JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)標準全球領(lǐng)導(dǎo)制定機構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標準JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當今DRAM主導(dǎo)性標準演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3537 本文探討了各種不含鹵素（halogen-free）的DDR4插座的開發(fā)工作，并且根據(jù)嚴格的JEDEC DDR4規(guī)范和IEC 61249-2無鹵素依從性，討論了不同的外殼材料選項。##針腳保持力將端子
2014-08-04 17:21:244050 
內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522203 本篇主要針對Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計的角度進行詳細介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計。 目前比較常用的DDR
2020-12-21 14:04:367466 
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441890 
DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24755 
據(jù)報道，長鑫存儲官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國際通行標準規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長鑫特別強調(diào)
2020-02-27 09:01:118207 JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標準（JESD79-5），為全球計算機拉開新時代序幕。 簡言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番
2020-07-16 10:00:057058 2_4GHz無線技術(shù)標準及ZigBee抗干擾性能歡迎研究ZigBee的朋友和我交流。。。
2012-08-11 19:19:08
描述此參考設(shè)計展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩(wěn)壓器提供為 2A 負載提供
2018-12-24 15:08:56
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些？
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個適合你的列表創(chuàng)建一個
2021-07-29 06:58:22
（UG583）“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計用戶指南”的V1.10表示（通常）DDR4接口信號reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號的偏移約束。但是，在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎？
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-11 07:13:53
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點相比DDR3，DDR4存在諸多變更點，其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點主要有：?增加Vpp電源；?VREFDQ刪除；?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
DBI示例5 Error Detection功能隨著DDR4數(shù)據(jù)速率的提升，誤碼率也隨之提升，故DDR4中增加Error Detection技術(shù)對DQ和CMD、ADD信號。對于DQ信號使用內(nèi)置的CRC
2019-11-12 12:40:17
技術(shù)的瓶頸，可能需要很長的時間才能出來。就當我們都對DDR5不報希望的時候，結(jié)果它就悄悄的來了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標準，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢？
2021-06-18 08:19:59
2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升
2011-02-27 16:47:17
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時時發(fā)集團亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
支持Xilinx FPGA中的32位 DDR4 SDRAM
2020-12-29 06:30:15
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實現(xiàn)這個內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
的JEDEC標準DDR4接口的變體，它包含了對完整系統(tǒng)支持所需的獨特功能。本文將幫助工程師了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設(shè)計指南
2021-01-15 06:08:20
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2021-05-08 17:42:19
演愈烈，內(nèi)存的性能成為新的瓶頸。早在2017年，負責計算機內(nèi)存技術(shù)標準的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標準，美光、三星等內(nèi)存廠商在2018年也就開始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品
2022-10-26 16:37:40
可以達到128GB，媲美SSD了。功耗更低功耗方面，DDR3內(nèi)存采用1.5V標準電壓，DDR4功耗明顯降低，電壓降到1.2V甚至更低，功耗下降了，更省電，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。DDR4和DDR3內(nèi)存可以
2019-07-25 14:08:13
（Self-Refresh Temperature）等兩種功能，讓存儲器在休眠時也能夠隨著溫度變化去控制對存儲器顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)資料的完整性。DDR4 SDRAM （Double Data Rate Fourth
2019-08-01 10:17:46
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項目時，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr
2020-05-11 09:17:30
我的主板在 BL2 init step.so 我嘗試參考“ QCVS_DDR_User_Guide”Debugging LS1046 DDR4 with tools codewarrior。我在我
2023-03-21 07:46:06
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
NXP IMX8M Mini DDR4 校準
2023-04-20 07:36:55
快速充電技術(shù)的原理是什么？手機快充芯片的技術(shù)標準是什么？現(xiàn)市面上使用的電池管理芯片有哪些？
2021-09-26 07:15:22
VTT是什么？怎樣去估算DDR4穩(wěn)壓器的VTT電流？
2021-10-11 09:37:19
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
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2021-01-30 17:36:35
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2021-09-08 14:59:58
美國作為全球最發(fā)達的經(jīng)濟體和頭號科技大國，其標準和法規(guī)名目繁多。美國是一個標準大國，它制定的包括技術(shù)法規(guī)和***采購細則等在內(nèi)的標準有5萬多個，私營標準機構(gòu)、專業(yè)學(xué)會、行業(yè)協(xié)會等制定的標準也在4萬個
2011-01-22 17:00:27
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專業(yè)收購DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長期高價回收DDR4，專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收
2021-03-17 17:59:10
使用DDR4作為外接存儲單元時，蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經(jīng)過vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑測試DDR4讀寫程序，報store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
請問一下物聯(lián)網(wǎng)無線技術(shù)標準都使用什么頻段？
2021-05-17 06:38:32
幅值高于某一個值時，判定信號為1，低于某一個值時，判定為0。而判定的依據(jù)——某一個值就是可以從JEDEC中找到的。如圖一所示，是DDR3地址命令信號的AC、DC標準，對應(yīng)相應(yīng)的速率，就可以在波形上面
2016-09-28 19:00:54
DDR2名詞解釋
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)
2009-04-26 18:02:221197 
DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏?b class="flag-6" style="color: red">標準 DDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40815 
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不
2009-12-17 16:26:19737 DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏?b class="flag-6" style="color: red">標準
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28623 DDR2傳輸標準
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標準的一種升級和擴展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57435 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361393 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393174 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標準領(lǐng)導(dǎo)制定機構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標準的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標準與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461733 美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-17 21:28:56782 美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-18 14:37:381318 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標準的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561671 DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標準。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點，這些新的特點，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計中，引入一些新的設(shè)計需求
2017-10-13 20:13:18
10 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個Bank
2017-11-07 10:48:5152946 
雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330998 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925482 DDR2(Double Data Rate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同：雖然采用時鐘的上升／下降沿同時傳輸
2017-11-25 01:41:013889 
本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0056 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823609 在安捷倫最新的測試解決方案之一Infinium 90000X系列示波器上驗證，UltraScale FPGA上運行的2400 Mb / s DDR4內(nèi)存接口設(shè)計具有出色的信號質(zhì)量和JEDEC兼容性。
2018-11-30 06:01:006808 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進的數(shù)據(jù)完整性，增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:0146480 DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0410181 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418241 
，和普通用戶無關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標準協(xié)會發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標準規(guī)范，序列編號JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標準。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標準、固件，可以最大程度減少對于現(xiàn)有設(shè)備、平臺的更改，同
2021-02-19 10:04:021589 和內(nèi)存容量。今天想和大家聊一聊如何避免未來服務(wù)器/PC性能“躺平”的技術(shù)—DDR5內(nèi)存技術(shù)。 2020年7月，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式公布DDR5內(nèi)存行業(yè)標準。JEDEC標準顯示，DDR5內(nèi)存?zhèn)鬏攷拰⑹?b class="flag-6" style="color: red">DDR4的2倍，內(nèi)存頻率將從4800MHz起，比DDR4官方標準最高頻
2021-06-22 09:36:062859 
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-06 13:51:01151 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點相比DDR3，DDR4存在諸多變更點，其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0029 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03159 初期DDR5可提供超過DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率，最終預(yù)期可達2.6倍8.4Gbps?；仡?b class="flag-6" style="color: red">JEDEC SDRAM歷代演進，提升幅度還算驚人，但到頭來也只是充分反應(yīng)相隔八年累積的制程技術(shù)成長。
2022-09-21 11:48:072555 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標準旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1723 JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲器架構(gòu)，認為它的出現(xiàn)標志整個產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲器模塊（DIMM）過渡。
2022-12-05 11:59:262498 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2514791 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:1811581 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101345 3是目前使用最為廣泛的計算機內(nèi)存標準，它已經(jīng)服務(wù)了計算機用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標準工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標準則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:005815
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