chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

氮化鎵新技術突破!

DT半導體 ? 來源:DT半導體 ? 作者:DT半導體 ? 2022-12-02 15:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

N極性GaN HEMT是目前業(yè)界的研究熱點。

GaN晶體管是通過利用“二維電子氣”來實現高速操作,而二維電子氣的密度會隨著GaN和AlGaN之間的電極化差異而變化。一般來說,AlGaN 中20%的 AlN 比例可提供足夠高的導電性,但隨著第六代移動通信系統(tǒng) (6G) 對高速通信需求的增加,業(yè)界已經嘗試進一步提高它的導電性。

大阪大學官網發(fā)文稱,他們已經成功研發(fā)了2英寸低成本N極性GaN-on-AlN,并已將研究成果發(fā)表在美國科學期刊《Science Advances》上。

該技術有幾個特點:

● 用藍寶石開發(fā)了低成本N極性AlN襯底;

● AlGaN 的 AlN 比例從20%提高到100%;

● 二維電子氣達到3.6×1013cm-2 。

住友電工官網發(fā)文稱,開發(fā)出了世界上第一個可用于“后5G”的單晶襯底GaN HEMT。該器件是通過在GaN 晶體中添加N極性所制成的,可滿足晶體管高輸出、高頻率的需求。

cc6fe604-50df-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

報道稱,這是NEDO關于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎設施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技術的開發(fā)。

cc820abe-50df-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

此前,GaN晶體廣泛使用的是Ga極性,為了實現更高的輸出和更高的頻率,業(yè)界正在開發(fā)反向的HEMT結構,來增加器件設計的自由度,并可以抑制漏電流。但是,N極性單晶襯底的晶面存在缺陷,因此,在器件設計方面,開發(fā)HEMT結構需要解決高質量柵極絕緣膜的挑戰(zhàn)擋層。住友電工稱,他們利用其自身多年積累的晶體生長技術,實現了幾乎沒有“缺陷”的高質量N極晶體。另外,住友電工還完成了使用高介電材料的N極晶體管,并實現了出色的高頻特性。住友電工表示,具有高頻率和低功耗特性的GaN-HEMT對于實現“后5G”至關重要,未來他們將繼續(xù)開發(fā)技術,進一步為提高高頻通信、節(jié)能和社會脫碳做出貢獻。

cce7d0ba-50df-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

ccf6cade-50df-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

cd065cc4-50df-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    10095

    瀏覽量

    144820
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    63

    文章

    1834

    瀏覽量

    118924
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    2277

    瀏覽量

    78621
  • HEMT
    +關注

    關注

    2

    文章

    77

    瀏覽量

    14238

原文標題:氮化鎵新技術突破!

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    氮化(GaN)黑科技來襲!你的電源該“瘦身”了

    氮化行業(yè)資訊
    電子發(fā)燒友網官方
    發(fā)布于 :2025年10月11日 16:57:30

    氮化(GaN)技術 | 電源領域的革命性突破

    氮化(GaN)技術為電源行業(yè)提供了進一步改進電源轉換的機會,從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來,硅基半導體一直主導著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解,使其成為電子行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 08-21 06:40 ?4403次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)<b class='flag-5'>技術</b> | 電源領域的革命性<b class='flag-5'>突破</b>

    京東方華燦淺談氮化材料與技術發(fā)展

    近日,應充電頭網邀請,在行業(yè)目光聚焦之際,京東方華燦多位專家圍繞氮化材料與技術展開深度分享,為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍圖。其中,京東方華燦副總裁、首席技術官王江波博士值此世界
    的頭像 發(fā)表于 08-14 15:31 ?2670次閱讀

    氮化電源IC U8765產品概述

    氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的
    的頭像 發(fā)表于 04-29 18:12 ?663次閱讀

    330W氮化方案,可過EMC

    氮化
    深圳市三佛科技
    發(fā)布于 :2025年04月01日 11:31:39

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化(GaN)FET是常關器件
    發(fā)表于 03-31 14:26

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 16:33 ?3623次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

    氮化晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關管廣泛應用于大功率場合,如牽引逆變器、可回
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:26 ?806次閱讀

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破,成為快充技術的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?3323次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破,成為快充技術的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?807次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    納微半導體氮化和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技術
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?955次閱讀
    納微半導體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和碳化硅<b class='flag-5'>技術</b>進入戴爾供應鏈

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    同功率下體積更小,且散熱更優(yōu)秀,輕松實現小體積大功率。 既然氮化這么好?為什么不早點用? 原因很簡單:之前氮化技術不成熟,成本也相對更高
    發(fā)表于 01-15 16:41

    英諾賽科香港上市,國內氮化半導體第一股誕生

    專注于第三代半導體氮化研發(fā)與制造的高新技術企業(yè),自成立以來,始終致力于推動氮化技術的創(chuàng)新與應
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:36 ?1069次閱讀

    英飛凌全新一代氮化產品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    作為第三代半導體材料的代表者,氮化(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領了全球功率半導體產業(yè)革新,隨著氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-06 01:02 ?1186次閱讀
    英飛凌全新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    氮化晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化(GaN)晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比,每片能多生產2.3倍數量的芯片,技術和效率顯著提升。這一突破將極大地推動
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?2011次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓在劃切過程中如何避免崩邊