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三星誓要追趕臺積電,但現(xiàn)實(shí)骨感

ss ? 來源:Ai芯天下 ? 作者:方文 ? 2020-11-23 10:35 ? 次閱讀
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由于在過去5年里,英特爾在工藝技術(shù)進(jìn)度方面的不給力,一再延誤,使得臺積電和三星已經(jīng)奠定了業(yè)內(nèi)兩強(qiáng)的地位。近兩年來,三星與臺積電在更先進(jìn)芯片制程上,你追我趕,競爭十分激烈。

三星:誓要追趕 但現(xiàn)實(shí)骨感

三星自從進(jìn)入10nm時代以后,其與臺積電的競爭一直處于下風(fēng),若能拿到英特爾的大單,無疑是一種振奮,可進(jìn)一步增強(qiáng)其今后與臺積電競爭的底氣和決心。

總體來看,臺積電在良率和穩(wěn)定性方面有明顯優(yōu)勢。為了提升競爭力,三星調(diào)整了晶圓代工的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu),而臺積電在不斷鞏固自身的優(yōu)勢。

預(yù)估今年第3季全球晶圓代工市場,臺積電仍將以過半、53.9%市占率稱王,且年成長率高達(dá)21%。

而三星則以17.4%位居第二,年成長率為4%,雖然比第一季的18.8%略有下滑,但主要出自于Galaxy S20銷售狀況不佳所致,若下半年智能型手機(jī)市場能扳回一城,市占率表現(xiàn)上依舊有機(jī)會緊咬臺積電不放。

盡管三星在短期內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)這樣的目標(biāo),但是有望從臺積電手中奪得部分市占率。

而夢回現(xiàn)實(shí),三星先進(jìn)制程發(fā)展落后給臺積電,有另一個原因是因?yàn)槿羌瘓F(tuán)還有記憶體部門需要發(fā)展,因此分散了研發(fā)能量。

三星因?yàn)椴⒎侨缗_積電專精于晶圓代工,因此在產(chǎn)能的分配上,以及滿足各種客戶不同IC設(shè)計規(guī)格的需求,三星就沒有臺積電這樣快速調(diào)整的本事。

三星作為一個IDM半導(dǎo)體業(yè)者,同時又身兼晶圓代工,若是有手機(jī)芯片IC設(shè)計業(yè)者要來下單,難免會擔(dān)心企業(yè)的商業(yè)機(jī)密被竊取,而這一點(diǎn)一直是三星的致命傷。

臺積電:“糧草”在手 說走就走

三星晶圓代工目標(biāo)雖遠(yuǎn)大,但現(xiàn)實(shí)卻是業(yè)界頻傳良率低落、工藝延遲與未有大單落袋。

事實(shí)上,臺積電力奪7納米/7納米EUV首勝,已于第2季量產(chǎn)5納米,至年底由蘋果包下大宗產(chǎn)能,2021年再推出5納米加強(qiáng)版,而隸屬于5納米家族的4納米,預(yù)計2021年第4季試產(chǎn),2022年下半年量產(chǎn)。

臺積電的5nm工藝在今年一季度就已大規(guī)模投產(chǎn),三季度貢獻(xiàn)了約10億美元的營收,預(yù)計四季度將超過26億美元。

在更先進(jìn)的3nm工藝方面,臺積電目前也在按計劃推進(jìn),計劃在2021年風(fēng)險試產(chǎn),2022年大規(guī)模投產(chǎn)。

臺積電2納米工藝取得重大突破,并有望2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn),良率可以達(dá)到90%,2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

此外,臺積電還宣布2021年正式量產(chǎn)3 nm工藝,這些都給了競爭對手極大壓力。

在近日臺積電揭露的2020年第3季業(yè)績與第4季、全年展望中表現(xiàn)令市場驚艷,預(yù)計新制程開始導(dǎo)入后,至少6—8季的毛利率會低于其他制程平均值。

近期蘋果iPhone12的持續(xù)數(shù)月的瘋狂刷屏順帶也為臺積電5nm制程站了臺,這想必也給三星造成了極大壓力。

臺積電2nm基地將落至新竹寶山,其將投入將近6000億新臺幣,建設(shè)研發(fā)、生產(chǎn)基地。而在近來,臺媒又傳來臺積電2nm新消息。

而臺積電與蘋果的合作有望持續(xù)至2nm階段,同時輝達(dá)等的先進(jìn)制程大單,也都有望被臺積電收入囊中。

遙遙領(lǐng)先的臺積電仍存忌憚

臺積電也有所顧慮,并不是因?yàn)槟壳暗闹瞥踢M(jìn)度上有閃失,而是三星在后面的緊追不舍。

近些年,三星一直在積極投資以擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù),并表示要在 2030 年前超越臺積電成為代工業(yè)的領(lǐng)頭羊。

3納米架構(gòu)率先由三星喊出將從目前采用的FinFET(鰭式晶體管)改變成GAA(閘極全環(huán))。此舉是為了搶救現(xiàn)在三星在7納米、5納米良率偏低的原因。

但近期三星宣布,將生產(chǎn)最先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品,同時提供新世代V-NAND與晶圓代工解決方案,目的就是為了鞏固三星在工業(yè)4.0時代技術(shù)領(lǐng)先的地位。

臺積電一直以來在價格上比較強(qiáng)悍,而三星過往都有可能以低于臺積電20-35%的價格來搶單。

EUV光刻設(shè)備成為制造關(guān)鍵

后續(xù)臺積電每年會引進(jìn)約20-30臺EUV設(shè)備,預(yù)計在2025年末會擁有約185臺EUV設(shè)備;三星電子的目標(biāo)是在2025年末擁有約100臺EUV設(shè)備,從ASML的生產(chǎn)產(chǎn)能來看,相當(dāng)困難。

如上所述,三星電子無法熟練操作使用EUV設(shè)備、且照此發(fā)展下去,很難確保其引進(jìn)的設(shè)備數(shù)量。

如果三星電子維持現(xiàn)狀,那么與臺積電的差距將會越來越大。為了打破這一危機(jī)情況,三星電子的真正Top——李副會長與ASML的CEO&CTO進(jìn)行了直接會談。

據(jù)《電子時報》日前報道,預(yù)估臺積電明年EUV機(jī)臺將超過50臺,幾乎全球一半EUV光刻機(jī)臺都在臺積電手里,但臺積電不予置評,因?yàn)樯婕吧虡I(yè)機(jī)密。

至于李在镕積極與ASML拉貨,目前臺積電仍以超過50%市占率穩(wěn)居第一,三星以17%居次,但仍希望在5納米、3納米制程追上什至超越臺積電。

三星確定采用新一代生產(chǎn)技術(shù)EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)體制,計劃用十年的時間來挑戰(zhàn)臺積電世界首位的地位。

三星要想實(shí)現(xiàn)篡位目標(biāo),非得加大EUV采購不可。ASML包括已交付和已接單的EUV總數(shù)約70臺,臺積電就過半,三星已啟用10臺,就算加上李在镕親催提早交貨9臺,數(shù)量上勉強(qiáng)可以暫時逼近臺積電已啟用的20幾臺。

結(jié)尾:

三星想要在十年的時間里要超越臺積電搶占第一,看來還是有一定的難度。不過三十年河西,三十年河?xùn)|,只能說這個一個富有挑戰(zhàn)的目標(biāo),而至于結(jié)果還得等到那時候揭曉。

責(zé)任編輯:xj

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