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英特爾硬碰臺積電,Intel 20A、Intel 18A 工藝研發(fā)已獲突破

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2023-03-08 16:57 ? 次閱讀
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來源:IT之家

3 月 6 日消息,英特爾在 2022 年第三季度財報中,透露他們已經簽訂了全球 TOP10 半導體設計廠商中的 7 家。此外,英特爾還表示他們要在四年內快速發(fā)展五個制程節(jié)點,奪回全球半導體龍頭寶座,重鑄往日榮光,備受外界矚目。

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據(jù)臺灣經濟日報,Intel 20A、Intel 18A 已經流片(設計定案)。這是該公司近期給出最新的 2 納米以下制程技術進展,讓市場更關注其與臺積電之間的制程技術競爭。

英特爾高級副總裁暨中國區(qū)董事長王銳近日表示,“半導體行業(yè)每一個巨大的下跌都會復蘇,我們對 IDM2.0 的戰(zhàn)略深信不疑,它最大的挑戰(zhàn)是我們內部的執(zhí)行力。沒有人喜歡(2022 年)Q4 英特爾的財報,我們也不可能不做調整?!?/p>

目前圍繞著 IDM2.0 戰(zhàn)略,英特爾欲從三方面進行突圍。首先是發(fā)展代工業(yè)務,英特爾按照 4 年 5 個節(jié)點,計劃在 2025 年重新取得制程技術的領先地位,并且通過“系統(tǒng)級代工”建立晶圓廠的差異化。

參考IT之家此前大量報道,英特爾近幾年制程技術規(guī)劃從 Intel 10 逐漸邁入到 Intel 7、Intel 4 制程,接下來要還要向著 Intel 3、Intel 20A、Intel 18A 制程不斷發(fā)展。

據(jù)王銳介紹,Intel 7 已經大規(guī)模量產,Intel 4 將于今年下半年上場,將用于酷睿處理器(Meter Lake),Intel 3 正在按計劃推進,Intel 20A(2 納米)、Intel 18A(1.8 納米)的測試芯片已經流片。

值得一提的是,先前市場還曾傳出英特爾 3nm 制程技術開發(fā)延遲的消息,不過后來遭英特爾 CEO 基辛格否認。他強調相關計劃都在按預期進行,迄今為止所有已經公布的 3nm 項目都將在 2024 年發(fā)布。

按照規(guī)劃,英特爾的 Granite Rapids 及 Sierra Forest 系列處理器均將采用自家 Intel3 制程生產。根據(jù)英特爾先前公布信息,Intel 3 可進一步汲取 FinFET 最佳化優(yōu)勢、提升 EUV 使用比例,并帶來更多改進。與 Intel 4 制程相較,Intel3 大約可提供 18%的每瓦效能提升,預計從今年下半年逐漸開始生產。

王銳也強調,英特爾非常堅信,到 2025 年時,能夠重新回到領先地位。

深圳芯盛會

3月9日,與行業(yè)大咖“零距離”接觸的機遇即將到來,半導體業(yè)內封裝專家將齊聚深圳,CHIP China晶芯研討會誠邀您蒞臨“拓展摩爾定律-半導體先進封裝技術發(fā)展與促進大會”現(xiàn)場,一起共研共享,探索“芯”未來!點擊鏈接,了解詳情:http://w.lwc.cn/s/M3INb2


審核編輯黃宇

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