臺積電2nm芯片將采用GAAFET技術
臺積電正式公布2nm制造技術，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術，而非現(xiàn)在的FinFET鰭式場效應晶體管技術，GAAFET技術將大大降低了漏電流和降低功耗的能力。
臺積電2nm芯片性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度增加了1.1倍以上，將應用于各種移動SoC、高性能CPU和GPU等領域。
值得一提的是，臺積電采用FinFlex技術的3nm芯片將在未來幾個月內投入生產(chǎn)，而2nm芯片將在2024年開始風險試產(chǎn)，預計將2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。
綜合正字自半導體行業(yè)觀察、IT之家
審核編輯：湯梓紅
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