ASML的EUV極紫外光刻機何時能獲得出口中國的許可，是橫在國人心口的一根尖刺。中芯國際在沒有EUV設備的情況下，退而求其次開發(fā)的7nm制程，叫做FinFET制程N+1，相比于14nm效能增加20%，低于友商臺積電7nm30%的提升，據(jù)猜測中芯國際的N+1應該位于10nm和7nm之間。這與中芯國際無法獲得EUV設備有直接的關系。

與ASML一臺售價媲美一架F35 戰(zhàn)斗機，達到1億以上歐元的NXE3400B EVU設備比較起來，全球市場規(guī)模只有90億美元的光刻膠就要不顯眼許多。

但是，光刻膠在光刻工藝中的作用卻舉足輕重。江蘇博硯技術部章宇軒打了一個比方：“假如我們把光刻機比作一把菜刀，那么光刻膠就好比要切割的菜，沒有高質(zhì)量的菜，即便有了鋒利的菜刀，也無法做出一道佳肴”。我們理解一下，就好比牛刀用來砍骨頭，手術刀就是用來剝離血管的，如果我們有極紫外光刻機，卻用它來砍骨頭，那再好的刀也要砍缺了。

光刻膠是一種具有光化學敏感性的功能性化學材料，是由光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體（活性稀釋劑）、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體，其中，樹脂約占50%，單體約占35%。它能通過光化學反應改變自身在顯影液中的溶解性，通過將光刻膠均勻涂布在硅片、玻璃和金屬等不同的襯底上，利用它的光化學敏感性，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。

光刻膠在半導體材料領域與光刻工藝緊密相關，是精細化工行業(yè)技術壁壘最高的材料，生產(chǎn)工藝復雜，需要長期的技術積累，其重要性十分突出。在主流的半導體制造工藝中，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程，光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度，光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%。

經(jīng)電子顯微鏡放大的芯片表層

整個光刻膠市場按應用領域大致分成四類：半導體光刻膠占比24.1%，LCD 光刻膠占比26.6%，PCB 光刻膠占比24.5%，其他類光刻膠占比24.8%。我國大陸光半導體材料市場規(guī)模就達到83億美元（光刻膠是其中之一），全球占比16%，次于臺灣和韓國排第三。

從2016年開始，我國PCB行業(yè)產(chǎn)值超過全球總產(chǎn)值的一半，其配套的PCB光刻穩(wěn)健提升，因技術壁壘較低，國內(nèi)的PCB光刻膠相對成熟，已初步實現(xiàn)進口替代。但是高端PCB光刻膠還需進口。

在半導體和LCD的光刻膠領域，國內(nèi)廠家與國外廠家的差距較大，6英寸以下硅片的g/i線光刻膠自給率約20%，適用于8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，而適用于12寸硅片的ArF光刻膠幾乎只能進口。

LCD光刻膠主要由日本和韓國壟斷，如JSR、LG化學、TOK、CHEIL等。這次LG化學被江蘇雅克科技收購，希望能借此豐富光刻膠技術。

半導體光刻膠核心技術和95%的市場被美日占據(jù)，日本的JSR、信越化學、TOK、住友化學，美國的SEMATECH、IBM等。

國產(chǎn)高端光刻膠依賴進口的現(xiàn)狀，在現(xiàn)在的國際貿(mào)易形勢之下，核心技術及材料的缺失將帶來整個行業(yè)的癱瘓，國產(chǎn)化刻不容緩。

在2015年的國家重點支持的高新技術領域中提到了，“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發(fā)展的新材料技術”，國家已對芯片制造工藝鏈的關鍵材料和設備進行政策扶持。我國也有不少企業(yè)開始在這個針尖大小的市場上啃骨頭。

2018年彩虹集團正性光刻膠項目投產(chǎn)

2005年以前，我國在光刻膠方面的專利申請極少，2005-2011年開始進入快速增長期，2011-2017年進入平穩(wěn)期。到2019年上半年，國內(nèi)申請人共申請了兩千多件。中國科學院、京東方、奇美實業(yè)股份有限公司（臺灣地區(qū)）占據(jù)申請量前3位，申請量分別為238件、216件、150件，另外還有幾家企業(yè)，中芯國際集成電路、中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團、TCL集團、臺灣積體電路、華中科技大學、上海交通大學、蘇州華飛微電子、友達光電。但是，總體上國內(nèi)申請人僅有10%的實效專利，主要還是在研究院和高校，技術轉(zhuǎn)化率待提高。