曾經(jīng)有一段時間，實(shí)際上是幾十年，制造更好的計算機(jī)芯片所需要的只是更小的晶體管和更窄的互連。DNA那個時代已經(jīng)一去不復(fù)返了，雖然晶體管會繼續(xù)變得更小，但簡單地制造它們已不再是重點(diǎn)。

上周在比利時安特衛(wèi)普舉行的ITF 2023 世界大會上，研究人員認(rèn)為，現(xiàn)在保持計算速度呈指數(shù)級增長的唯一方法是一種稱為系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (STCO) 的方案。它能夠?qū)⑿酒纸獬伤鼈兊墓δ芙M件，為每個功能使用最佳的晶體管和互連技術(shù)，并將它們重新拼接在一起以創(chuàng)建一個功耗更低、功能更好的整體。

Imec研發(fā)經(jīng)理Marie Garcia Bardon說：“這將我們引向 CMOS 的新范式。” 正如總部位于比利時的納米技術(shù)研究組織所稱，CMOS 2.0 是一個復(fù)雜的愿景。但它可能是最實(shí)用的前進(jìn)方式，其中的一部分已經(jīng)在當(dāng)今最先進(jìn)的芯片中得到體現(xiàn)。

我們是怎么到這里的

Imec 研發(fā)副總裁Julien Ryckaert說，從某種意義上說，半導(dǎo)體行業(yè)在 2005 年之前的幾十年里被寵壞了。在那段時間里，化學(xué)家和設(shè)備物理學(xué)家能夠定期生產(chǎn)更小、功耗更低、速度更快的晶體管，可用于芯片上的每項功能，這將導(dǎo)致計算能力的穩(wěn)步提高。

但此后不久，輪子開始脫離該計劃。設(shè)備專家可以想出出色的新晶體管，但這些晶體管并不能制造出更好、更小的電路，例如構(gòu)成 CPU 主體的 SRAM 存儲器和標(biāo)準(zhǔn)邏輯單元。作為回應(yīng)，芯片制造商開始打破標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計和晶體管開發(fā)之間的障礙。稱為設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化或 DTCO 的新方案導(dǎo)致專門設(shè)計用于制造更好的標(biāo)準(zhǔn)單元和存儲器的設(shè)備。

但 DTCO 不足以讓計算繼續(xù)進(jìn)行。物理和經(jīng)濟(jì)現(xiàn)實(shí)的局限性共同為通用型晶體管的發(fā)展設(shè)置了障礙。如Imec 的首席工程師Anabela Veloso解釋說，物理限制阻止了 CMOS 工作電壓降低到大約 0.7 伏以下，從而減緩了功耗的進(jìn)展。轉(zhuǎn)向多核處理器幫助改善了這個問題一段時間。同時，輸入輸出限制意味著越來越需要將多個芯片的功能集成到處理器上。

因此，除了具有多個處理器內(nèi)核實(shí)例的片上系統(tǒng) (SoC) 之外，它們還集成了網(wǎng)絡(luò)、內(nèi)存和通常專用的信號處理內(nèi)核。這些內(nèi)核和功能不僅具有不同的功率和其他需求，而且它們也無法以相同的速度變得更小。即使是 CPU 的高速緩存 SRAM，也不會像處理器的邏輯那樣快速縮小。

系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化

讓事情擺脫困境與技術(shù)集合一樣是一種哲學(xué)轉(zhuǎn)變。根據(jù) Ryckaert 的說法，STCO 意味著將片上系統(tǒng)視為功能的集合，例如電源、I/O 和緩存存儲器?！爱?dāng)你開始對功能進(jìn)行推理時，你會意識到 SoC 不是這種同質(zhì)系統(tǒng)，只是晶體管和互連，”他說。“它是功能，針對不同的目的進(jìn)行了優(yōu)化?！?/p>

理想情況下，您可以使用最適合它的工藝技術(shù)來構(gòu)建每個功能。實(shí)際上，這主要意味著在自己的硅片或小芯片上構(gòu)建每個。然后，您可以使用高級 3D 堆疊等技術(shù)將它們綁定在一起，這樣所有功能就好像它們在同一塊硅片上一樣。

這種想法的例子已經(jīng)出現(xiàn)在高級處理器和人工智能加速器中。英特爾的高性能計算加速器 Ponte Vecchio（現(xiàn)在稱為英特爾數(shù)據(jù)中心 GPU Max）由 47 個小芯片組成，這些小芯片使用兩種不同的工藝構(gòu)建，分別來自英特爾和臺積電。AMD 已經(jīng)在I /O 小芯片上使用了不同的技術(shù)并在其 CPU 中計算小芯片，它最近開始為計算小芯片的高級高速緩存分離出SRAM 。

Imec 的 CMOS 2.0 路線圖走得更遠(yuǎn)。該計劃需要繼續(xù)縮小晶體管，將電源和可能的時鐘信號移動到 CPU 的硅片下方，以及更加緊密的 3D 芯片集成。Ryckaert 說：“我們可以使用這些技術(shù)來識別不同的功能，分解 SoC，然后重新集成它，從而非常高效?！?/p>

晶體管將在未來十年內(nèi)改變形式，但連接它們的金屬也會改變。最終，晶體管可能是由二維半導(dǎo)體而不是硅制成的堆疊設(shè)備。電力傳輸和其他基礎(chǔ)設(shè)施可以分層放置在晶體管下方。

持續(xù)的晶體管縮放

主要芯片制造商已經(jīng)從為過去十年的計算機(jī)和智能手機(jī)提供動力的 FinFET 晶體管過渡到一種新的架構(gòu)，納米片晶體管。最終，兩個納米片晶體管將在彼此之上構(gòu)建，形成互補(bǔ)的 FET 或 CFET，Velloso 稱其“代表了 CMOS 縮放的終極”。

隨著這些設(shè)備按比例縮小和改變形狀，主要目標(biāo)之一是縮小標(biāo)準(zhǔn)邏輯單元的尺寸。這通常以“軌道高度”來衡量——基本上，可以安裝在單元內(nèi)的金屬互連線的數(shù)量。先進(jìn)的FinFET和早期的納米片器件是六軌cell。移動到五個軌道可能需要一種稱為 forksheet 的間隙設(shè)計，它可以將設(shè)備更緊密地擠壓在一起，而不必使它們更小。然后 CFET 會將單元減少到四個軌道或可能更少。

根據(jù) Imec 的說法，芯片制造商將能夠使用ASML 的下一代極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)出這一進(jìn)展所需的更精細(xì)的特征。這項稱為高數(shù)值孔徑 EUV 的技術(shù)目前正在 ASML 建設(shè)中，而 Imec 是下一個交付的。增加數(shù)值孔徑，一個與系統(tǒng)可以收集光線的角度范圍相關(guān)的光學(xué)術(shù)語，可以產(chǎn)生更精確的圖像。

背面供電網(wǎng)絡(luò)

背面供電網(wǎng)絡(luò)的基本思想是從硅表面上方移除所有發(fā)送電力（而不是數(shù)據(jù)信號）的互連，并將它們放置在硅表面下方。這應(yīng)該允許更少的功率損耗，因為功率傳輸互連可以更大且電阻更小。它還為信號傳輸互連釋放了晶體管層上方的空間，可能導(dǎo)致更緊湊的設(shè)計。

將來，更多的可能會被轉(zhuǎn)移到硅片的背面。例如，所謂的全局互連——那些跨越（相對）遠(yuǎn)距離以傳輸時鐘和其他信號的互連——可以位于硅片下方?；蛘?，工程師可以添加有源功率傳輸設(shè)備，例如靜電放電安全二極管。

3D整合

進(jìn)行 3D 集成的方法有多種，但當(dāng)今最先進(jìn)的是晶圓到晶圓和芯片到晶圓的混合鍵合。這兩個提供了兩個硅芯片之間最高密度的互連。但這種方法要求兩個芯片設(shè)計在一起，因此它們的功能和互連點(diǎn)對齊，使它們可以作為一個芯片，技術(shù)人員的主要成員 Anne Jourdain 說。Imec R&D 有望在不久的將來每平方毫米產(chǎn)生數(shù)百萬個 3D 連接。

進(jìn)入 CMOS 2.0

CMOS 2.0 將分解和異構(gòu)集成發(fā)揮到極致。根據(jù)哪些技術(shù)對特定應(yīng)用有意義，它可能會產(chǎn)生一個包含嵌入式內(nèi)存、I/O 和電源基礎(chǔ)設(shè)施、高密度邏輯、高驅(qū)動電流邏輯和大量緩存存儲器層的 3D 系統(tǒng)。

要達(dá)到這一點(diǎn)，不僅需要技術(shù)開發(fā)，還需要工具和培訓(xùn)來辨別哪些技術(shù)可以真正改進(jìn)系統(tǒng)。正如 Bardon 指出的那樣，智能手機(jī)、服務(wù)器、機(jī)器學(xué)習(xí)加速器以及增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)都有非常不同的要求和限制。對一個人有意義的事情對另一個人來說可能是死胡同。

審核編輯 ：李倩