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旗艦手機(jī)都在用的LPDDR5是什么,能為消費(fèi)者帶來什么價(jià)值?

荷葉塘 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:程文智 ? 2020-06-05 09:55 ? 次閱讀
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除了5G和常規(guī)的處理器升級,2020年的旗艦手機(jī)還在宣傳的亮點(diǎn)技術(shù)有LPDDR5、UFS3.0、WiFi6和高刷新頻率屏幕。到目前為止,使用了LPDDR5的手機(jī)有小米10、iQOO3、黑鯊游戲手機(jī)3、魅族17 Pro、realme X50 Pro、三星Galaxy S20系列手機(jī)等等。

為什么這些手機(jī)廠商都不約而同地在其高端手機(jī)產(chǎn)品中選擇了LPDDR5呢?LPDDR5到底是什么?它能夠給消費(fèi)者帶來什么好處呢?今天我們就來聊一聊。

什么是LPDDR5?

在2月初,小米10發(fā)布之前,小米的雷軍、盧偉冰和常程就開始在微博給廣大消費(fèi)者科普了,在他們的轉(zhuǎn)發(fā)和科普下,LPDDR5迅速成為了熱詞。

說句老實(shí)話,小編之前挑手機(jī)重點(diǎn)關(guān)注的只有處理器、內(nèi)存大小,存儲容量、屏幕尺寸等參數(shù),對于LPDDR用的是第幾代的問題基本上是忽略的。

在他們的科普下,讓我覺得普通消費(fèi)者了解一下LPDDR5的知識也是很有必要的。


圖:雷軍在小米10發(fā)布會上科普LPDDR5性能。


其實(shí),LPDDR的英文全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM(低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器),是DDR SDRAM的一種,也有人稱之為mDDR (Mobile DDR SDRAM),這是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗內(nèi)存而制定的一項(xiàng)通信標(biāo)準(zhǔn)。

從協(xié)議規(guī)范中就可以看到,低功耗、小體積是此類產(chǎn)品的突出特征。得益于目前芯片技術(shù)的發(fā)展,LPDDR廣泛的應(yīng)用于移動電子產(chǎn)品。LPDDR5是去年2月份才推出的最新標(biāo)準(zhǔn)。

LPDDR5新標(biāo)準(zhǔn)相對于LPDDR4來說,主要有三方面的提升:速率提升、功耗下降以及容量增大。


圖:LPDDR5與LPDDR4性能對比。(來源:新思科技Synopsys)


根據(jù)LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn),LPDDR5的最高速率是6400Mbps,是LPDDR4的兩倍,比LPDDR4X的4266Mbps快了50%。

由于LPDDR5內(nèi)部有三組電壓,VDD1/VDD2/VDDQ,其中VDD2又分為VDD2H和VDD2L,相比LPDDR4X,LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V,VDDQ由0.6V降至0.5V,另外還有新加入的DVFSC和DVFSQ功能,可在低速工作時(shí)切換至更低的0.9V和0.3V電壓,因此,LPDDR5的功耗會更低。

在器件容量方面,LPDDR5每通道最大可以做到32Gb[DZ1][XX2],而LPDDR4是每通道最大容量是16Gb。

LPDDR5與DDR5的關(guān)系


JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會在一開始其實(shí)是定義并開發(fā)了三種DDR標(biāo)準(zhǔn),即標(biāo)準(zhǔn)DDR、移動DDR和圖形DDR。

其中標(biāo)準(zhǔn)DDR有兩種形態(tài),一種是DIMM(雙列直插式存儲模塊),一種是將DDR放在PCB上的形態(tài);

移動DDR,即LPDDR,有兩種方式,適用于移動應(yīng)用的PoP封裝,以及直接放在PCB上的方式;

圖形DDR,如果是GDDR,主要還是以分立器件直接放在PCB上方式,但HBM,由于它是高數(shù)據(jù)帶寬,數(shù)據(jù)總線位寬的一種解決方案,目前主要是采用更高級的TSV和中介層進(jìn)行連接。


圖:DDR的分類。(來源:新思科技Synopsys)


至于應(yīng)用領(lǐng)域,因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)DDR具有更高的容量,因此,可以應(yīng)用在服務(wù)器、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、臺式機(jī)、筆記本電腦,以及一些消費(fèi)應(yīng)用和智能家居應(yīng)用中。

LPPDR主要的特點(diǎn)是高性能和低功耗,主要應(yīng)用在手機(jī)等移動設(shè)備上,以及汽車電子中。當(dāng)然用在汽車市場的LPDDR需要滿足車規(guī)級,對溫度有特定要求。

圖形DDR更多是在數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用,比如圖形卡、AI、高性能計(jì)算等應(yīng)用。


圖:DDR5與LPDDR5發(fā)展歷程。(來源:新思科技Synopsys)


為何DDR會從一代一直發(fā)展到現(xiàn)在的DDR5/LPDDR5呢?新思科技(Synopsys)資深應(yīng)用工程師許曉多認(rèn)為主要是兩大因素的推動,一是性能,由于現(xiàn)在幾乎所有的應(yīng)用都需要更寬的帶寬和更高的速率來支持;二是功耗,他拿LPDDR舉例說,在2009年時(shí),LPDDR3的VDDQ是1.2V,到2014年的LPDDR4時(shí)降低到了1.1V,LPDDR4X更是直接降低到了0.6V,最新的LPDDR5,不僅將VDDQ降低到了0.5V,而且還支持調(diào)壓。

他還指出,對DDR來說,隨著更新標(biāo)準(zhǔn)的推出,DDR的容量也在不斷提升。目前LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)在去年2月份推出了,DDR5的標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)今年會推出。

LPDDR5可以帶來哪些好處?


LPDDR5帶來的直接好處就是性能更強(qiáng),功耗更低。根據(jù)資料顯示,LPDDR5速率提升了29%~50%;功耗降低了12%~20%,傳輸數(shù)據(jù)可以達(dá)到44GB/s。

眾所周知,內(nèi)存可是手機(jī)內(nèi)部的功耗大戶,因?yàn)橹灰覀円婚_機(jī),就需要用到內(nèi)存。雷軍在小米10發(fā)布會上表示,內(nèi)存對整機(jī)的功耗影響達(dá)到了5%~10%。因此,如何平衡性能和功耗,是所有廠商在應(yīng)用LPDDR5之前都想要考慮的問題。

依據(jù)去年2月,JEDEC發(fā)布的LPDDR5標(biāo)準(zhǔn),LPDDR5相較于LPDDR4速度提升50%,功耗下降20%。美光宣稱,采用LPDDR5,續(xù)航可延長5%~10%。小米實(shí)測數(shù)據(jù)顯示,LPDDR5和LPDDR4X相比,綜合場景中,用戶續(xù)航提升約10%,在游戲和通信場景中,省電分別約20%和10%。

普通消費(fèi)者了解了性能提升和功耗降低,以及容量增加情況,可能已經(jīng)足夠了。但如果是系統(tǒng)應(yīng)用工程師的話,則需要了解更多的信息才行。那除了上面提到的幾點(diǎn),LPDDR5還增加了哪些特性呢?


圖:LPDDR5的關(guān)鍵特性。


在許曉多看來,LPDDR5還有以下幾個(gè)關(guān)鍵的特性:

其中最重要的一個(gè)特性是LPDDR5的時(shí)鐘架構(gòu)已經(jīng)改變了。原來DDR4和LPDDR4的時(shí)鐘一定是雙向數(shù)據(jù)選通(DQS),寫的時(shí)候DQS往DRAM里面寫,讀取的時(shí)候,DQS回過來進(jìn)行采樣。但LPDDR5引入了新的WCK時(shí)鐘架構(gòu),專門用于數(shù)據(jù)傳輸,它可以以CK的2倍或4倍速率運(yùn)行,其中2倍CK支持高達(dá)3200Mbps的操作,4倍CK支持高達(dá)6400Mbps的操作;而且WCK是從主機(jī)到設(shè)備的單向時(shí)鐘,并不是雙向架構(gòu)。這樣可以簡化SoC中的時(shí)序收斂。

決策反饋均衡器(DFE),在DQ/DMI上提供一階動態(tài)反饋均衡。

Write X主要是為了低功耗的需要,如果系統(tǒng)想要初始化內(nèi)存,或者內(nèi)存想要寫成特定數(shù)目的時(shí)候,控制器可以不用工作,只需要發(fā)一個(gè)命令,DRAM就能進(jìn)行初始化了。不過目前只支持將零寫入內(nèi)存,未來可能會支持其他數(shù)據(jù)寫入。

鏈接糾錯(cuò)碼(ECC),能夠恢復(fù)單一位傳輸錯(cuò)誤。

存儲區(qū)模式,其實(shí)就是bank group,它引入了一個(gè)靈活的地址訪問策略,可以支持靈活的存儲區(qū)模式,以使存儲區(qū)配置與流量模式相匹配。引入了16bank和8bank。

支持動態(tài)電壓和頻率縮放,電壓可以在0.5V和0.3V之間自由切換,同時(shí)支持三種不同的操作模式,并具有許多調(diào)整的功能。

結(jié)語


隨著5G時(shí)代的到來,高清視頻、游戲和AI實(shí)時(shí)運(yùn)算等應(yīng)用場景帶來的終端數(shù)據(jù)量將會成倍地增長,而LPDDR5剛好可以更好地應(yīng)對這些應(yīng)用場景,能夠充分保證終端的性能和運(yùn)行效率。

因此,有業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),LPDDR5將會成為2020年旗艦手機(jī)的標(biāo)配。從目前各個(gè)廠商發(fā)布的旗艦手機(jī)情況來看,也確實(shí)如此,可以預(yù)見到2020年下半年,將會有更多的主流5G旗艦手機(jī)搭載LPDDR5。

無論設(shè)計(jì)工程師選擇哪種DDR DRAM技術(shù),都需要在SoC中部署兼容的接口解決方案,以實(shí)現(xiàn)與DRAM之間的必要鏈接。而新思科技一直都是DDR DRAM IP核的領(lǐng)先供應(yīng)商,它可以提供完整的DDR IP生態(tài)系統(tǒng),可提供低風(fēng)險(xiǎn)、高性能、小面積的靈活I(lǐng)P解決方案,幫助客戶進(jìn)行快速配置,加速SoC整合。

其新的LPDDR5控制器和PHY驗(yàn)證IP方案可支持高達(dá)6400Mbps的數(shù)據(jù)速率,與前代產(chǎn)品相比,面積縮小了40%。而且還提供了幾種極具短退出延遲的低功耗狀態(tài),并提供了多種預(yù)訓(xùn)練狀態(tài),以實(shí)現(xiàn)動態(tài)頻率改變功能。

當(dāng)然,除了這些,新思科技還提供子系統(tǒng)硬化選項(xiàng)、信號完整性/電源完整性分析、驗(yàn)證模型、原型設(shè)計(jì)和仿真支持。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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