同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷荷蘭奈梅亨--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，該項(xiàng)突破并不影響其他......

同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷
荷蘭奈梅亨--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，該項(xiàng)突破并不影響其他重要參數(shù)，例如漏極電流 (ID(max))、安全工作區(qū)域 (SOA) 或柵極電荷 QG。
很多應(yīng)用均需要超低導(dǎo)通阻抗，例如 ORing、熱插拔操作、同步整流、電機(jī)控制與蓄電池保護(hù)等，以便降低 I?R 損耗并提高效率。然而，具備類似導(dǎo)通阻抗的一些同類器件，由于縮小晶圓單元間隔，其SOA(評(píng)估MOSFET耐受性的性能)和最大ID額定電流需要降額。安世半導(dǎo)體 的 PSMNR58-30YLH MOSFET 的最大導(dǎo)通阻抗僅 0.67 歐姆，其最大額定漏極電流提升至380A。該參數(shù)對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用尤為重要，因?yàn)殡姍C(jī)堵轉(zhuǎn)的瞬間會(huì)產(chǎn)生超大電涌，MOSFET 必須可以承受這些電涌，才能確保安全可靠運(yùn)行。一些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手僅提供計(jì)算出的 最大ID電流，但安世半導(dǎo)體產(chǎn)品實(shí)測(cè)持續(xù)電流能力高達(dá) 380 安培，并且 100% 最終生產(chǎn)測(cè)試的持續(xù)電流值高達(dá) 190 安培。
該器件支持 LFPAK56 (Power-SO8) 和 LFPAK33 (Power33)封裝，二者均采用獨(dú)特的銅夾結(jié)構(gòu)，可吸收熱應(yīng)力，提升質(zhì)量和可靠性。LFPAK56 封裝的 PSMNR58-30YLH， (安世半導(dǎo)體 的 4 引腳 Power-SO8 封裝)其安裝尺寸僅 30 平方毫米，管腳間距 1.27 毫米。
安世半導(dǎo)體的 Power MOSFET 產(chǎn)品經(jīng)理 Steven Waterhouse 先生表示：“安世半導(dǎo)體結(jié)合其獨(dú)有的 NextPowerS3 超結(jié)技術(shù)與 LFPAK 封裝，提供了具有低導(dǎo)通阻抗、高額定 ID 最大電流的 MOSFET，同時(shí)不影響其SOA等級(jí)、質(zhì)量和可靠性。這使新元件充分滿足要求高性能、高可靠性和高容錯(cuò)性的應(yīng)用需求?！逼渲邪o(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)控制（全橋式三相拓?fù)洌籓Ring 服務(wù)器電源、熱插拔操作和同步整流；蓄電池保護(hù)；手機(jī)快速充電和直流負(fù)荷開(kāi)關(guān)。
關(guān)于新款低導(dǎo)通阻抗 MOSFETS 的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和資料表）見(jiàn)Nexperia 是全球領(lǐng)先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件的專業(yè)制造商，其前身為恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部門，于 2017 年初開(kāi)始獨(dú)立運(yùn)營(yíng)。Nexperia 注重效率，生產(chǎn)穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體元件，年產(chǎn)量超過(guò)900 億件。Nexperia 工廠生產(chǎn)的小型封裝也是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，不僅具有較高的功率與熱效率，還是同類品質(zhì)之最。
五十多年來(lái)，Nexperia 一直為全球各地的大型公司提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，并在亞洲、歐洲和美國(guó)擁有超過(guò) 11,000 名員工。該公司擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了 ISO 9001、IATF 16949、ISO14001 和 OHSAS18001 認(rèn)證。

審核編輯黃宇