4月2日消息，中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）今日發(fā)布公告稱，自2020年4月1日至2020年4月2日，累計獲得政府補助款項共計人民幣1750萬元，其中，與收益相關(guān)的政府補助為人民幣1750萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補助為人民幣0萬元。

公告顯示，上述政府補助未經(jīng)審計，且轉(zhuǎn)入損益的金額與相關(guān)研發(fā)項目的進度與投入相關(guān)，暫無法評估對2020年度損益的影響。具體的會計處理以及對公司2020年度損益的影響最終以會計師年度審計確認后的結(jié)果為準。

中微公司是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加工設(shè)備公司，公司專注于集成電路、LED關(guān)鍵制造設(shè)備，核心產(chǎn)品包括：

1.用于IC集成電路領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備（CCP、ICP）、深硅刻蝕設(shè)備（TSV）；

2.用于LED芯片領(lǐng)域的MOCVD設(shè)備。等離子體刻蝕設(shè)備包括電容性等離子體刻蝕設(shè)備（CCP,CapacitivelyCoupledPlasma）和電感性等離體刻蝕設(shè)備（ICP,InductivelyCoupledPlasma）。電容性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應刻蝕的介質(zhì)材料。電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料。MOCVD即金屬有機化合物化學氣相沉積（Metal-organicChemicalVaporDeposition），MOCVD設(shè)備是LED芯片生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵設(shè)備。

目前公司等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進封裝。公司的MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列、國內(nèi)占主導地位的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。具體進展包括：

CCP：公司從2004年建立起首先著手開發(fā)甚高頻去耦合的CCP刻蝕設(shè)備PrimoD-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了雙反應臺PrimoD-RIE，雙反應臺PrimoAD-RIE和單反應臺的PrimoAD-RIE三代刻蝕機產(chǎn)品，涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米到5納米關(guān)鍵尺寸的眾多刻蝕應用。據(jù)公司2019中報，2019年公司已成功取得5納米邏輯電路、64層3DNAND制造廠的訂單。

ICP：公司從2012年開始開發(fā)ICP刻蝕設(shè)備，到目前為止已成功開發(fā)出單反應臺的Primonanova刻蝕設(shè)備，同時著手開發(fā)雙反應臺ICP刻蝕設(shè)備。公司的ICP刻蝕設(shè)備主要是涵蓋14納米、7納米到5納米關(guān)鍵尺寸的刻蝕應用。據(jù)公司2019中報，2019年公司繼續(xù)開拓ICP設(shè)備業(yè)務，已在某先進客戶驗證成功并實現(xiàn)量產(chǎn)，并有機臺在其他數(shù)家客戶的生產(chǎn)線上驗證。

TSV：公司還順應集成電路先進封裝和MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，成功開發(fā)了電感性深硅刻蝕設(shè)備。

MOCVD：薄膜沉積設(shè)備方面，2010年中微公司開始開發(fā)用于LED器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備——MOCVD設(shè)備。公司已開發(fā)了三代MOCVD設(shè)備，該設(shè)備是一種高端薄膜沉積設(shè)備，主要用于藍綠光LED和功率器件等生產(chǎn)加工，包括第一代設(shè)備PrismoD-Blue、第二代設(shè)備PrismoA7及第三代更大尺寸設(shè)備。