chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

2021年臺(tái)積電和三星將需要ASML供應(yīng)多少臺(tái)EUV光刻機(jī)

旺材芯片 ? 來(lái)源:旺材芯片 ? 作者:旺材芯片 ? 2020-12-30 17:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體晶圓代工成為全球科技競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn),先進(jìn)制程的角逐競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈,ASML的EUV***供應(yīng)成為產(chǎn)業(yè)界關(guān)心的話題。2021年臺(tái)積電和三星將需要ASML供應(yīng)多少臺(tái)EUV***?臺(tái)灣和日本產(chǎn)業(yè)界分析人士分別給出了不同的答案。

——臺(tái)灣專家:2021年底臺(tái)積電55臺(tái),三星30臺(tái) 2020年12月下旬,媒體報(bào)道臺(tái)積電2021年先進(jìn)制程的產(chǎn)能已經(jīng)被 “預(yù)訂一空”。其中,蘋果iPhone 應(yīng)用處理器Arm 架構(gòu)電腦處理器擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模,獨(dú)占 5nm 超過(guò)80%的產(chǎn)能;而蘋果空出的 7nm 產(chǎn)能,也被超微半導(dǎo)體(AMD)接手。 臺(tái)積電Fab 18廠第三期將在2021年第一季開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn),5nm生產(chǎn)線全數(shù)到位,每月可提供超過(guò)9萬(wàn)片的投片產(chǎn)能。據(jù)分析,臺(tái)積電會(huì)進(jìn)行上、下半年產(chǎn)能調(diào)配,部分產(chǎn)品線會(huì)在2021年上半年預(yù)先投片,避免下半年旺季訂單涌現(xiàn)后的產(chǎn)能短缺。除了蘋果,高通、聯(lián)發(fā)科、超微、博通美滿電子都有5nm投產(chǎn)計(jì)劃。

11664490-4a31-11eb-8b86-12bb97331649.png

臺(tái)積電以7nm制程優(yōu)化而來(lái)的6nm制程也同樣產(chǎn)能吃緊。高通和聯(lián)發(fā)科除了7nm制程增加投片,其5G處理器將采用6nm制造。英特爾也會(huì)采用臺(tái)積電6nm制程制造GPU產(chǎn)品。

根據(jù)ASML的官方數(shù)據(jù),2018年至2019年,每月產(chǎn)能約4.5萬(wàn)片晶圓(WSPM),一個(gè)EUV層需要一臺(tái)Twinscan NXE***。隨著工具生產(chǎn)效率的提高,WSPM的數(shù)量也在增長(zhǎng)。。 ASML最新推出的Twinscan NXE:3400B和NXE:3400C光刻系統(tǒng)價(jià)格相當(dāng)昂貴。早在10月份,ASML就透露,其訂單中的4套EUV系統(tǒng)價(jià)值5.95億歐元(約合7.03億美元),因此單臺(tái)設(shè)備的成本可能高達(dá)1.4875億歐元(1.7575億美元)。

臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)分析人士吳金榮先生認(rèn)為,截至2021年底,臺(tái)積電可以拿到55臺(tái)ASML的EUV***,三星為30臺(tái)。 ——日本專家給出了詳盡的推理和分析 近日,日本精密加工研究所所長(zhǎng)湯之上隆先生也對(duì)***的市場(chǎng)做了深入分析。 臺(tái)積電在2019年將EUV應(yīng)用于7nm+工藝量產(chǎn),2020年5nm的量產(chǎn)同樣采用了EUV技術(shù)。目前ASML是唯一可以提供EUV***的供應(yīng)商,其出貨量穩(wěn)步增長(zhǎng),2016年出貨5臺(tái)、2017年出貨10臺(tái)、2018年出貨18臺(tái)、2019年出貨26臺(tái),湯之上隆預(yù)計(jì),2020年ASML將出貨36臺(tái)EUV***。

▲ASML的EUV出貨量和積壓需求(來(lái)源:WikiChip、ASML財(cái)務(wù)報(bào)告和湯之上隆預(yù)測(cè)) 然而,ASML似乎無(wú)法滿足先進(jìn)半導(dǎo)體制造商的訂單數(shù)量,訂單持續(xù)積壓,到2020年第二季度,其積壓需求數(shù)量似乎達(dá)到了56臺(tái)。 2020年第三季度,其5nm占比為8%、7nm占比為35%,5nm和7nm共占43%。由于其5nm的比例預(yù)計(jì)在未來(lái)會(huì)迅速增加,因此估計(jì)2021年5nm和7nm的總和將占臺(tái)積電總出貨量的大多數(shù)。

13493fce-4a31-11eb-8b86-12bb97331649.png

▲臺(tái)積電制程發(fā)展(2020-Q3) 在7nm處,未采用EUV的N7工藝和采用EUV的N7+工藝混合在一起,比例未知。采用EUV的5nm和N7+的出貨價(jià)值正以比預(yù)期更快的速度迅速增長(zhǎng)。

▲臺(tái)積電先進(jìn)制程的產(chǎn)能爭(zhēng)奪戰(zhàn) 圍繞臺(tái)積電最先進(jìn)制程的無(wú)晶圓廠(Fabless)產(chǎn)能爭(zhēng)奪戰(zhàn)如圖所示。

頭部是蘋果,高通、NVIDIA、AMD、賽靈思、博通、聯(lián)發(fā)科、谷歌、亞馬遜等擠在一起,英特爾很可能會(huì)加入其中。 自2020年9月15日起,由于美國(guó)商務(wù)部加強(qiáng)出口限制,臺(tái)積電不能向中國(guó)華為公司供貨半導(dǎo)體產(chǎn)品,而華為約占臺(tái)積電總產(chǎn)值的15%。不過(guò)這對(duì)臺(tái)積電幾乎沒(méi)有影響,反而其最先進(jìn)制程的能力將來(lái)可能會(huì)不足。

特別是臺(tái)積電的最新制程嚴(yán)重依賴EUV設(shè)備,如果無(wú)法確保足夠的數(shù)量,則將難以承擔(dān)更多的無(wú)晶圓廠生產(chǎn)委托。那么2021年后,臺(tái)積電需要多少臺(tái)EUV***? 關(guān)于臺(tái)積電的微縮化和大規(guī)模生產(chǎn),據(jù)了解,臺(tái)積電采用EUV技術(shù)的N7+工藝從2019年開(kāi)始量產(chǎn),5nm工藝在2020年量產(chǎn),3nm設(shè)備和材料選擇完成后將在2021年風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)、在2022年量產(chǎn),2nm設(shè)備和材料計(jì)劃在2024年開(kāi)始量產(chǎn)。

目前尚不清楚N7+的當(dāng)前月產(chǎn)能,5nm、3nm和2nm的最終月產(chǎn)能以及這些技術(shù)節(jié)點(diǎn)的EUV層數(shù)。另外,尚不確切知道批量生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的EUV吞吐量(每小時(shí)處理的晶圓數(shù)量)和開(kāi)工率。在此,為了計(jì)算臺(tái)積電所需的EUV數(shù)量,請(qǐng)參閱2020 VLSI研討會(huì)上的ASML和imec公告,作者將試圖假設(shè)如下。

1、在大規(guī)模批量生產(chǎn)期間,每個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的月生產(chǎn)能力設(shè)置為170-190K(K = 1000);

2、為啟動(dòng)制程節(jié)點(diǎn),決定在三個(gè)階段引入所需數(shù)量的EUV設(shè)備:試產(chǎn)、風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)和大規(guī)模量產(chǎn);

3、大規(guī)模量產(chǎn)將分為第一階段和第二階段兩個(gè)階段進(jìn)行;

4、關(guān)于EUV層數(shù),N7+對(duì)應(yīng)5層,5nm達(dá)15層,3nm達(dá)32層,2nm達(dá)45層。

5、EUV的平均產(chǎn)量為80-90個(gè)/小時(shí),包括停機(jī)時(shí)間在內(nèi)的平均開(kāi)工率為70-90%,每一項(xiàng)的點(diǎn)點(diǎn)滴滴都會(huì)逐步改善。

基于上述假設(shè),從2020年-2023年,臺(tái)積電一年內(nèi)(想要)引入的EUV***數(shù)量如下圖所示。

141a6a0e-4a31-11eb-8b86-12bb97331649.png

▲臺(tái)積電所需的EUV數(shù)量估算

首先,到2020年,當(dāng)5nm大規(guī)模生產(chǎn)及3nm試產(chǎn)啟動(dòng)時(shí),據(jù)計(jì)算將需要35臺(tái)新EUV***,計(jì)算結(jié)果與圖3中的實(shí)際值幾乎相同。 到2021年,5nm生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大,3nm風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)將啟動(dòng),經(jīng)計(jì)算所需的新EUV***數(shù)量達(dá)54臺(tái);到2022年,當(dāng)3nm大規(guī)模生產(chǎn)、2nm試產(chǎn)啟動(dòng),需要的新EUV***數(shù)量被計(jì)算為57臺(tái)。

此外,到2023年,當(dāng)3nm生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大、2nm開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)時(shí),所需新EUV***數(shù)達(dá)到58臺(tái)。到2024年2nm大規(guī)模生產(chǎn)啟動(dòng)及2025年生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大時(shí),所需新EUV***數(shù)被計(jì)算為62臺(tái)。 三星晶圓廠EUV需求如何? 三星副董事長(zhǎng)李在镕于2020年10月13日訪問(wèn)ASML,并要求ASML在2020年交付9臺(tái)EUV***、在2021年后每年交付20臺(tái)EUV***。

此外,根據(jù)專家提供的信息,三星副董事長(zhǎng)李在镕在10月13日訪問(wèn)ASML期間要求的“2020年9臺(tái)EUV***”中,至少有4臺(tái)將在2020年抵達(dá)三星,其余5臺(tái)預(yù)計(jì)將在2021年初被引入。此外。2021年后,尚不清楚是否會(huì)落實(shí)“每年20臺(tái)EUV設(shè)備”,但似乎將會(huì)引入類似數(shù)量的EUV***。

根據(jù)該假設(shè)得出的結(jié)論(有不確定性),臺(tái)積電在2021年-2015年的五年內(nèi)總共需要292臺(tái)EUV***,每年平均需新增58臺(tái)。如果自2021年以后,臺(tái)積電每年平臺(tái)需要近60臺(tái)EUV***,加上三星每年需要20臺(tái),一共年需求為近80臺(tái),ASML的產(chǎn)能是否能夠滿足這一需求?也是一個(gè)值得研究的問(wèn)題。

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:2021年臺(tái)積電和三星需多少臺(tái)EUV***?

文章出處:【微信公眾號(hào):旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15888

    瀏覽量

    182354
  • 臺(tái)積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5755

    瀏覽量

    169834
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1167

    瀏覽量

    48200
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    609

    瀏覽量

    87243

原文標(biāo)題:2021年臺(tái)積電和三星需多少臺(tái)EUV光刻機(jī)?

文章出處:【微信號(hào):wc_ysj,微信公眾號(hào):旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    光刻機(jī)巨頭ASML業(yè)績(jī)暴雷,芯片迎來(lái)新一輪“寒流”?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為芯片制造過(guò)程中的核心設(shè)備,光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為高端芯片(7nm及以下)芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵,但目前EUV
    的頭像 發(fā)表于 10-17 00:13 ?3404次閱讀

    ASML:中國(guó)芯片落后西方15!

    光刻機(jī)制造巨頭阿斯麥(ASML)的首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱表示,盡管近年來(lái)中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步,但與英特爾、臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 02-06 17:39 ?498次閱讀

    臺(tái)拒絕代工,三星芯片制造突圍的關(guān)鍵在先進(jìn)封裝?

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)根據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道,臺(tái)拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務(wù),理由是臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 01-20 08:44 ?2823次閱讀
    被<b class='flag-5'>臺(tái)</b><b class='flag-5'>積</b><b class='flag-5'>電</b>拒絕代工,<b class='flag-5'>三星</b>芯片制造突圍的關(guān)鍵在先進(jìn)封裝?

    臺(tái)拒絕為三星代工Exynos芯片

    近日,有關(guān)三星考慮委托臺(tái)電量產(chǎn)其Exynos芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)悉,這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于202411月13日在X平臺(tái)上發(fā)布。該博主在推文中透露,
    的頭像 發(fā)表于 01-17 14:15 ?528次閱讀

    高通明年驍龍8 Elite 2芯片全數(shù)交由臺(tái)代工

    芯片代工伙伴。上一次高通選擇三星代工,還要追溯到2021的驍龍8第一代芯片,當(dāng)時(shí)采用的是三星的4納米制程。 據(jù)悉,臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 12-30 11:31 ?1122次閱讀

    下一代FOPLP基板,三星續(xù)用塑料,臺(tái)青睞玻璃

    近期Digitimes報(bào)道指出,在下一代扇出型面板級(jí)封裝(FOPLP)解決方案所使用的材料方面,三星臺(tái)走上了一條明顯的分歧之路。 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,
    的頭像 發(fā)表于 12-27 13:11 ?537次閱讀

    三星臺(tái)在FOPLP材料上產(chǎn)生分歧

    近日,知名科技媒體DigiTimes發(fā)布了一篇博文,揭示了半導(dǎo)體行業(yè)中的一項(xiàng)重要?jiǎng)討B(tài)。據(jù)該博文報(bào)道,在下一代扇出面板級(jí)封裝(FOPLP)解決方案所用材料的選擇上,三星臺(tái)這兩大半導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 12-27 11:34 ?612次閱讀

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    本月底完成。 Rapidus 計(jì)劃 2025 春季使用最先進(jìn)的 2 納米工藝開(kāi)發(fā)原型芯片,于 2027 開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。 EUV 機(jī)器結(jié)合了特殊光源、鏡頭和其他技術(shù),可形成超精細(xì)電路圖案。該系統(tǒng)體積小,不易受到振動(dòng)和其他
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?920次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>就位

    今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉;三星將于2025初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)

    1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開(kāi)發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025初引入其首款Hi
    發(fā)表于 10-31 10:56 ?1046次閱讀

    三星電子晶圓代工副總裁:三星技術(shù)不輸于臺(tái)

     在近期的一場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研交流研討會(huì)上,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部的副總裁Jeong Gi-tae展現(xiàn)出了高度的自信。他堅(jiān)決表示,三星的技術(shù)并不遜色于臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:56 ?1030次閱讀

    英特爾欲與三星結(jié)盟對(duì)抗臺(tái)

    英特爾正在積極尋求與三星電子建立“代工聯(lián)盟”,以共同制衡在芯片代工領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位的臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:02 ?735次閱讀

    家AI芯片公司從三星代工轉(zhuǎn)投臺(tái)

    據(jù)韓媒最新報(bào)道,韓國(guó)AI芯片開(kāi)發(fā)商在推出下一代芯片時(shí),紛紛選擇從三星代工廠轉(zhuǎn)向臺(tái)。這家公司分別為DeepX、FuriosaAI和Mob
    的頭像 發(fā)表于 10-11 17:31 ?1096次閱讀

    三星電子或2026HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺(tái)

    據(jù)媒體報(bào)道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預(yù)計(jì)將于2026將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái),并計(jì)劃采用12nm至6nm的先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 10-10 15:25 ?933次閱讀

    今日看點(diǎn)丨傳三星HBM3獲英偉達(dá)認(rèn)證 將用于中國(guó)版H20芯片;OPPO 新開(kāi)兩塊高密度硅材料單芯電池

    1. 隨著日本首次引入EUV 光刻機(jī),ASML 當(dāng)?shù)貑T工計(jì)劃增至600 人 ? 隨著日本準(zhǔn)備進(jìn)口其首批極紫外(EUV
    發(fā)表于 07-24 10:51 ?890次閱讀

    三星半導(dǎo)體營(yíng)收超過(guò)臺(tái)!

    來(lái)源:芯極速 編輯:感知芯視界 Link 近日,韓國(guó)媒體傳出消息稱,今年第二季度,三星電子半導(dǎo)體部門銷售額可能近兩年來(lái)首次超過(guò)臺(tái),標(biāo)志著全球半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。 這是
    的頭像 發(fā)表于 07-19 09:18 ?759次閱讀