12-24 16:30:09124 在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 ；
MT41K512M16VRN-107 AAT:P DDR3L 74K；
MT41K128M16JT-107:K DDR3L 1KK；
W972GG6KB-25DDR2 2Gb 110k
2025-11-27 15:58:19
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對(duì)于DDR4 DIMM的設(shè)計(jì)，EEPROM的選擇至關(guān)重要。N34C04作為一款專門為DDR4 DIMM設(shè)計(jì)的EEPROM Serial 4 - Kb器件，實(shí)現(xiàn)了JEDEC
2025-11-27 14:42:12306 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的DDR5產(chǎn)品是中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達(dá)8000Mbps，最高
2025-11-25 08:27:008131 
添加Zynq Processing System IP核，配置DDR控制器和時(shí)鐘。7000系列的Zynq可以參考正點(diǎn)原子DMA回環(huán)測(cè)試設(shè)置。
2025-11-24 09:25:502881 
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過(guò) AXI_HP 接口對(duì) PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測(cè)試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423466 
。本文整合瑞芯微官方工具與實(shí)測(cè)經(jīng)驗(yàn)，拆解?RK?平臺(tái)?DDR?測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)化步驟，覆蓋不同芯片、DDR?類型的適配要點(diǎn)，讓工程師快速上手驗(yàn)證內(nèi)存?“抗造”?能力。 一、測(cè)試前準(zhǔn)備：環(huán)境搭建與工具就緒 測(cè)試前需完成基礎(chǔ)配置，確保測(cè)試環(huán)境合規(guī)
2025-11-19 07:08:56291 
RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55（1.2GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器（H.264）。此外，這款微處理器還
2025-11-18 17:58:337824 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過(guò)我在配置MIG的時(shí)候，通過(guò)讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 ，蜂鳥本身提供了外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)接口，在e203_subsys_mems.v文件中可以找到：
同時(shí)在這個(gè)源文件中實(shí)現(xiàn)了一主多從的總線系統(tǒng)，可以看到sysmem被分配到0x80000000到
2025-10-31 06:07:38
總所周知，一般我們?cè)趯?duì)通信芯片互連的時(shí)候，要求兩者的IO接口電平標(biāo)準(zhǔn)是一樣的，而在學(xué)習(xí)FPGA與DDR互連的時(shí)候，查看網(wǎng)上的資料卻很少提及這方面，都是直接教你怎么連接，不明所以，所以這里簡(jiǎn)單做了下筆記。
2025-10-29 11:09:333011 
由于FPGA內(nèi)部存儲(chǔ)資源有限，很多時(shí)候不能滿足需求，因此可以利用DDR對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行存儲(chǔ)擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對(duì)DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，中文俗稱“內(nèi)存”。自1997年第1代問(wèn)世以來(lái)，已發(fā)展至第5代DDR5，走過(guò)二十多年歷程。 目前，JEDEC 國(guó)際固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)已于2023年啟動(dòng)
2025-10-28 11:06:231062 
文件夾內(nèi)，打開文件夾。閱讀readme說(shuō)明文檔，我們能夠知道，原作者采用了vivado MIG IP來(lái)控制開發(fā)板上的DDR3，由于芯來(lái)科技的E203平臺(tái)系統(tǒng)片內(nèi)總線是icb總線，所以我們需要做跨時(shí)鐘域
2025-10-28 07:25:32
DDR使用
在我們的項(xiàng)目中，我們使用的是芯來(lái)科技的DDR200T開發(fā)板，我們通過(guò)調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將
2025-10-28 07:24:01
“ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167359 
前言：2025年，存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)“高燒”——-國(guó)際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步-國(guó)產(chǎn)料號(hào)月更、周更，同一料號(hào)不同Die，顆粒參數(shù)“開盲盒”-更大的坑是：對(duì)于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
：使用DDR200T上板載的DDR3對(duì)內(nèi)存進(jìn)行擴(kuò)展
擴(kuò)展方案結(jié)構(gòu)圖：
該方案中DDR3使用vivado提供的axi接口mig的IP核來(lái)進(jìn)行控制，蜂鳥e203源代碼中提供了icb2axi模塊，可以使發(fā)出
2025-10-24 08:12:53
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統(tǒng)頂層時(shí)鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶時(shí)鐘ui_clk，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)跨時(shí)鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時(shí)候需要用，vivado
2025-10-24 07:25:00
的基地址為0x80000000，尋址空間為64k。
程序從ITCM的基地址開始下載，當(dāng)存滿0x80000000以后的64k空間時(shí)，剩余的程序會(huì)下載到DDR3的存儲(chǔ)空間。
將源鏈接文件
2025-10-23 06:16:44
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問(wèn)。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55（1.2GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器（H.264）。此外，這款微處理器還
2025-10-15 06:53:008550 
標(biāo)準(zhǔn)的SAMA5D29 MPU支持多種存儲(chǔ)器，如DDR2、DDR3L、LPDDR2、LPDDR3、QSPI和e.MMC閃存。這些器件集成了功能強(qiáng)大的連接外設(shè)和用戶接口應(yīng)用，包括兩個(gè)符合ISO標(biāo)準(zhǔn)的CAN-FD接口。
2025-10-13 11:28:10658 
DDR是硬件設(shè)計(jì)的重要一環(huán)，作為一名硬件工程師除了對(duì)DDR基礎(chǔ)和原理要有了解外，最重要的也就是對(duì)DDR控制器的掌握。本文章從DDR外部管腳的角度進(jìn)行描述，學(xué)習(xí)DDR的關(guān)鍵設(shè)計(jì)要注意和了解的部分。
2025-10-10 09:15:242073 
回收DDR2，回收DDR3，收購(gòu)DDR2，收購(gòu)DDR3 DDR4 DDR5長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線端接的所有電源要求。
2025-09-09 14:28:07713 
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041731 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:53:22687 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37754 
3A，支持測(cè)試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評(píng)估模塊配有方便的測(cè)試點(diǎn)和跳線，用于評(píng)估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評(píng)估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應(yīng)用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲(chǔ)器終端穩(wěn)壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
的合作伙伴。在汽車電子不斷升級(jí)的背景下，存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能與穩(wěn)定性成為車企和Tier1供應(yīng)商的核心關(guān)注點(diǎn)。貞光科技作為紫光國(guó)芯產(chǎn)品的專業(yè)代理商，專注于為客戶提供DDR3、L
2025-08-26 16:12:151423 
詳細(xì)了解硬件信息，包括#DDR 顆粒的型號(hào)、容量、速率、數(shù)據(jù)寬度等參數(shù)，以及原理圖中DDR顆粒與處理器的連接方式、引腳定義等 。這些信息是進(jìn)行準(zhǔn)確配置的基礎(chǔ)，直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。
2025-08-13 09:25:053550 
DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu)，即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55（1.2GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器（H.264）。此外，這款微處理器還
2025-08-04 13:40:033085 
計(jì)劃提升至17600MT/s，達(dá)到現(xiàn)行DDR5最高速度（約8000MT/s）的兩倍以上。 ? 2024 年，JEDEC 開始著手研究下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) DDR6，目標(biāo)是為存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)更快的讀寫速度和更高
2025-07-31 08:32:003664 本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 技術(shù)手冊(cè)，適用于使用LogiCORE IP核（如DDR3/DDR2 SDRAM、RLDRAM II、QDRII+）進(jìn)行存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)26。核心功能：IP核配置與時(shí)序：詳細(xì)說(shuō)明Xilinx MIG（Memory Interface Generator）IP核的使用方法，包括信號(hào)定義、時(shí)序約束、物理層（PHY
2025-07-28 16:17:453 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 Renesas Electronics RZ/A3M 1GHz微處理器基于Arm^?^ Cortex ^?^ -A55 (CA55) 內(nèi)核（帶NEON?擴(kuò)展）。內(nèi)置大容量128MB DDR3L存儲(chǔ)器
2025-07-11 11:30:531816 
的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，TrendForce報(bào)告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場(chǎng)上的價(jià)格已基本持平，有些DDR4芯片的價(jià)格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來(lái)，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152009 
隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商，其車規(guī)級(jí)DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171219 
DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）是一種廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的高性能內(nèi)存技術(shù)，DDR的主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，移動(dòng)設(shè)備，嵌入式系臨時(shí)存儲(chǔ)和高速傳輸數(shù)據(jù)。因此，DDR是現(xiàn)代
2025-05-14 21:48:49622 
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 LP2995 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 SSTL-3 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件包含一個(gè)高速運(yùn)算放大器 對(duì)負(fù)載瞬變提供出色的響應(yīng)。輸出級(jí)可防止擊穿，同時(shí)
2025-05-06 09:33:38715 
下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來(lái)自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3L
2025-04-29 18:11:05834 
該TPS51100保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，僅需 20 μF（2 × 10 μF）的 陶瓷輸出電容。TPS51100 支持遙感功能和所有功能 需要根據(jù) JEDEC 規(guī)范為 DDR 和 DDR2 VTT 總線
2025-04-29 17:15:20774 
LP2997 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-18 規(guī)范 DDR-II 內(nèi)存終止。該器件包含一個(gè)高速運(yùn)算放大器，可提供 對(duì)負(fù)載瞬變的出色響應(yīng)。輸出級(jí)可防止在傳輸時(shí)擊穿 根據(jù) DDR
2025-04-29 16:48:21833 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過(guò)去的一關(guān)。無(wú)論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國(guó)芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場(chǎng)邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場(chǎng)推廣
2025-04-16 16:39:301342 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC，專為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內(nèi)存
2025-04-09 15:31:25657 
我們目前正在使用 iMX6UL DDR 寄存器編程輔助工具為 U-Boot 生成 DCD 表。我們的設(shè)備使用的是 MT41K128M16JT-107，即 DDR3-1866，這意味著它的時(shí)鐘周期頻率
2025-03-27 07:16:35
, DDR3L, DDR4和LPDDR3, LPDDR4協(xié)議，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)2667Mbps，并支持X16/X32/X64等多種數(shù)據(jù)位寬應(yīng)用。
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì)，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
DRP 和 AI-MAC 組成。 它還配備一個(gè) 16 位的DDR3L/DDR4 接口，具備內(nèi)置 Arm Mali-G31 的 3D 圖形引擎和視頻編解碼器 （H.264）。 *附件：3D圖形和視頻編解碼器
2025-03-14 16:50:57917 
RZ/G2L 微處理器配備 Cortex-A55?（1.2GHz）CPU、16 位 DDR3L/DDR4 接口、使用 Arm? Mali-G31 的 3D 圖形引擎以及視頻編解碼器（H.264
2025-03-12 17:46:21977 
Octal-SPI 存儲(chǔ)器接口，有助于簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì)，使結(jié)構(gòu)更小型化。 此外，還提供支持 DDR3L/DDR4內(nèi)存接口的版本，以實(shí)現(xiàn)高速的 DRAM 連接。利用 RTOS 可使系統(tǒng)在開機(jī)后不到一秒
2025-03-11 16:45:22801 
：NT5CC256M16EP-EKI DDR3(L) 4Gb SDRAM CL-TRCD-TRP｛13-13-13｝
手冊(cè)要求 933MHz Clock但是STM32MP13x 最高給 DDRC 頻率
2025-03-11 07:11:03
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過(guò)精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來(lái)優(yōu)化內(nèi)存訪問(wèn)效率。
2025-03-05 13:47:403573 
（支持L2/L3硬件處理，IPv4/IPv6雙棧，15Gbps交換容量，全字節(jié)線速轉(zhuǎn)發(fā)），網(wǎng)絡(luò)側(cè)支持QSGMII和RGMII接口，支持外接DDR3/DDR3L/DD
2025-03-03 16:37:362036 
我看了一下所購(gòu)買的評(píng)估開發(fā)板，上面帶有DDR2的接口，我想使用DDR2來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)，但是沒有找到接口相關(guān)的引腳文件，ucf文件中也沒有DDR2相關(guān)的引腳
2025-02-28 08:42:16
特點(diǎn)4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲(chǔ)體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲(chǔ)體
2025-02-20 11:44:07
特點(diǎn)DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM。請(qǐng)參閱DDR3（1.5 V）SDRAM磨合時(shí)（模具版本：E）數(shù)據(jù)表規(guī)格1.5V兼容模式。特征?VDD=VDDQ=1.35V
2025-02-19 16:19:23
據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 顆DDR3的數(shù)據(jù)位寬為32bit，總數(shù)據(jù)帶寬最高到34112（1066×32） Mbps，8路HSST高速收發(fā)器，每路速度高達(dá) 6.6Gbps，支持PCIE GEN2，預(yù)留標(biāo)準(zhǔn)LPC-FMC接口
2025-02-17 16:33:20
MT53E1G32D2FW-046 WT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-14 07:46:46
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場(chǎng)上備
2025-02-10 20:10:39
GPU支持：內(nèi)置Mali-G31MP2 GPU，支持流暢的高清圖形渲染和多媒體處理任務(wù)。 多樣內(nèi)存配置：兼容DDR4/DDR3/DDR3L/LPDDR3/LPDDR2等多種內(nèi)存規(guī)格，確保系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性
2025-02-07 18:21:024504 同步。?持外接DDR3/DDR3L/DDR4 SDRAM 和NAND/NOR SPI Flash。?速接?有USB2.0、PCIE2.0，低速接?有SPI、UART、I2C、PWM等。可以作為企業(yè)?關(guān)，?控主機(jī)使?。
2025-01-23 16:25:532057 
1588 PTP功能，?于時(shí)間同步。?持外接DDR3/DDR3L/DDR4 SDRAM 和NAND/NOR SPI Flash。?速接?有USB2.0、PCIE2.0，低速接?有SPI、UART
2025-01-15 17:03:48
1GB DDR3
8GB eMMC
-40℃~+85℃
開發(fā)板配置型號(hào)
產(chǎn)品型號(hào)主芯片內(nèi)存存儲(chǔ)器工作溫度
MYD-YM90G -8E1D-100-I
DR1M90GEG484
1GB DDR3
8GB
2025-01-10 14:32:38
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論