近日, 安徽滁州南譙區(qū)舉行10月份重大項(xiàng)目集中開工暨華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項(xiàng)目奠基儀式。

據(jù)南譙區(qū)政府信息，華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項(xiàng)目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設(shè)，是浦口—南譙合作產(chǎn)業(yè)園區(qū)首個(gè)落戶項(xiàng)目。這也使得南京浦口與滁州南譙產(chǎn)業(yè)合作進(jìn)一步加強(qiáng)。

據(jù)滁州網(wǎng)此前報(bào)道，該項(xiàng)目主要經(jīng)營(yíng)半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)及生產(chǎn)制造，項(xiàng)目一期總投資10億元，用地100畝，建設(shè)周期3年，建設(shè)6英寸功率器件晶圓生產(chǎn)線，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年銷售達(dá)到10億元。

此次落戶，是南譙經(jīng)開區(qū)面向“長(zhǎng)三角”招商的重要突破，是南譙經(jīng)開區(qū)與南京江北新區(qū)達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議后取得的積極成果。

資料顯示，南京華瑞微集成電路有限公司成立于2018年5月，是一家集功率器件產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)。華瑞微已經(jīng)研發(fā)成功且量產(chǎn)的產(chǎn)品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結(jié)MOS和SGT MOS，同時(shí)正在開展第三代半導(dǎo)體（SiC、GaN）功率器件的研發(fā)工作。

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