Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術，該公司正在與幾個客戶合作，計劃在2020年實現(xiàn)多個流片。

eMRAM將成為物聯(lián)網(wǎng)，通用MCU，汽車，邊緣AI和其他低功耗應用的一種經(jīng)濟高效的選擇。

Globalfoundries的eMRAM設計為替代大容量嵌入式NOR閃存（eFlash），使設計人員能夠擴展其現(xiàn)有的IoT和MCU單元架構，以獲取28nm以下技術節(jié)點的功耗和密度優(yōu)勢。

Globalfoundries的eMRAM是一種高度靈活的功能強大的eNVM，已通過了五項嚴格的實際焊錫回流測試，并在-40°C至125°C的溫度范圍內支持10萬次循環(huán)的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保留。

FD-SOI eMRAM工藝支持AEC-Q100 Grade2級認證等級，并且正在進行開發(fā)以支持明年的AEC-Q100 Grade1。

Globalfoundries及其設計合作伙伴今天開始提供定制設計套件，這些套件具有可插入的，經(jīng)過硅驗證的MRAM，存儲空間從4到48M，并提供MRAM內置自測支持選項。