明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 64 層 3D 閃存芯片將在年底前將月產(chǎn)能提高到 6 萬(wàn)片。
不過(guò)，接受采訪時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)副總裁、聯(lián)合 CTO Cheng Weihua 卻表示暫不能透露具體的數(shù)據(jù)詳情包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計(jì)劃。
有報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)最早明年初投產(chǎn) 128 層堆棧 3D 閃存，可能會(huì)采用第二代 Xtacking 架構(gòu)。
另外，Cheng Weihua 在參加近日舉辦的集成電路論壇時(shí)，還提及磁阻內(nèi)存和相變內(nèi)存技術(shù)，它們被認(rèn)為是未來(lái)打造非易失性內(nèi)存的核心要義。
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