成功彎道超車！三星明天將開始量產(chǎn)3nm工藝，搶先臺積電一步占領(lǐng)市場
今日，據(jù)媒體報(bào)道，三星的3nm制程芯片將在明天開始量產(chǎn)。
作為晶圓代工界常年第二的三星，一度被臺積電壓一頭，超越臺積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上，不僅要搶在臺積電前面完成3nm工藝的量產(chǎn)，還要在3nm工藝的質(zhì)量上勝過臺積電。
據(jù)了解，三星3nm工藝將采用GAAFET全柵極場效應(yīng)晶體管，相較于之前的FinFET鰭式場效應(yīng)晶體管更為先進(jìn)，與7nm工藝相比，三星的3nm工藝將會降低50%功耗，提高35%性能，并且大小僅為7nm的55%，近期還有爆料稱，三星3nm工藝的良率遠(yuǎn)超市場預(yù)期。
而臺積電的3nm工藝雖然也是今年下半年量產(chǎn)，但至今還未公布具體時(shí)間，而且臺積電3nm工藝依舊會采用FinFET鰭式場效應(yīng)晶體管，相較于三星的GAAFET全柵極場效應(yīng)晶體管來說自然是落了下風(fēng)，這次預(yù)計(jì)三星將成功實(shí)現(xiàn)彎道超車，在3nm工藝上領(lǐng)先于臺積電。
不過從之前的報(bào)道來看，臺積電貌似并不擔(dān)心三星在3nm工藝上將其超過，或許臺積電還有更深的底牌沒有拿出來。
綜合整理自 中關(guān)村在線 雷科技 快科技
審核編輯 黃昊宇
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