據(jù)彭博社1月23日報道，英特爾公司新任首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）希望該公司重拾昔日的輝煌，在Pat Gelsinger看來，英特爾作為半導體品牌，應該上升到國家戰(zhàn)略。

彭博社文章指出，英特爾的問題集中體現(xiàn)了美國半導體制造業(yè)的尷尬局面。

Gelsigner認為：“英特爾是一項國家資產(chǎn)，公司需要在技術上保持健康，這對美國的半導體產(chǎn)業(yè)都大有裨益?！?/p>

英特爾股價周五在紐約下跌了9%，可以說是10月份以來最糟糕的一天，原因是投資者擔憂公司制造部門轉(zhuǎn)型需要數(shù)年時間，有可能造成數(shù)十億美元的額外成本。某些投資者曾主張讓英特爾外包更多產(chǎn)品。

近年來，英特爾在芯片制造工藝上和臺積電的差距有拉大的趨勢，在拜登當選新任總統(tǒng)之后的大背景之下，追趕臺積電成為英特爾的主要目標。該公司依然是全球最領先的幾家芯片制造公司之一，在美國本土的俄勒岡州、亞利桑那州和新墨西哥州均設有工廠，除了芯片商用市場本身之外，還為政府加密通信、核電站、軍事硬件應用和銀行系統(tǒng)提供服務。

1990-2030 中國大陸、臺灣、韓國、日本、歐洲和美國半導體制造份額的變化（@波士頓咨詢）

在中美“科技戰(zhàn)”中，半導體成為雙方爭奪的重要戰(zhàn)場，如果英特爾將芯片制造更多外包，那么這會和美國制造業(yè)本土回流的頂層計劃相抵觸，并且進一步拉大和臺灣半導體公司的前后端制造能力差距。

美國國會議員已經(jīng)意識到英特爾困局所在，并且認為相比中國，美國政府對半導體業(yè)的激勵計劃的力度遠遠不夠。去年，民主黨和共和黨聯(lián)合提出了一項高達500億美元的政府半導體激勵計劃，希望能在美國本土建立更多生產(chǎn)基地。這500億美元的激勵性投入看起來相當豐厚，但臺積電本月初表示，2021年計劃在新工廠和設備上的資本指出（Capital expenditure）就高達280億美元，這個數(shù)字就占到激勵計劃的一半以上。

在改善自己的制造能力的同時，英特爾希望可以與臺積電及其他芯片代工廠商建立技術合作伙伴關系。臺積電和三星正著手或正在考慮在美國建立新工廠。

美國瑞銀（UBS）分析師蒂莫西·阿庫里（Timothy Arcuri）周五在給投資者的報告中寫道：“英特爾與三星、臺積電在美國的合作可以提升半導體在美國本土的稅收減免程度?！?/p>

去年，拜登提出了一項的“美國制造”稅收抵免政策（減稅10%），涉及的項目包括增加國內(nèi)產(chǎn)能，半導體設備更新和擴大制造設施規(guī)模等等。

彭博社指出，盡管美國在資金投入上有很強的雄心，但卻無法從根本上幫助英特爾的芯片工藝上的相對落后問題。英特爾高管在周四晚間表示，采用英特爾最新的7nm生產(chǎn)技術的芯片要到2023年才能量產(chǎn)面市。雷蒙德·詹姆斯（Raymond James）分析師克里斯·卡索（Chris Caso）對英特爾的追趕之路感到悲觀：“即使英特爾確實成功地在7納米節(jié)點上走上正軌，但仍落后于臺積電，我們認為英特爾沒有能力在全球有領導力的芯片節(jié)點上交付產(chǎn)品，因為之前他們從來沒有做到過，我們認為英特爾還要再落后行業(yè)四年。”

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