chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)

      batai ? 來源： batai ? 作者： batai ? 2022-07-18 09:14 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      1.描述
      NP2P10MR采用先進的溝槽技術(shù)提供出色的RDS(ON)、低柵電荷和高
      超低導(dǎo)通電阻密度電池設(shè)計。這個該器件適合用作負載開關(guān)或PWM申請。

      2.一般特征
      * VDS=-100V，ID=-2A
      * RDS(ON)（典型值）=237 MΩ@VGS=-10V
      * RDS(ON)（典型值）=268 mΩ@VGS=-4.5V
      （一）高切換速度
      * 改善dv/dt能力
      * 低柵電荷
      * 低反向轉(zhuǎn)移電容
      * 符合歐盟RoHS 2.0的無鉛標(biāo)準(zhǔn)

      3.應(yīng)用程序
      PWM應(yīng)用
      負荷開關(guān)

      4.包裝
      SOT-23-3L

      5.示意圖

      poYBAGLUs8qAUep4AADb0EBDsT0897.png

      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關(guān)注

        關(guān)注

        151

        文章

        9683

        瀏覽量

        233698
      • MOS
        MOS
        +關(guān)注

        關(guān)注

        32

        文章

        1743

        瀏覽量

        100790
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點推薦

        選型手冊：AGM40P150C P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場景的P溝道增強型功率MOSFET
        的頭像 發(fā)表于 01-08 15:34 ?761次閱讀
        選型手冊：AGM40<b class='flag-5'>P</b>150C <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VSP020P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，
        的頭像 發(fā)表于 12-26 12:01 ?267次閱讀
        選型手冊：VSP020<b class='flag-5'>P</b>06MS <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VSD090N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理
        的頭像 發(fā)表于 12-25 16:14 ?295次閱讀
        選型手冊：VSD090N<b class='flag-5'>10</b>MS N <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS3508AS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V
        的頭像 發(fā)表于 12-24 13:01 ?614次閱讀
        選型手冊：VS3508AS <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS4518AD P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負載
        的頭像 發(fā)表于 12-23 11:39 ?443次閱讀
        選型手冊：VS4518AD <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS2301BC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負載開關(guān)
        的頭像 發(fā)表于 12-18 17:37 ?359次閱讀
        選型手冊：VS2301BC <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS3510AD P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V
        的頭像 發(fā)表于 12-16 11:50 ?344次閱讀
        選型手冊：VS3510AD <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS3510AS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V
        的頭像 發(fā)表于 12-16 11:46 ?418次閱讀
        選型手冊：VS3510AS <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強型器件的深度解析

        IXTY2P50PA是一款 -500 V、 -2 A的P溝道增強型
        的頭像 發(fā)表于 12-16 09:45 ?450次閱讀

        選型手冊：VS3540AC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負電源切換、
        的頭像 發(fā)表于 12-10 09:44 ?687次閱讀
        選型手冊：VS3540AC <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS3510AE P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，適配低壓負電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基
        的頭像 發(fā)表于 12-08 11:16 ?618次閱讀
        選型手冊：VS3510AE <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS3508AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V
        的頭像 發(fā)表于 12-05 09:51 ?413次閱讀
        選型手冊：VS3508AP <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VSP007P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，
        的頭像 發(fā)表于 11-26 15:18 ?478次閱讀
        選型手冊：VSP007<b class='flag-5'>P</b>06MS <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>增強</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

        仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載
        的頭像 發(fā)表于 11-05 12:01 ?413次閱讀
        選型手冊：MOT1793G <b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>溝道</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        AP3P10MI 永源微100V p溝道增強模式MOSFET

        描述AP3P10MI采用先進的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON)，低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護或其他開關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = -100v I d = -3aR DS(ON) < 350mΩ
        發(fā)表于 06-30 09:46 ?0次下載