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威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向 - 30V 低壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，適配低壓負電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET
核心參數(shù)：
- 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電源場景；
- 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時典型值10mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值18mΩ，低壓場景下?lián)p耗可控；
- 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時-37A（負號對應(yīng) P 溝道電流方向），\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為-23A；
- 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-148A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足瞬時大電流需求。

二、核心特性

快速開關(guān) + 高效率：開關(guān)速度優(yōu)異，適配高頻電源切換場景；
高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 49mJ，感性負載開關(guān)穩(wěn)定性強；
環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

參數(shù)	符號	數(shù)值（Rating）	單位
漏源極擊穿電壓	\(V_{DSS}\)	-30	V
柵源極電壓	\(V_{GS}\)	±25	V
二極管連續(xù)正向電流	\(I_S\)	-37	A
連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=-10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): -37；\(T=100^\circ\text{C}\): -23	A
脈沖漏極電流	\(I_{DM}\)	-148	A
單脈沖雪崩能量	\(E_{AS}\)	49	mJ
最大功耗	\(P_D\)	33	W
結(jié) - 殼熱阻	\(R_{thJC}\)	3.8	℃/W
工作 / 存儲溫度范圍	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封裝與應(yīng)用場景

封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷，適配高密度電路板設(shè)計；
典型應(yīng)用：
- 低壓負電源切換電路；
- 電池供電系統(tǒng)的電源路徑管理；
- 中功率負載的負電源通斷控制。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）

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