EUV光刻機(jī)延期交付 臺(tái)積電5nm工藝領(lǐng)先三星
臺(tái)積電上周發(fā)布了3月及Q1季度財(cái)報(bào)，營收同比大漲了42%，淡季不淡。不過接下來的日子半導(dǎo)體行業(yè)可能不太好過了，ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)斷貨，要延期交付，好在臺(tái)積電今年已經(jīng)在5nm工藝上搶先三星了。
根據(jù)ASML之前的報(bào)告，3月底他們下調(diào)了1季度營收預(yù)期到24-25億美元，差不多減少了1/4左右的營收，毛利率也下滑到了45-46%之間。
此外，ASML的EUV光刻機(jī)也因?yàn)榉N種原因斷貨了，雖然訂單沒有取消，但是交付要延期了，三星、臺(tái)積電今年都不太容易快速擴(kuò)張EUV產(chǎn)能。
不過臺(tái)積電在這次危機(jī)中更有優(yōu)勢地位，他們包攬了ASML公司大部分EUV光刻機(jī)，營收占比51%，遠(yuǎn)高于三星的16%。
臺(tái)積電的5nm EUV工藝今年上半年開始量產(chǎn)，主要客戶是華為及蘋果，麒麟1020、A14處理器都會(huì)用上5nm工藝。
三星也宣布了5nm EUV工藝，更獲得了高通的驍龍X50 5G芯片訂單，不過出貨日期要到明年了，2020年內(nèi)5nm工藝主要還是臺(tái)積電獨(dú)占。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15894瀏覽量
183010 -
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5801瀏覽量
175641 -
華為
+關(guān)注
關(guān)注
218文章
35919瀏覽量
261666
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)！
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代，不僅需要EUV
俄羅斯亮劍：公布EUV光刻機(jī)路線圖，挑戰(zhàn)ASML霸主地位？
了全球 EUV 光刻設(shè)備市場，成為各國晶圓廠邁向 7nm、5nm 乃至更先進(jìn)制程繞不開的 “守門人”。然而，近日俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所公布的一份國產(chǎn)
AI需求飆升！ASML新光刻機(jī)直擊2nm芯片制造，尼康新品獲重大突破
*1(L/S*2)高分辨率。扇出型面板級封裝（FOPLP）技術(shù)為何會(huì)獲得臺(tái)積電、三星等代工大廠的青睞？比較傳統(tǒng)的光刻機(jī)設(shè)備，尼康DSP-10
1.4nm制程工藝！臺(tái)積電公布量產(chǎn)時(shí)間表
供應(yīng)一度面臨緊張局面。為應(yīng)對市場激增的訂單，臺(tái)積電已啟動(dòng)新建三座工廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，旨在進(jìn)一步提升產(chǎn)能，保障客戶供應(yīng)鏈的穩(wěn)定交付。 ? 與此同時(shí)
白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測量
EUV（極紫外）光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長，成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝，其
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、
發(fā)表于 09-15 14:50
全球市占率35%，國內(nèi)90%！芯上微裝第500臺(tái)步進(jìn)光刻機(jī)交付
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，上海芯上微裝科技股份有限公司（簡稱：芯上微裝，英文簡稱：AMIES）第500臺(tái)步進(jìn)光刻機(jī)成功交付，并舉辦了第500臺(tái) 步進(jìn)
發(fā)表于 08-13 09:41
?2169次閱讀
ASML官宣：更先進(jìn)的Hyper NA光刻機(jī)開發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，ASML 技術(shù)高級副總裁 Jos Benschop 表示，ASML 已攜手光學(xué)組件獨(dú)家合作伙伴蔡司，啟動(dòng)了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻機(jī)開發(fā)。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 06-29 06:39
?1988次閱讀
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道
電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進(jìn)步，對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機(jī)的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點(diǎn)直徑有關(guān)，電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長，而電子束聚焦后
發(fā)表于 05-07 06:03
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
臺(tái)積電2nm制程良率已超60%
，較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升（此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴，或?qū)⒙氏炔捎眠@一尖端制程。盡管廣發(fā)證券
EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者
? EUV光刻有多強(qiáng)？目前來看，沒有EUV光刻，業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV
英特爾18A與臺(tái)積電N2工藝各有千秋
TechInsights分析，臺(tái)積電N2工藝在晶體管密度方面表現(xiàn)突出，其高密度(HD)標(biāo)準(zhǔn)單元的晶體管密度高達(dá)313MTr/mm2，遠(yuǎn)超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和
工商網(wǎng)監(jiān)
評論