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      NP2309EFR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-07 09:46 ? 次閱讀
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      描述

      NP2309EFR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

      提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和

      工作電壓低至1.8V。這個設(shè)備

      適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

      應(yīng)用程序。

      一般特征

      ?VDS = -20v, id = -2a

      RDS(上)(Typ) = 61.5Ω@VGS = -4.5 v

      RDS(上)(Typ) = 70.5Ω@VGS = -2.5 v

      ?高功率和電流處理能力

      ?獲得無鉛產(chǎn)品

      ?表面安裝包

      ?ESD額定電壓:2500V HBM

      應(yīng)用程序

      ?PWM程序

      ?負(fù)荷開關(guān)

      包

      ?說- 363

      poYBAGLGOpaARcHsAABsoPtuvEE904.png

      訂購信息

      pYYBAGLGOq2ASRhgAAA3M5OmYcE764.png

      絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLGOsCAR5XgAACMTfrLr6Y075.png

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLGOtmAKNGQAAIVzDIcNgw102.png

      注:

      a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒

      B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%

      C.設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)

      熱特性

      pYYBAGLGOveAd-ykAAAbUy_fTY0362.png

      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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