chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

行業(yè) | 華虹半導(dǎo)體宣布其第三代90nm eFlash工藝平臺量產(chǎn)!

集成電路應(yīng)用雜志 ? 來源:YXQ ? 2019-07-29 10:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”,股份代號:1347.HK)宣布其第三代90 納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

華虹半導(dǎo)體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域,通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新,第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%,再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢,使得芯片整體面積進(jìn)一步減小,從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時(shí),光罩層數(shù)也隨之進(jìn)一步減少,有效縮短了流片周期。而可靠性指標(biāo)繼續(xù)保持著高水準(zhǔn),可達(dá)到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力。近年來,華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點(diǎn)連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺,在保持技術(shù)優(yōu)勢的同時(shí),不斷探求更高性價(jià)比的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn),為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器MCU)等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲器技術(shù)的領(lǐng)航者,未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新,面向高密度智能卡與高端微控制器市場,同時(shí)不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化,將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢向300mm延伸,更好地服務(wù)國內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司,滿足市場需求。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • FlaSh
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    1702

    瀏覽量

    154167
  • 華虹半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    98

    瀏覽量

    38478

原文標(biāo)題:華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

文章出處:【微信號:appic-cn,微信公眾號:集成電路應(yīng)用雜志】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時(shí),數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆,也給第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-05 05:53 ?2.7w次閱讀
    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b>十大事件

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?205次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M<b class='flag-5'>平臺</b>深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?379次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1435次閱讀

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文將重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述(一)定義與分類
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1262次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

    一站式 NVM 存儲 IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯(CFX)今日宣布,反熔絲一次性可編程(OTP)技術(shù)繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,2024 年在國內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm B
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:27 ?1376次閱讀

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費(fèi)電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1055次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?870次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>對防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1143次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2264次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:碳化硅和氮化鎵介紹

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?2517次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

    江西薩瑞微榮獲&amp;quot;2024全國第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)&amp;quot;稱號

    成果的肯定,更彰顯了薩瑞微在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。1大會現(xiàn)場大會匯聚了來自全國各地的半導(dǎo)體行業(yè)專家、學(xué)者和企業(yè)代表,共同探討第三代
    的頭像 發(fā)表于 10-31 08:09 ?1267次閱讀
    江西薩瑞微榮獲&amp;quot;2024全國<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造最佳新銳企業(yè)&amp;quot;稱號

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?2601次閱讀

    萬年芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎

    10月22日,2024全國第三代半導(dǎo)體大會暨最佳新銳企業(yè)獎頒獎典禮在蘇州隆重舉辦。這場備受矚目的行業(yè)盛會匯聚了眾多行業(yè)精英,共有30+位企業(yè)高管演講、50+家展商現(xiàn)場展示。在這場
    的頭像 發(fā)表于 10-28 11:46 ?937次閱讀
    萬年芯榮獲2024<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造最佳新銳企業(yè)獎

    萬年芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎

    10月22日,2024全國第三代半導(dǎo)體大會暨最佳新銳企業(yè)獎頒獎典禮在蘇州隆重舉辦。這場備受矚目的行業(yè)盛會匯聚了眾多行業(yè)精英,共有30+位企業(yè)高管演講、50+家展商現(xiàn)場展示。在這場
    的頭像 發(fā)表于 10-25 15:20 ?57次閱讀
    萬年芯榮獲2024<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造最佳新銳企業(yè)獎