chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

光刻膠的分類和技術(shù)趨勢

電子工程師 ? 來源:半導(dǎo)體圈+ ? 作者:半導(dǎo)體圈+ ? 2021-01-08 10:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2021年1月3日,華懋科技(603306.SH)發(fā)布旗下產(chǎn)業(yè)基金東陽凱陽科技創(chuàng)新發(fā)展合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡稱“東陽凱陽”)對外投資公告稱,東陽凱陽于2020年12月30日,與傅志偉、上海博康、徐州博康簽署了《投資協(xié)議》及其附屬文件。

華懋科技通過東陽凱陽對徐州博康進行投資,將切入半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠領(lǐng)域。此次交易分為首次增資、轉(zhuǎn)股權(quán)以及追加投資權(quán)三個部分。

具體來看,東陽凱陽出資3000萬元人民幣向徐州博康增資,增資完成后將持有徐州博康1.186%股權(quán);東陽凱陽向標的公司實控人傅志偉提供共計人民幣5.5億元的可轉(zhuǎn)股借款,東陽凱陽獲得無條件的轉(zhuǎn)股權(quán),有權(quán)(但無義務(wù))按照協(xié)議約定的條件,向傅志偉購買其持有的徐州博康股權(quán);東陽凱陽在行使轉(zhuǎn)股權(quán)的同時,有權(quán)(但無義務(wù))按股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議約定的條件,以2.2億元的投資款受讓傅志偉持有的徐州博康股權(quán)。

徐州博康全稱為徐州博康信息化學(xué)品有限公司,成立于2010年,實控人為傅志偉。公司主要從事光刻材料領(lǐng)域中的中高端化學(xué)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。目前主要產(chǎn)品包括高端光刻單體、樹脂系列產(chǎn)品,光刻膠系列產(chǎn)品、添加劑及電子級溶劑、醫(yī)藥中間體等,是國內(nèi)領(lǐng)先的電子化學(xué)品高新技術(shù)企業(yè)。

光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。光刻膠已經(jīng)成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。我國自主的光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展,也是我國芯片產(chǎn)業(yè)自強打破國外壟斷征程上的重要一環(huán)。目的費用對凈利潤造成的影響)孰低的原則計算。

什么是光刻膠?

光刻膠也叫光阻或光阻劑,顧名思義,是用來擋光的,它是一種對光敏感的物質(zhì),通過特定光源(如紫外光、離子束等)照射,會發(fā)生局部溶解度的變化。光刻膠分為負性膠和正性膠,光照過后變得不可溶的是負膠,反之叫正膠,正膠相對普及一些。

鑒于光刻膠的這種特性,可以用來在納米級的芯片上蝕刻線路圖。我們可以在硅晶圓片上布置一層僅幾納米厚的金屬層,然后在上面涂一層光刻膠。然后我們可以用光把掩膜板,也就是類似“底片”上的電路圖,照射到光刻膠上,讓需要蝕刻的部位受光,需要保留的部位不受光,這就是所謂的“光刻”工藝。

接著,用顯影液把受光的區(qū)域洗掉,掩膜板上設(shè)計好的線路圖就這么“復(fù)制”到硅晶圓片上了。那些暴露出來的金屬層就可以繼續(xù)用來加工處理,而未溶解的光刻膠則保護其他部分不受影響。

所以,要把納米級的精細電路圖“畫”到硅片上,就離不開光刻工藝,更離不開光刻膠材料。光刻工藝耗費的成本占總成本的35%,和硅片本身的成本比例(38%)差不多,耗費的時間更是達到總工藝的一半,是半導(dǎo)體生產(chǎn)的最關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

ef3d7af8-5130-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

其中,光刻膠及其輔助材料耗費的成本占比并不高,分別是5%和7%,但其中的關(guān)鍵性、重要性,不能用材料價值來衡量。其技術(shù)難點在于精密度,比如在晶圓片上涂膠時,誤差不能超過0.01微米(約10納米),膠體每升含有的金屬雜質(zhì)必須少于0.1微克,顆粒個數(shù)更是幾乎不能有。

而且光刻膠的研究需要昂貴的曝光機,光刻過程需要***等設(shè)備,荷蘭ASML***一臺高達1億美元,1年僅能制作20幾臺。光刻膠的分類和技術(shù)趨勢光刻膠的分類很多,按照顯示效果,可分為前面提到的正性和負性光刻膠;按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類,可分為光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。

但筆者認為,比較重要的是按曝光波長分類,因為這體現(xiàn)了加工的分辨率,也反映出未來光刻膠的技術(shù)趨勢。按照曝光波長分類,可分為:紫外光刻膠(300~450nm)深紫外光刻膠(160~280nm)極紫外光刻膠(EUV,13.5nm)電子束光刻膠離子束光刻膠X射線光刻膠通常來說,波長越短,加工分辨率越佳,所以隨著芯片制程工藝的不斷進步,對光刻膠分辨率的要求也越來越高,從微米級到現(xiàn)在納米級的蝕刻,甚至將來可能到原子級的蝕刻。

總體上,光刻膠的技術(shù)發(fā)展趨勢是波長越來越短。因此,我們可以對光刻膠的分類做個總結(jié)。

ef799524-5130-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

從上圖可以看出,光刻膠的三大應(yīng)用場景是PCB、面板和半導(dǎo)體。用于PCB、顯示面板的光刻膠,分辨率要求并不高,紫外全譜即可搞定?!翱ú弊印钡牡胤皆诎雽?dǎo)體領(lǐng)域,g線、i線光刻膠用于350納米以上的波長,屬于紫外光刻膠;ArF、KrF光刻膠用于22-150納米波長;22納米以下要用到EUV,屬于極紫外光刻膠。

以上的g線、i線、ArF、KrF等,是光刻膠不同產(chǎn)品類型的名稱,無需對名稱意義做過多深究,只需記住它們的名字,即可對照各企業(yè)的產(chǎn)品線,了解它們的技術(shù)水平。接下來重點講一下半導(dǎo)體領(lǐng)域要用到的光刻膠產(chǎn)品類型。

(1)g線、i線光刻膠g線、i線光刻膠誕生于20世紀80年代,由近代德國科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫命名。

當時的半導(dǎo)體制程還不那么先進,主流工藝在800-1200納米之間,波長436納米的光刻光源即夠用。到了90年代,制程進步到350-500納米,相應(yīng)地要用到更短的波長,即365納米的光源。

剛好,436納米和365納米分別是高壓汞燈中能量最高、波長最短的兩個譜線,而高壓汞燈的技術(shù)已經(jīng)成熟。

所以,用于500納米以上尺寸半導(dǎo)體工藝的g線,以及用于350-500納米之間工藝的i線光刻膠,被廣泛應(yīng)用,因為分辨率要求不高,這兩種光刻膠都可用于6寸晶圓片,以及平板顯示等較大面積的電子產(chǎn)品的制作。

因為i線光刻膠還可以用于8寸晶圓片,所以目前市場需求依然旺盛。

(2)ArF、KrF光刻膠到了90年代末,半導(dǎo)體制程工藝發(fā)展到350納米以下,g線和i線光刻膠已經(jīng)無法滿足這樣的需求,于是出現(xiàn)了適用于248納米波長光源的KrF光刻膠,和193納米波長光源的ArF光刻膠。

它們都屬于深紫外光刻膠,和g線、i線有質(zhì)的區(qū)別。隨后的20年里,ArF光刻膠一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能最可靠,使用最廣泛的光刻光源。在21世紀以后,在浸沒光刻、多重光刻等新技術(shù)的輔助下,ArF光刻系統(tǒng)突破了此前65nm分辨率的瓶頸,在45nm到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中,ArF光刻技術(shù)仍然得到了最廣泛的應(yīng)用。

目前,境外晶圓廠主流工藝是14納米,中國大陸晶圓代工龍頭中芯國際的制程是28納米,雖然三星和臺積電已有10納米以下工藝技術(shù),但尚未大規(guī)模應(yīng)用。

因為可以面向當前主流的制程工藝,可用于8寸和12寸晶圓片,ArF光刻膠是市場需求的主流,占比約45%。KrF則多用于8寸晶圓片。

(3)EUV也就是極紫外光刻膠,使用波長為13.5納米的紫外光,可以用于10納米以下的先進制程,但目前EUV***只有荷蘭ASML能制造。

在當下這個2020年,正處于EUV光刻技術(shù)誕生,已經(jīng)流行20年之久的KrF、ArF光刻膠即將面臨技術(shù)變革的時期。當前,富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)3家日本龍頭公司合計申請了EUV光刻膠80%以上的專利,其中,JSR和東京TOK有向市場供貨的能力。

市場規(guī)模及未來前景2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計近90億美元,自2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長,至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。

其中,按下游用途不同,可分為面板光刻膠、PCB光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠和其他光刻膠,這4種分類的市場占比幾乎相同,平分各約25%的市場份額。

從中國大陸的角度看,本土光刻膠供應(yīng)規(guī)模年化增長率11%,高于全球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,全球占比約10%,但仍然以低端的PCB光刻膠為主(占比94%),平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠占比極低(分別是3%、2%),供給需求失衡嚴重。

在以下3種動力的驅(qū)使下,光刻膠還會繼續(xù)保持高速增長:市場因素:5G新能源汽車等新興產(chǎn)業(yè)本身的需求拉動。政治因素:***勢在必行。產(chǎn)業(yè)鏈因素:晶圓制造產(chǎn)能持續(xù)向中國大陸轉(zhuǎn)移,目前中國大陸是僅次于中國臺灣、韓國的第三大生產(chǎn)基地,但增長率遠超前兩者。

在以上3種力量的疊加下,國內(nèi)光刻膠市場規(guī)模將于2020年達到176億元,增速在10-15%。

ef979a88-5130-11eb-8b86-12bb97331649.jpg

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5446

    文章

    12470

    瀏覽量

    372723
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29999

    瀏覽量

    258464
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    348

    瀏覽量

    31552

原文標題:5.8億!進軍半導(dǎo)體光刻膠

文章出處:【微信號:icjobs,微信公眾號:半導(dǎo)體材料圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標準!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)芯片,一直被譽為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要設(shè)備光刻機就是 雕刻這個結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠,還需要光刻膠、掩膜版以及
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?5865次閱讀

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?1018次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1396次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    量產(chǎn)到ArF浸沒式驗證,從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破,一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?5689次閱讀

    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之光刻膠厚度測量

    光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣,在電子工業(yè)集成電路制造中,對其有著極為嚴格的要求,而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。 項目需求? 本次項目旨在測量光刻膠厚度,
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?361次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度測量

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?732次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?620次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時,光刻圖形的精準
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?600次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用,并
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?522次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?663次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?674次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?991次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?6978次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性

    晶圓表面光刻膠的涂覆與刮邊工藝的研究

    隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來越廣,晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中,光刻技術(shù)在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠光刻工藝中必不可少的材
    的頭像 發(fā)表于 01-03 16:22 ?1131次閱讀

    光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料

    光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料,在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
    的頭像 發(fā)表于 12-19 13:57 ?1806次閱讀