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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?

在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?

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OLED和MicroLED差別何在?三星、LG互杠!

面板技術(shù)領(lǐng)域, 三星、LG各擁其“主”也是他們互杠的原因,LG力挺自家OLED,三星執(zhí)著于Micro LED。OLED和MicroLED差別何在?誰又會笑到最后。
2018-01-15 14:52:545461

三星電信設(shè)備領(lǐng)域挑戰(zhàn)華為

三星早已有意發(fā)展電信設(shè)備業(yè)務(wù),4G時代它就嘗試推出電信設(shè)備,不過最終取得的成果寥寥,未能在該行業(yè)取得突破,如今5G時代正在到來,三星早早布局并積極與全球各地的運(yùn)營商合作測試其設(shè)備,力圖電信設(shè)備行業(yè)打開局面。
2018-03-06 14:33:011083

三星設(shè)多個AI研究中心,任命首席創(chuàng)新

半導(dǎo)體是三星的王牌產(chǎn)業(yè),如今這各半導(dǎo)體巨頭全球多個主要城市設(shè)立AI研究中心,正式擴(kuò)張AI產(chǎn)業(yè)。并且還任命了首席創(chuàng)新官,三星動作太大了。
2018-06-06 09:46:151006

三星推遲擴(kuò)產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星宣布將量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機(jī),優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

集成電路機(jī)遇挑戰(zhàn)并存

集成電路產(chǎn)業(yè)新一輪快速增長。 國際貿(mào)易態(tài)勢及新冠肺炎疫情的影響下,如何在集成電路產(chǎn)業(yè)變局中加快產(chǎn)業(yè)鏈布局,打破貿(mào)易壁壘,構(gòu)建自主創(chuàng)新的集成電路生態(tài),是中國芯面臨的最大挑戰(zhàn)。 集成電路機(jī)遇挑戰(zhàn)并存 9月10日,商務(wù)部召開
2020-09-27 18:14:174096

三星穩(wěn)坐DRAM市場頭名:利潤率41%

據(jù)韓聯(lián)社援引 TrendForce 的數(shù)據(jù),三星目前仍是 NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,按收入計算,其全球 DRAM 市場中的份額 7-9 月期間占 41.3%,相比上一季度下降了 2.2 個
2020-11-22 10:22:012037

超分辨技術(shù)RTC領(lǐng)域應(yīng)用面臨的機(jī)遇挑戰(zhàn)

本文將著眼于AI技術(shù)從研究到部署的落地問題,分享超分辨技術(shù)RTC領(lǐng)域落地應(yīng)用所面臨的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2021-01-07 09:45:003775

三星NAND閃存市場將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星電子2023年三星晶圓代工論壇上公布AI時代的晶圓代工發(fā)展愿景

擁有先進(jìn)制程路線圖的三星晶圓代工,將進(jìn)一步履行對客戶的承諾并鞏固市場地位 今日,三星電子2023年第7屆三星晶圓代工論壇(Samsung?Foundry Forum, SFF)上宣布其最新的代工技術(shù)創(chuàng)新
2023-06-28 10:28:51952

三星電子DRAM市場份額創(chuàng)新低 仍是全球第一

今年上半年,三星電子的旗艦產(chǎn)品,如半導(dǎo)體、智能手機(jī)和電視等,市場份額方面普遍遭遇下滑。特別是半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心業(yè)務(wù)DRAM方面,盡管三星電子仍然占據(jù)全球第一的位置,但市場份額已經(jīng)達(dá)到了自9年來的最低點(diǎn)。
2023-08-18 17:14:572594

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?!绷硗?,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星半導(dǎo)體亮相第六屆進(jìn)博會展示面向AI時代的存儲等創(chuàng)新解決方案

熱點(diǎn)應(yīng)用及新興產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新半導(dǎo)體技術(shù)。 ? ▲?三星半導(dǎo)體進(jìn)博會展臺(國家會展中心4.1館) 面向AI時代的存儲解決方案 在此次進(jìn)博會上,三星半導(dǎo)體展出了包括第代超高速高帶寬內(nèi)存HBM3E Shinebolt、CMM-D等一系列滿足AI時代的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用需
2023-11-06 11:29:291811

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星硅谷建立3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

三星電子,全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商,近日宣布美國設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負(fù)責(zé)三星美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306

三星電子硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

近日,三星電子宣布硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,以加強(qiáng)其存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實(shí)驗(yàn)室的成立將專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
2024-01-31 11:42:011285

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516

三星2025年后將首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時代

Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實(shí)現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

EMI電磁干擾:挑戰(zhàn)機(jī)遇并存,如何應(yīng)對是關(guān)鍵

深圳比創(chuàng)達(dá)EMC|EMI電磁干擾:挑戰(zhàn)機(jī)遇并存,如何應(yīng)對是關(guān)鍵
2024-04-11 10:24:261180

EMC電磁兼容性行業(yè):挑戰(zhàn)機(jī)遇并存

深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC|EMC電磁兼容性行業(yè):挑戰(zhàn)機(jī)遇并存
2024-05-27 10:57:591481

三星預(yù)計2028年AI相關(guān)收入將增長九倍

近日,科技巨頭三星對其未來人工智能領(lǐng)域的戰(zhàn)略進(jìn)行了全面披露。據(jù)預(yù)測,到2028年,三星AI相關(guān)的客戶名單將擴(kuò)大五倍,同時收入有望實(shí)現(xiàn)九倍增長。這一預(yù)測的背后,是三星AI芯片技術(shù)深入布局和持續(xù)創(chuàng)新的體現(xiàn)。
2024-06-13 14:15:20909

三星芯片復(fù)興之路:半導(dǎo)體業(yè)務(wù)飆升與HBM挑戰(zhàn)并存

科技行業(yè)的浩瀚星空中,三星電子無疑是一顆璀璨的星辰。近期,這家科技巨頭憑借其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的顯著改善,實(shí)現(xiàn)了利潤的飆升,再次向世人展示了其強(qiáng)大的市場影響力和技術(shù)實(shí)力。然而,光鮮亮麗的背后,三星電子也面臨著不小的挑戰(zhàn),尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)這一關(guān)鍵領(lǐng)域,其業(yè)務(wù)表現(xiàn)仍顯承壓。
2024-07-09 14:32:541157

三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用

三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強(qiáng),適合端側(cè)AI移動端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級工藝,四層堆疊,提升Die密度的同時,減少厚度,提高耐熱性
2024-08-06 08:32:461003

百度云智大會開幕 三星攜手百度共探AI機(jī)遇

”的發(fā)展理念,呈現(xiàn)了旗下Galaxy AI創(chuàng)新成果,同時分享了攜手百度智能云探索AI未來發(fā)展的新機(jī)遇與目標(biāo)。 三星電子大中華區(qū)總裁 崔勝植 三星電子大中華區(qū)總裁崔勝植出席大會現(xiàn)場并表示:“當(dāng)今人工智能已經(jīng)成為推動全球發(fā)展的核心驅(qū)動
2024-09-26 15:39:10853

三星或重新設(shè)計1a DRAM以提升HBM質(zhì)量

 三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題,該公司高帶寬存儲器(HBM)市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,為了提升在HBM領(lǐng)域的競爭力,三星可能會著手重新設(shè)計部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371

AI醫(yī)療深度融合機(jī)遇挑戰(zhàn)并存

2024年,醫(yī)療AI步入轉(zhuǎn)折期,挑戰(zhàn)與新生并存。
2024-12-16 13:52:391040

三星LPDDR5X榮獲CES 2025創(chuàng)新

CES 2025開幕前夕,三星半導(dǎo)體憑借其存儲技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破,以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù),獲得了CES 2025移動設(shè)備、配件及應(yīng)用程序領(lǐng)域創(chuàng)新獎。
2024-12-31 15:15:591165

三星發(fā)布Vision AI等多項(xiàng)創(chuàng)新

近日,三星美國舉辦的2025 年國際消費(fèi)電子展(CES 2025)“First Look”活動上,發(fā)布了三星Vision AI,旨在為用戶的日常生活帶來個性化的 AI屏幕體驗(yàn)。
2025-01-14 11:47:561236

三星發(fā)布Vision AI,打造個性化AI屏幕體驗(yàn)

近日,2025年國際消費(fèi)電子展(CES 2025)“First Look”活動上,三星震撼發(fā)布了其最新的科技成果——三星Vision AI。這一創(chuàng)新技術(shù)旨在通過個性化的AI屏幕體驗(yàn),為用戶帶來
2025-01-14 14:58:571218

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計,應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出三星半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解,決定啟動D1B-P項(xiàng)目時,三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071411

三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM

問題,2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時,從頭設(shè)計新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關(guān)媒體表示相關(guān)報道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計,但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目標(biāo)是提升1b DRAM的性能和良率。據(jù)了解,三星啟動了名為“D1b - p”的開發(fā)項(xiàng)目,重點(diǎn)關(guān)注提高電源效率和散熱性能。
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道

DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn),并從頭開始設(shè)計新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對此表示否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)計1b DRAM的計劃。 盡管三星電子否認(rèn)了重新設(shè)計的傳聞,但不可否認(rèn)的是,其12nm級DRAM產(chǎn)品確實(shí)面
2025-01-23 15:05:11923

三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計,力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343

板狀天線:智能時代下的挑戰(zhàn)機(jī)遇并存

深圳安騰納天線|板狀天線:智能時代下的挑戰(zhàn)機(jī)遇并存
2025-03-13 09:02:421081

三星以生態(tài)之力,共筑AI未來

日前舉行的2025年博鰲亞洲論壇年會上,人工智能議題再度成為關(guān)注的熱點(diǎn)。在這場關(guān)乎未來競爭力的探討中,三星憑借科技實(shí)力,人工智能領(lǐng)域前瞻布局,通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新,展現(xiàn)了其推動AI發(fā)展方面的堅定
2025-03-28 15:43:46834

AMD正在邊緣AI領(lǐng)域開拓創(chuàng)新

AMD 正在邊緣 AI 領(lǐng)域開拓創(chuàng)新,并為可能實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)。
2025-09-25 16:55:01794

三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold

2025年12月2日,三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold,進(jìn)一步鞏固了三星移動AI時代中針對形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢。
2025-12-03 17:46:221330

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